KR970018001A - 반도체 장치 내의 화학 증기 증착 알루미늄층의 제작 공정 - Google Patents
반도체 장치 내의 화학 증기 증착 알루미늄층의 제작 공정 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970018001A KR970018001A KR1019960043381A KR19960043381A KR970018001A KR 970018001 A KR970018001 A KR 970018001A KR 1019960043381 A KR1019960043381 A KR 1019960043381A KR 19960043381 A KR19960043381 A KR 19960043381A KR 970018001 A KR970018001 A KR 970018001A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- aluminum
- substrate
- inert atmosphere
- aluminum layer
- Prior art date
Links
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N aluminum copper Chemical compound [Al].[Cu] WPPDFTBPZNZZRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 abstract 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L21/203—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
- H01L23/53223—Additional layers associated with aluminium layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
반도체 장치 내에 CVD 알루미늄층을 제작하는 공정은 복합 핵심층(32) 위에 놓이는 화학 증기 증착된 금속층(38)의 구성을 포함한다. 복합 핵심층(32)은 스퍼터링 증착된 알루미늄층(36) 아래 놓이는 스퍼터링 증착된 티타늄층(34)을 포함한다. 복합 핵심층과 화학 증기 증착된 금속층은 불활성 대기와 고진공 조건에서 처리되어 다중-레벨 금속 공정중에 금속 표면이 대기 산소에 노출되는 것을 피한다. 화학 증기 증착된 금속층(38)은 아래 놓이는 스퍼터링 증착된 복합 핵심층(32)의 높은 반사도와 낮은 표면 거칠기를 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 수행하기 위해 유용한 다중 챔버를 가진 증착 장치의 구성 다이어그램.
Claims (5)
- 반도체 장치 내에 CVD 알루미늄층을 제작하는 공정에 있어서, 유전층(26)을 갖는 기판(25)을 제공하는 단계와, 상기 기판을 불활성 대기 내에 위치시키는 단계와, 상기 불활성 대기 내에서 상기 유전층위에 티타늄층(34)을 스퍼터링하는 단계와, 상기 불활성 대기 내에서 상기 티타늄층 위에 제1의 알루미늄층(36)을 스퍼터링하는 단계와, 상기 불활성 대기 내에서 상기 제1의 알루미늄층 위에 제2의 알루미늄층(38)을 화학 증기 증착시키는 단계를 포함하고, 상기 제2의 알루미늄층은 제1의 알루미늄층과 본질적인 접촉을 형성하는 것을 특징으로 하는 CVD 알루미늄층을 제작하는 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 기판을 불활성 대기 내에 위치시키는 단계에 선행하여 상기 유전층 내에 개구부(28)를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 개구부는 대체적으로 수직의 측벽과 바닥 표면으로 특징되고, 상기 제1의 알루미늄층은 상기 측벽과 바닥 표면 위에 놓이고, 상기 제2의 알루미늄층은 상기 개구부를 채우는 것을 특징으로 하는 CVD 알루미늄층을 제작하는 공정.
- 반도체 장치 내에 CVD 알루미늄층을 제작하는 공정에 있어서, 표면을 갖는 기판(25)을 제공하는 단계와, 상기 기판을 불활성 대기 내에 위치시키는 단계와, 상기 불활성 대기 내에서 상기 기판 위에 티타늄층(34)을 스퍼터링하는 단계와, 상기 불활성 대기 내에서 상기 티타늄층 위에 제1의 금속 구조의 핵심층(36)을 스퍼터링하는 단계를 포함하고, 상기 핵심층은 제1의 결정 방향과, 상기 핵심층 위에 제1의 금속 구조의 금속층(38)을 화학 증기 증착시키는 것으로 특징되고, 상기 금속층은 상기 핵심층과 본질적인 접촉을 형성하고, 상기 금속층은 제1의 결정 방향에 의해 특징되는 것을 특징으로 하는 CVD 알루미늄층을 제작하는 공정.
- 제3항에 있어서, 상기 제1의 금속 구조는 대체적으로 순수한 알루미늄과 알루미늄-구리 합금으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 CVD 알루미늄층을 제작하는 공정.
- 반도체 장치 내에 CVD 알루미늄층을 제작하는 공정에 있어서, 진공이 유지되는 공통의 이송 챔버(12)에 인접한 불활성 대기가 유지되는 다수의 증착 챔버(18,20,22,24)를 갖는 증착 장치(10)를 제공하는 단계와, 기판을 제1의 증착 챔버 내에 위치시키고, 기판 위에 티타늄층(34)을 스퍼터링하는 단계와, 기판을 상기 이송챔버를 통해 제2의 증착 챔버로 이송시키는 단계와, 상기 티타늄층 위에 제1의 알루미늄층(36)을 스퍼터링하는 단계와, 기판을 상기 이송 챔버를 통해 제3의 증착 챔버로 이송시키는 단계와, 상기 제1의 알루미늄층 위에 제2의 알루미늄층을 화학 증기 증착시키는 단계를 포함하고, 상기 제2의 알루미늄층은 제1의 알루미늄층과 본질적인 접촉을 갖는 것을 특징으로 하는 CVD 알루미늄층을 제작하는 공정.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US53436795A | 1995-09-27 | 1995-09-27 | |
| US534,367 | 1995-09-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018001A true KR970018001A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=24129737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960043381A KR970018001A (ko) | 1995-09-27 | 1996-09-23 | 반도체 장치 내의 화학 증기 증착 알루미늄층의 제작 공정 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0766302A3 (ko) |
| JP (1) | JPH09115908A (ko) |
| KR (1) | KR970018001A (ko) |
| CN (1) | CN1150325A (ko) |
| SG (1) | SG42438A1 (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970072057A (ko) * | 1996-04-04 | 1997-11-07 | 윌리엄 비. 켐플러 | 반도체 제조 공정시 입자 성장을 제어하는 방법 |
| US6200433B1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | IMP technology with heavy gas sputtering |
| CN1295756C (zh) * | 2000-11-17 | 2007-01-17 | 东京毅力科创株式会社 | 在阻挡膜上形成钨膜的方法 |
| KR100395906B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 금속층 형성 방법 |
| KR100515828B1 (ko) * | 2002-11-25 | 2005-09-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전도성 박막 제조 방법 |
| CN104253087B (zh) * | 2014-04-18 | 2019-06-11 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 铝金属工艺接触孔的填充方法 |
| CN105304510B (zh) * | 2014-07-22 | 2018-05-08 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 铝薄膜制备方法 |
| CN104282536B (zh) * | 2014-10-31 | 2017-05-24 | 丽晶美能（北京）电子技术有限公司 | 金属层的形成工艺 |
| CN105112976A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-12-02 | 深圳市星火辉煌系统工程有限公司 | 一种cvd工装表面微弧改性工艺 |
| CN105736903B (zh) * | 2016-02-02 | 2018-05-01 | 上海交通大学 | 带有防溅屏结构的独立b型lng船液货舱绝热系统 |
| US11421318B2 (en) | 2018-05-04 | 2022-08-23 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for high reflectivity aluminum layers |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH069199B2 (ja) * | 1984-07-18 | 1994-02-02 | 株式会社日立製作所 | 配線構造体およびその製造方法 |
| US5356836A (en) * | 1993-08-19 | 1994-10-18 | Industrial Technology Research Institute | Aluminum plug process |
| KR0127271B1 (ko) * | 1993-11-23 | 1998-04-02 | 김주용 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
-
1996
- 1996-09-04 SG SG1996010578A patent/SG42438A1/en unknown
- 1996-09-23 KR KR1019960043381A patent/KR970018001A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-09-24 EP EP96115276A patent/EP0766302A3/en not_active Withdrawn
- 1996-09-24 JP JP8273096A patent/JPH09115908A/ja active Pending
- 1996-09-27 CN CN96113088A patent/CN1150325A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG42438A1 (en) | 1997-08-15 |
| EP0766302A3 (en) | 1998-05-13 |
| JPH09115908A (ja) | 1997-05-02 |
| EP0766302A2 (en) | 1997-04-02 |
| CN1150325A (zh) | 1997-05-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6057237A (en) | Tantalum-containing barrier layers for copper | |
| US5427666A (en) | Method for in-situ cleaning a Ti target in a Ti + TiN coating process | |
| KR970067616A (ko) | 자기 정렬 초박막층을 사용한 cvd 알루미늄의 선택적 블랭킷 증착 및 반사율 개선 방법 | |
| KR970003544A (ko) | 개선된 티타늄 함유 방지층을 형성하기 위한 공정 | |
| KR940022711A (ko) | 금속배선 및 그의 형성방법 | |
| KR960023223A (ko) | 실리콘 이동을 감소시키기 위한 질화 금속막의 처리방법 | |
| AU5346799A (en) | Ruthenium silicide diffusion barrier layers and methods of forming same | |
| JPH0765174B2 (ja) | 半導体ウェーハ上へのタングステン層のｃｖｄ蒸着方法 | |
| WO2004017365A3 (en) | Deposition of amorphous silicon-containing films | |
| EP0371854A3 (en) | Method for selectively depositing refractory metal on semiconductor substrates | |
| WO2003031679A3 (en) | Method for depositing metal layers employing sequential deposition techniques | |
| US6410986B1 (en) | Multi-layered titanium nitride barrier structure | |
| KR970018001A (ko) | 반도체 장치 내의 화학 증기 증착 알루미늄층의 제작 공정 | |
| KR970030381A (ko) | 알루미늄 접촉 형성을 위한 개선된 방법 | |
| KR0148325B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| TW201933395A (zh) | 電容、電容製作方法及半導體設備 | |
| US20070155164A1 (en) | Metal seed layer deposition | |
| KR970023750A (ko) | 반도체 기판의 표면상에 전도성 라인을 형성하는 방법 | |
| JP2768364B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP7057445B2 (ja) | キャパシタ、キャパシタの製造方法、及び半導体装置 | |
| JPH0236549A (ja) | 薄膜デバイス | |
| US6309963B1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| KR970072194A (ko) | 활발한 pvd 알루미늄으로서 cvd 알루미늄 선택성 손실을 극복하기 위한 처리방법 | |
| JPS6042822A (ja) | 多層構造の電極形成方法 | |
| JPH01230250A (ja) | Ｃｖｄ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |