KR900005557A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents

반도체 소자 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR900005557A
KR900005557A KR1019890012850A KR890012850A KR900005557A KR 900005557 A KR900005557 A KR 900005557A KR 1019890012850 A KR1019890012850 A KR 1019890012850A KR 890012850 A KR890012850 A KR 890012850A KR 900005557 A KR900005557 A KR 900005557A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
deposited
layer
temperature
semiconductor device
weight
Prior art date
Application number
KR1019890012850A
Other languages
English (en)
Inventor
아드리아누스 마리아 볼테르스 로베르투스
마리아 요한나 프란시스카 두메르니크반 데르 엘스 로사
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이반 밀러 레르너, 엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄 filed Critical 이반 밀러 레르너
Publication of KR900005557A publication Critical patent/KR900005557A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
    • H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

슬루스 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 3도는 본 발명에 따른 방법에 의해 제조되는 반도체 소자의 일부의 단면도를 연속적인 단계로 도시한 도면.

Claims (16)

  1. Al(Cu)의 층이 침착되고 다음 에칭에 의해 형성된 반도체 몸체의 표면상에 도전 트랙이 형성되는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 연속적인 층으로 형성이 되는 많은 Al(Si)이 침착되고, 다음 동일 처리 단계에서 추가의 Al(Si, Cu)가 원하는 층의 두께가 얻어질 때까지 침착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, Al(Si, Cu)의 침착동안 온도는 Al(Si)의 침착 동안의 온도에 대해 증가되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, Al(Si)는 100 내지 150℃ 사이의 온도에서 침착되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 온도는 약 150℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  5. 제2항에 있어서, Al(Si, Cu)는 200 내지 400℃ 사이의 온도에서 침착이 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 온도는 300℃ 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 침착된 Al(Si)는 0 내지 2중량%의 Si를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 침착된 Al(Si, Cu)는 약 1중량%의 Si를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 침착된 Al(Si, Cu)는 약 0.5 내지 4중량%의 Cu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법,
  10. 제9항에 있어서. 상기 침착된 Al(Si, Cu)는 약 2중량%의 Cu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
  11. 제2항에 있어서, 첫번째 침착된 Al(Si)층의 두께는 100 내지 150℃의 침착 온도에서 약 50㎚인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  12. 제1항에 있어서. 전체 층의 두께는 약 0.5 내지 1.5㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방범.
  13. 선행항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 층은 DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 침착되는 것을 특징으로하는 반도체 소자 제조방법.
  14. 선행항중의 어느 한 항에 있어서, 부착이 이루어지는 반도제 몸체의 표면은 TiW, SiO2, TiN, Si3N4, Si, W 또는 Al2O3로 피복되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 침착 Al(Si, Cu)층는 에칭후에 온도 처리가 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
  16. 제13항에 있어서, Al(Si, Cu)층은 30 내지 60분 동안에서 400 내지 450℃로 증가되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890012850A 1988-09-09 1989-09-06 반도체 소자 제조방법 KR900005557A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP3830720.0 1988-09-09
DE3830720A DE3830720A1 (de) 1988-09-09 1988-09-09 Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR900005557A true KR900005557A (ko) 1990-04-14

Family

ID=6362639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890012850A KR900005557A (ko) 1988-09-09 1989-09-06 반도체 소자 제조방법

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0361572A1 (ko)
JP (1) JPH0724268B2 (ko)
KR (1) KR900005557A (ko)
DE (1) DE3830720A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0451644A1 (en) * 1990-04-10 1991-10-16 Texas Instruments Incorporated An improved metallization system for reduced corrosion susceptibility
TW520072U (en) * 1991-07-08 2003-02-01 Samsung Electronics Co Ltd A semiconductor device having a multi-layer metal contact
KR940006186A (ko) * 1992-06-03 1994-03-23 에또 다께또시 스퍼터링 타겟, 전자장치용 배선방법 및 전자장치
DE19612838A1 (de) * 1995-11-13 1997-05-15 Asea Brown Boveri Leistungshalbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5114232A (ja) * 1974-07-25 1976-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Horoguramumemoryomidashisochi
DE3040693A1 (de) * 1979-11-08 1981-05-27 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Verfahren zur metallisierung von halbleiterbauelementen
JPS60160612A (ja) * 1984-01-31 1985-08-22 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS61161740A (ja) * 1985-01-07 1986-07-22 モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド 多層金属化集積回路およびその製造方法
JPS6216521A (ja) * 1985-07-15 1987-01-24 Matsushita Electronics Corp 半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0724268B2 (ja) 1995-03-15
JPH02113530A (ja) 1990-04-25
DE3830720A1 (de) 1990-03-22
EP0361572A1 (de) 1990-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950025957A (ko) 적층 구조의 배선을 갖고 있는 반도체 디바이스 및 그 제조방법
KR900002455A (ko) 반도체 집적 소자 제조방법
FI853602A0 (fi) Foerfarande foer tillverkning av kopparoeron foer mikrokretsar.
ES2192891T3 (es) Mejoras introducidas en el revestimiento de vidrio.
EP0293981A3 (en) Processes for the manufacture of superconducting inorganic compounds and the products of such processes
KR950034482A (ko) 반도체 소자의 다층금속 배선의 형성방법
KR900005557A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR930003256A (ko) 반도체 집적 회로에 금속화 배선층을 형성하는 방법
EP0307272A3 (en) Aluminum alloy semiconductor interconnections having high purity titanium or niobium barrier layer
KR950009926A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR860008599A (ko) 반도체 집적회로의 다층 결선방법
KR950004499A (ko) 반도체 장치의 금속배선 형성방법
JPS6484668A (en) Thin film transistor
JPS6476736A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6421943A (en) Semiconductor device
KR880011907A (ko) 반도체장치에서 배선층의 형성방법
DE3782264D1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiter-bauelementen.
KR950021425A (ko) 다층 금속배선 형성방법
KR910020812A (ko) 반도체 장치에서 금속 배선의 형성방법
JPH01196852A (ja) 半導体集積回路装置の電極配線
KR950021421A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR940016693A (ko) 적층 배선 구조를 이용한 비아 신뢰성 향상 방법
KR930011114A (ko) 반도체장치의 제조방법
SU940605A1 (ru) Способ изготовления кремниевых транзисторов с тонкопленочными резисторами
KR910020935A (ko) 커패시터 특성을 갖는 반도체 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application