KR920001684A - 반도체 집적회로의 금속 배선방법 - Google Patents
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 금속배선 공정을 나타낸 단면도.
Claims (3)
- 주금속을 증착하기 전에 흡착 지연막을 콘택트홀 주위에 형성하는 공정; 흡착 지연막 형성후 주금속을 스피터링 혹은 CVD공정으로 증착하는 공정을 순차적으로 실시함을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 주금속에 대한 흡착 지연막으로는 융점이 660℃이하이고 500℃이하에서 휘발성이 높아 증기압이 1㎜토르 이상인 금속을 포함함을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 금속배선 방법.
- 제1항에 있어서, 흡착 지연막은 전부 제거하거나 혹은 일부 남기도록 함을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 금속배선 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900008479A KR930005484B1 (ko) | 1990-06-09 | 1990-06-09 | 반도체 집적회로의 금속배선 방법 |
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| KR1019900008479A KR930005484B1 (ko) | 1990-06-09 | 1990-06-09 | 반도체 집적회로의 금속배선 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR920001684A true KR920001684A (ko) | 1992-01-30 |
| KR930005484B1 KR930005484B1 (ko) | 1993-06-22 |
Family
ID=19299940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900008479A KR930005484B1 (ko) | 1990-06-09 | 1990-06-09 | 반도체 집적회로의 금속배선 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR930005484B1 (ko) |
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1990
- 1990-06-09 KR KR1019900008479A patent/KR930005484B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930005484B1 (ko) | 1993-06-22 |
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