KR920020646A - 반도체 장치의 다층 배선 공정 - Google Patents
반도체 장치의 다층 배선 공정 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 (a)-(e)는 본 발명에 따른 제조공정도이다.
Claims (2)
- 제1AℓSiCu 금속층상에 속층간 절연막을 증착하고 소정부분에 비하콘택홀을 형성하는 공저아과, 전면에 제1Mosi 박막층, AℓSi 박막층을 차례로 가열없이 스퍼터링으로 증착사키는 공정과, 그 위에 플로잉 될 정도의 온도를 유지하면서 AℓSi 박막층을 스퍼터링으로 재차 증착시키는 공정과, 상기 MoSi 박막층과 AℓSi박막층을 에치백하는 공정과, 전면에 제2 MoSi /제2 AℓSiCu /제3 MoSi 박막층을 스퍼터링으로 증착시키는 공정으로 이루어진 반도체 장치의 다층 배선 공정.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 및 제3MoSi 박막층의 형성은 가열없이 증착되며 상기 제2AℓSiCu 박막층의 형성은 100-250℃의 온도를 유지하면서 증착되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층 배선 공정.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005965A KR930011896B1 (ko) | 1991-04-13 | 1991-04-13 | 반도체 장치의 다층 배선방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019910005965A KR930011896B1 (ko) | 1991-04-13 | 1991-04-13 | 반도체 장치의 다층 배선방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920020646A true KR920020646A (ko) | 1992-11-21 |
| KR930011896B1 KR930011896B1 (ko) | 1993-12-22 |
Family
ID=19313257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005965A KR930011896B1 (ko) | 1991-04-13 | 1991-04-13 | 반도체 장치의 다층 배선방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930011896B1 (ko) |
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1991
- 1991-04-13 KR KR1019910005965A patent/KR930011896B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930011896B1 (ko) | 1993-12-22 |
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