KR920005366A - 반도체소자 제조공정의 금속증착방법 - Google Patents
반도체소자 제조공정의 금속증착방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920005366A KR920005366A KR1019900012330A KR900012330A KR920005366A KR 920005366 A KR920005366 A KR 920005366A KR 1019900012330 A KR1019900012330 A KR 1019900012330A KR 900012330 A KR900012330 A KR 900012330A KR 920005366 A KR920005366 A KR 920005366A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- metal
- semiconductor device
- manufacturing process
- device manufacturing
- deposition method
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title claims 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 229910021360 copper silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
- H01L29/34—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being on the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 공정단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 1a : 몰리브덴 실리사이드 2 : 알루미늄
Claims (3)
- 스퍼터링 방법에 의한 금속 박막 증착공정에 있어서, 확산억제 금속을 일정두께로 형성하는 단계, 상기 확산억제금속위에 동일챔버내의 격리된 타겟 및 가열장치를 사용하여 금속을 저온 및 고온에서 차례로 증착하여 일정 두께의 금속 박막을 형성하는 단계, 상기 금속위에 전류흐름 및 응력에 의한 금속이동도를 저하시키기 위한 금속을 일정두께로 형성하는 단계를 순차적으로 구비함을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정의 금속증착방법.
- 제1항에 있어서, 확산억제금속 및 금속이동도를 저하시키기 위한 금속은 몰리브덴사이드로 하여 상온, 800-1500W, 4-9μAr 압력에서 각각 약 100-250Å, 약 200-1000Å의 두께로 형성하고, 금속은 알루미늄으로 하여 상온, 5-8㎾, 4-9μ AR의 압력에서 약 600-2000Å의 두번째 먼저 증착하고 다시 400-550℃의 고온, 6-12KW, 4-9ｕ Ar의 압력에서 약 4000-8000Å의 두께로 두번 증착하여 알루미늄박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정의 금속증착방법.
- 제2항에 있어서, 알루미늄은 0.5-1.0%의 실리콘과 0.3-1.0%의 구리가 포함된 것으로 하고, 몰리브덴 실리사이드는 MOSi2.1-2.4로 함을 특징으로 하는 반도체 소자 제조공정의 금속증착방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900012330A KR930001855B1 (ko) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 반도체소자 제조공정의 금속증착방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900012330A KR930001855B1 (ko) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 반도체소자 제조공정의 금속증착방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920005366A true KR920005366A (ko) | 1992-03-28 |
| KR930001855B1 KR930001855B1 (ko) | 1993-03-15 |
Family
ID=19302228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900012330A KR930001855B1 (ko) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 반도체소자 제조공정의 금속증착방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930001855B1 (ko) |
-
1990
- 1990-08-10 KR KR1019900012330A patent/KR930001855B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930001855B1 (ko) | 1993-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950021220A (ko) | 반도체 소자의 텅스텐 실리사이드 형성방법 | |
| KR840003530A (ko) | 단결정막의 제조 방법 | |
| KR850002172A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| ES2058354T3 (es) | Metodo para depositar wolframio sobre silicio en un procedimiento cvd que no es autolimitante y dispositivo semiconductor fabricado por el. | |
| KR920005366A (ko) | 반도체소자 제조공정의 금속증착방법 | |
| KR960026403A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 방법 | |
| KR940022706A (ko) | 비아콘택 제조방법 | |
| KR980005677A (ko) | 반도체 소자의 실리사이드 형성방법 | |
| KR970043349A (ko) | 다중압력을 이용한 구리 화학기상증착에 의한 박막형성방법 | |
| KR960002683A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| GB2239661A (en) | Semiconductor devices provided with two metallic films | |
| KR910015008A (ko) | 금속배선방법 | |
| KR920001684A (ko) | 반도체 집적회로의 금속 배선방법 | |
| KR960005798A (ko) | 저저항 콘택을 갖는 비트라인 및 그 제조방법 | |
| KR930005253A (ko) | 박막 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR970052936A (ko) | 반도체 제조공정에서 다중열처리에 의한 금속배선의 형성방법 | |
| KR950021077A (ko) | 실리사이드 플러그 형성방법 | |
| JPS6489469A (en) | Field-effect transistor and manufacture thereof | |
| KR930011117A (ko) | 블랭킷 cvd텅스텐 형성방법 | |
| KR910020812A (ko) | 반도체 장치에서 금속 배선의 형성방법 | |
| KR960005797A (ko) | 반도체소자 배선 형성방법 | |
| KR970003858A (ko) | 선택적 증착법을 이용한 전도막 형성방법 | |
| KR930024105A (ko) | 텅스텐질화박막을 베리어메탈로 이용한 실리콘 반도체소자의 알루미늄금속배선 형성방법 | |
| KR980005497A (ko) | 폴리사이드 구조의 전도막 형성방법 | |
| KR970018073A (ko) | 텅스텐 폴리사이드 게이트 전극 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20030218 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |