KR920018966A - 반도체장치의 다층배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도~제2C도는 본 발명에 의한 다층배천 활성방법을 나타낸 공정순서도.
Claims (2)
- 반도체장치의 다층배선 형성방법에 있어서, 제1층의 알루미늄 박막, TiN으로된 장벽층 및 알루미늄으로된 완충용 배선막을 차례로 퇴적하고 사진식각공정에 의해 상기 막들의 적층구조로된 제1배선층을 형성하고 상기 제1배선층을 층간 절연막으로 피복하는 공정 ; 상기 층간 절연막에서 사진식각공정에 의해 개구를 형성하는 공정; 및 상기 개구형성후, 물리적 증법에 의해 알루미늄을 퇴적하고 사진 식각 공정에 의해 제2배선층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 완충용 배선막을 1000Å이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 다층배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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| KR940001396B1 KR940001396B1 (ko) | 1994-02-21 |
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1991
- 1991-03-20 KR KR1019910004398A patent/KR940001396B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR940001396B1 (ko) | 1994-02-21 |
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