KR950021421A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950021421A
KR950021421A KR1019930029766A KR930029766A KR950021421A KR 950021421 A KR950021421 A KR 950021421A KR 1019930029766 A KR1019930029766 A KR 1019930029766A KR 930029766 A KR930029766 A KR 930029766A KR 950021421 A KR950021421 A KR 950021421A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
semiconductor device
metal wiring
depositing
forming
Prior art date
Application number
KR1019930029766A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100250747B1 (ko
Inventor
여태정
오세준
장현진
고재완
구영모
김세정
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930029766A priority Critical patent/KR100250747B1/ko
Publication of KR950021421A publication Critical patent/KR950021421A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100250747B1 publication Critical patent/KR100250747B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 베리어 금속층(barrier metal layer) 상부에 스퍼터링 (sputtering) 공정에 의해 실리콘을 증착하고, 금속 증착시 상기 증착된 실리콘이 촉매 역활을 하도록 한 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 2D도는 본 발명에 따라 반도체 소자의 금속배선이 형성되는 공정을 도시하는 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 소정두께의 산화막 (2)을 증착한 후 마스크 공정 및 사진식각 공정에 의해 금속배선용 콘택을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 베리어 금속 (3)을 증착하고 스퍼터링 공정에 의해 실리콘(4)을 증착하는 단계와, 상기 단계로부터 배선용 금속(5)을 스퍼터링 공정에 의해 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리콘(4)의 증착은 PVD (Physical Vapor Deposition) 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 배선용 금속은 Aℓ-1% Si또는 Aℓ을 타켓으로하여 스퍼터링 공정에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930029766A 1993-12-27 1993-12-27 반도체 소자의 금속배선 형성방법 KR100250747B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930029766A KR100250747B1 (ko) 1993-12-27 1993-12-27 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930029766A KR100250747B1 (ko) 1993-12-27 1993-12-27 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950021421A true KR950021421A (ko) 1995-07-26
KR100250747B1 KR100250747B1 (ko) 2000-04-01

Family

ID=19372774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930029766A KR100250747B1 (ko) 1993-12-27 1993-12-27 반도체 소자의 금속배선 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100250747B1 (ko)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2751606B2 (ja) * 1990-09-12 1998-05-18 ソニー株式会社 配線の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100250747B1 (ko) 2000-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950025957A (ko) 적층 구조의 배선을 갖고 있는 반도체 디바이스 및 그 제조방법
TW350144B (en) Process for fabricating an X-ray absorbing mask
KR950009926A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR970018001A (ko) 반도체 장치 내의 화학 증기 증착 알루미늄층의 제작 공정
KR950021421A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR960030372A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR960042957A (ko) 반도체 소자의 확산방지층 형성방법
KR920001658A (ko) 비정질 질화티타늄막을 이용한 금속배선형성방법
KR940016693A (ko) 적층 배선 구조를 이용한 비아 신뢰성 향상 방법
KR950021108A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR900005557A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR970018230A (ko) 금속배선의 장벽금속 형성 방법
KR100494320B1 (ko) 반도체소자의확산방지막형성방법
KR970052244A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR960026402A (ko) 반도체 소자 제조 방법
KR940001276A (ko) 반도체의 금속배선 형성방법
KR910020813A (ko) 반도체 제조에서 미세 금속 배선의 형성방법
KR960026386A (ko) 다층 금속 배선 형성 방법
KR970052410A (ko) 반도체 장치의 금속 배선 형성방법
KR870007567A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR950021285A (ko) 금속배선층 형성방법
KR970018231A (ko) 금속배선 제조방법
KR940016691A (ko) 반도체 소자의 금속박막 증착방법
KR930024105A (ko) 텅스텐질화박막을 베리어메탈로 이용한 실리콘 반도체소자의 알루미늄금속배선 형성방법
KR910020803A (ko) 반도체장치의 금속배선 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080102

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee