KR930011114A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 소자의 고집적화 되어 감에 따라 보호막의 재질로서 스텝 커버리지가 클 경우 균열이 생기고 보이드(Void)가 생기는 것을 막기 위해, SOG막과 실렌산화막을 조합으로 사용하고 아르곤 스퍼터 법으로 전면 식각시킨 후 상기 재질을 적층시킴으로써 단자 피복성을 향상시켜 균열방지 및 소자의 신뢰도 특성을 개선시켰다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시에를 따른 연속 공정 단면도.
제2도는 본 발명의 제2실시예로 SOG(Spin-on glass)를 이용한 평탄 단면도.
제3도는 본 발명의 다른 실시예로 아르곤 스퍼터(Ar sputter)로 SOG를 전면 식각한 제조방법의 단면도.
Claims (10)
- 반도체 기판상에 형성된 금속 배선충 상에 PSG와 질화막으로 보호막을 형성시켜 주는 방법에 있어서, SOG, 실렌 산화물의 조합으로 보호막을 형성시키고 상기 보호막의 일부를 아르곤 스퍼터 법으로 식각시켜 주는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, PSG를 형성시키고 아르곤 스퍼터로 식각한 후 질화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 아르곤 스퍼터 식각후 PSG를 형성시키고 질화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, PSG를 형성시키고 SOG를 도포한 후 질화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서, SOG 도포후 아르곤 스퍼터로 전면 식각한 다음 질화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 질화막을 형성시키고 아르곤 스퍼터로 식각한 다음 질화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 질화막을 형성시키고 SOG를 도포한 다음 질화막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제7항에 있어서, SOG를 도포하고 아르곤 스퍼터로 식각한 다음 질화막을 형성시키는 짓을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 금속 배선상에 실렌 산화물을 얇게 형성시키고 SOG를 도포한 다음 PSG와 질화막을 연속으로 성장시켜 주는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제9항에 있어서, SOG도포후 아르곤 스퍼터로 SOG를 전면 식각한 다음 PSG나 질화막을 연속으로 형성시켜 주는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| Country | Link |
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| KR (1) | KR930011114A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040024714A (ko) * | 2002-09-16 | 2004-03-22 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 장치의 다층 층간 절연막의 제조 방법 |
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1991
- 1991-11-13 KR KR1019910020149A patent/KR930011114A/ko not_active Application Discontinuation
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|---|---|---|---|---|
| KR20040024714A (ko) * | 2002-09-16 | 2004-03-22 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 장치의 다층 층간 절연막의 제조 방법 |
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