KR910020812A - 반도체 장치에서 금속 배선의 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가)∼(마)는 본 발명의 금속배선의 형성과정을 나타낸 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 제조공정에서 단차가 있는 영역에 금속 배선을 형성함에 있어서, 스피터링 방법으로 충분한 양을 증착하고 사진식각으로 패터닝한 금속배선(5)의 표면에만 텅스텐박막(6)을 선택적 텅스 증착법으로 500Å∼5000Å정도의 두께로 증착하는 단계와 텅스텐박막(6)이 금속박막(5)을 캐핑한 상태에서 450℃∼1000℃정도의 고온으로 열처리 하는 단계에 의해 금속배선을 형성하도록 한 반도체 장치에서 금속 배선의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 텅스텐박막(6)은 고융점의 다른 금속으로 대체하여 사용하도록 한 반도체 장치에서 금속 배선의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 열처리 공정은 로를 사용할 때에는 10분∼60분 동안 열처리하고, 금속열처리 방법을 이용할 때에는 3초∼5분 동안 열처리 하도록한 반도체 장치에서 금속 배선의 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR102034394B1 (ko) * | 2018-09-17 | 2019-10-18 | 주식회사 코윈디에스티 | 레이저 화학기상증착을 이용한 미세 배선 형성 방법 |
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1990
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| KR930001896B1 (ko) | 1993-03-19 |
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