KR930010731B1 - 다층 금속배선방법 및 그 구조 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

다층 금속배선방법 및 그 구조
제1a도 내지 d도는 본 발명의 다층 금속배선방법을 보인 공정도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 반도체 기판 2 : 제1금속배선
3, 5 : 폴리아미드 수지막 4 : 제2금속배선
6 : 패시베이션막
본 발명은 반도체 소자의 제조공정에서 3층 이상의 다층으로 금속을 배선하는 배선방법에 관한 것으로, 특히 제조된 반도체 소자가 일정온도 이상의 열을 받았을 경우에도 절연층이 끊어지거나 부풀어 오르는 형상 즉, 힐럭(hillock)현상을 방지할 수 있게 한 다층 금속배선방법 및 그 구조에 관한 것이다.
종래에는 제1금속배선층과 제2금속배선층 사이에 절연층으로 산화(SiO2)막 또는 질화산화(Si3N4)막등을 사용하고, 그 산화막 또는 질화산화막은 화학기상성장 (CVD)법으로 대략 6000-8000Å의 두께로 형성하였다.
그러나, SiO2또는 Si3N4막을 절연층으로 사용하여 다층으로 금속배선을 하는 것은 배선층수를 1-2층으로 형성할 경우에는 가능하나, 반도체 소자의 집적밀도가 증가함에 따라 3-5층으로 금속배선을 할 경우에 소자가 열을 받으면, 절연층이 끊어지거나 부풀어 오르게 되어 다층으로 금속배선을 할 수 없게 되는 결함이 있었다.
본 발명은 이와 같은 종래의 결함을 감안하여, 내열성이 높고, 절연내압이 높으며, 유연성 및 가공성이 좋은 폴리아미드(Polyamide)수지막을 절연층으로 사용하여 용이하게 다층으로 금속배선을 할 수 있게 창안한 것으로, 이를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제1도는 본 발명의 다층 금속 배선 방법을 보인 공정도로서, 제1a도에 도시한 바와 같이 반도체 기판(1)위에 패시베이션막(6)을 증착한 후 제1금속층 형성 부위를 개방시키고, 이후 제1b도에 도시한 바와 같이 알루미늄을 증착하여 제1금속배선(2)을 형성하며, 이후 제1c도에 도시한 바와 같이 소정의 점도 및 농도를 가진 미경화 상태의 폴리아미드 수지를 도포한 후 일정한 온도로 경화시켜 제1폴리아미드 수지막(3)을 형성하고, 포토에칭 방법으로 그 제1폴리아미드 수지막(3)의 제2금속층 형성부위를 개방시키며, 이후 제1d도에 도시한 바와 같이 알루미늄을 증착하여 제2금속배선(4)을 형성하고, 그 위에 상기와 같은 방법으로 제2폴리아미드 수지막(5)을 형성하여, 제 3 금속층 형성부위를 개방시킨다.
상기와 같은 방법을 순차로 수행함에 따라 3~5층으로 금속배선을 할 수 있다.
상기에서 절연층으로 사용되는 제1폴리아미드 수지막(3) 및 제2폴리아미드 수지막(5)은 내열성 및 절연 내압이 높으므로 열에 영향을 받지 않고, 절연상태가 완벽하게 유지됨과 아울러 그 접착력이 증가된다.
이상에서와 같은 본 발명은 내열성 및 절연 내압이 높음은 물론 유연성 및 가공성이 용이한 폴리아미드 수지막을 절연층으로 사용하여 금속배선을 하므로 절연층과 금속배선간의 접착력을 강하게 하고, 흡착성이 증가될 뿐만 아니라 다층으로 금속배선을 하여도 열에 의하여 소자가 파괴되는 현상을 제거하게 되는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 반도체 기판(1)위에 패시베이션막(6)을 증착하여 소정부위를 개방시킨 후 제1금속배선(2)을 형성하는 단계와, 상기 패시베이션막(6) 및 제1금속배선(2)위에 폴리아미드 수지를 도포하고 열경화시켜 제1폴리아미드 수지막(3)을 형성하는 단계와, 상기 제1폴리아미드 수지막(3)의 소정부위를 개방시킨 후 제2금속배선(4)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선방법.
  2. 반도체 기판(1)위에 패시베이션막(6)의 개재하에 제1금속배선(2)이 형성된 금속배선 구조에 있어서, 상기 패시베이션(6) 및 제1금속배선(2)위에 제1폴리아미드 수지막(3)을 형성시키고, 그 제1폴리아미드 수지막(3)의 소정개방부를 통해 제2금속배선(4)을 형성하여 구성된 것을 특징으로 하는 다층금속 배선구조.
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