KR970052355A - 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우(reflow) 방법 - Google Patents

반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우(reflow) 방법 Download PDF

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KR970052355A
KR970052355A KR1019950056973A KR19950056973A KR970052355A KR 970052355 A KR970052355 A KR 970052355A KR 1019950056973 A KR1019950056973 A KR 1019950056973A KR 19950056973 A KR19950056973 A KR 19950056973A KR 970052355 A KR970052355 A KR 970052355A
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KR1019950056973A
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윤여철
박영호
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

고단차 콘택 홀을 매몰하는 개선된 알루미늄 리플로우(Al-reflow)방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체 제조공정에서 고단차 접촉구를 매몰하는 방법에 있어서, 상기 금속 접촉구의 매몰 특성을 개선시키기 위해 저온에서 Ge을 중착하는 제1공정과, Al을 증착하는 제2공정과, 상기 Al-Ge 저융점 합금 박막을 Al-Ge의 용융점 이하인 약 300~500℃의 온도에서 열처리하면서 가압하여 상기 접촉 구를 필링(filling) 시키는 제3공정을 구비하며, 상기 고온고압 리플로우 공정에서 Al과 Ge의 두께 비가 1:0.1~0.5인 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우(reflow) 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a)-(d)는 본 발명에 의한 저융점 합금을 이용한 금속 접촉구의 리플로우 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.

Claims (2)

  1. 반도체 제조공정에서 고단차 접촉구를 매몰하는 방법에 있어서, 상기 금속 접촉구의 매몰 특성을 개선시키기 위해 저온에서 Ge을 중착하는 제1공정과, Al을 증착하는 제2공정과, 상기 Al-Ge 저융점 합금 박막을 Al-Ge의 용융점 이하인 약 300~500℃의 온도에서 열처리하면서 가압하여 상기 접촉 구를 필링(filling) 시키는 제3공정을 구비하며, 상기 고온고압 리플로우 공정에서 Al과 Ge의 두께 비가 1:0.1~0.5인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3정의 초기 챔버 압력은 고진공 10E-8torr~10E-6에서 가입시 400ATM 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950056973A 1995-12-26 1995-12-26 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우(reflow) 방법 KR970052355A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030002787A (ko) * 2001-06-29 2003-01-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 플러그 형성방법

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KR20030002787A (ko) * 2001-06-29 2003-01-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속 플러그 형성방법

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