KR970052355A - 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우(reflow) 방법 - Google Patents
반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우(reflow) 방법 Download PDFInfo
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Abstract
고단차 콘택 홀을 매몰하는 개선된 알루미늄 리플로우(Al-reflow)방법이 개시되어 있다. 본 발명은 반도체 제조공정에서 고단차 접촉구를 매몰하는 방법에 있어서, 상기 금속 접촉구의 매몰 특성을 개선시키기 위해 저온에서 Ge을 중착하는 제1공정과, Al을 증착하는 제2공정과, 상기 Al-Ge 저융점 합금 박막을 Al-Ge의 용융점 이하인 약 300~500℃의 온도에서 열처리하면서 가압하여 상기 접촉 구를 필링(filling) 시키는 제3공정을 구비하며, 상기 고온고압 리플로우 공정에서 Al과 Ge의 두께 비가 1:0.1~0.5인 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a)-(d)는 본 발명에 의한 저융점 합금을 이용한 금속 접촉구의 리플로우 방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
Claims (2)
- 반도체 제조공정에서 고단차 접촉구를 매몰하는 방법에 있어서, 상기 금속 접촉구의 매몰 특성을 개선시키기 위해 저온에서 Ge을 중착하는 제1공정과, Al을 증착하는 제2공정과, 상기 Al-Ge 저융점 합금 박막을 Al-Ge의 용융점 이하인 약 300~500℃의 온도에서 열처리하면서 가압하여 상기 접촉 구를 필링(filling) 시키는 제3공정을 구비하며, 상기 고온고압 리플로우 공정에서 Al과 Ge의 두께 비가 1:0.1~0.5인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3정의 초기 챔버 압력은 고진공 10E-8torr~10E-6에서 가입시 400ATM 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950056973A KR970052355A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우(reflow) 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019950056973A KR970052355A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우(reflow) 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR970052355A true KR970052355A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019950056973A KR970052355A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 장치의 금속 접촉구 리플로우(reflow) 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970052355A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030002787A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 플러그 형성방법 |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950056973A patent/KR970052355A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030002787A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 플러그 형성방법 |
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