KR950034690A - 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정에서 배선으로 사용되며 여러층으로 이루어지는 다중 금속층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 다층 절연막 상부에 알루미늄 금속을 스퍼터링하여 증착할 때 SOG막으로부터 방출되는 수분과 반응되어 생성되는 절연물질의 발생으로 인한 알루미늄 금속배선의 전기적 저항 증가를 방지하기 위하여 상부 금속층을 형성시키기 전에 티타늄(Titanium)계의 베리어 금속층(Barrier Metal Layer)을 형성시켜 상부 금속층 형성시 하부의 SOG막으로부터의 방출되는 수분(H2O)과 반응하여 생성되는 절연성분의 발생을 방지하므로써 알루미늄 금속배선의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A 내지 제2C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 다중금속층 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법에 있어서, 소자내부 집적층(3)이 형성된 실리콘 기판(1)의 불순물영역(2) 상부에 비아 홀을 형성하고 A1-1%Si을 증착하여 제1금속층(4)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 평탄화 및 절연을 위해 IMO(5), SOG막(6) 및 IMO(7)을 순차적으로 형성하여 다층 절연막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 상기 SOG막(6) 내부에 함유된 수분을 감소시키기 위해 N2가스 분위기의 SPCVD 반응로에서 열처리 공정을 진행하여 상기 SOG막(6)을 큐어링시키는 단계와, 상기 단계로부터 티타늄계의 금속을 스퍼터링 증착하여 베리어 금속층(8)을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 AL-1%Si을 층착하여 제2금속층(9)을 형성시킨 후 열처리 공정을 진행시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다층 절연막 형성후 열처리 공정은 300 내지 550。C의 온도 상태에서 60분간 진행시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 베리어 금속층(8)은 전기적 저항이 낮은 TiN 또는 TiW이 500 내지 1500A 두께로 증착된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940010006A KR950034690A (ko) | 1994-05-07 | 1994-05-07 | 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019940010006A KR950034690A (ko) | 1994-05-07 | 1994-05-07 | 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950034690A true KR950034690A (ko) | 1995-12-28 |
Family
ID=66682342
Family Applications (1)
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| KR1019940010006A KR950034690A (ko) | 1994-05-07 | 1994-05-07 | 반도체 소자의 다중 금속층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950034690A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447983B1 (ko) * | 1996-12-27 | 2004-11-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
| KR100802252B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2008-02-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
-
1994
- 1994-05-07 KR KR1019940010006A patent/KR950034690A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100447983B1 (ko) * | 1996-12-27 | 2004-11-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의제조방법 |
| KR100802252B1 (ko) * | 2001-12-26 | 2008-02-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
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