JPS63226946A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63226946A JPS63226946A JP6171587A JP6171587A JPS63226946A JP S63226946 A JPS63226946 A JP S63226946A JP 6171587 A JP6171587 A JP 6171587A JP 6171587 A JP6171587 A JP 6171587A JP S63226946 A JPS63226946 A JP S63226946A
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- film
- organic siloxane
- siloxane polymer
- polymer film
- insulating film
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- Granted
Links
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- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 23
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に多層配線の眉間絶縁膜
に有機シロキサン系ポリマー膜を有する半導体装置に関
する。
に有機シロキサン系ポリマー膜を有する半導体装置に関
する。
従来、この種の半導体装置は、有機シロキサン系ポリマ
ー膜もしくは有機シロキサン系ポリマー膜と他の無機絶
縁膜との多層構造を多層配線の眉間絶縁膜とすることに
より眉間絶縁膜を平坦化する構成となっていた。
ー膜もしくは有機シロキサン系ポリマー膜と他の無機絶
縁膜との多層構造を多層配線の眉間絶縁膜とすることに
より眉間絶縁膜を平坦化する構成となっていた。
しかしながら、有機シロキサン系ポリマー膜は、その上
層に形成される無機絶縁膜やＡｌ配線等の金属膜との密
着性が悪く、この密着性を改善するために、０２プラズ
マにより有機シロキサン系ポリマー膜の有機成分を解離
させ低炭素含有率にする方法がとられていた。
層に形成される無機絶縁膜やＡｌ配線等の金属膜との密
着性が悪く、この密着性を改善するために、０２プラズ
マにより有機シロキサン系ポリマー膜の有機成分を解離
させ低炭素含有率にする方法がとられていた。
上述した従来の半導体装置は、多層配線の眉間絶縁膜に
有機シロキサン系ポリマー膜を有する構成となっている
ので、この有機シロキサン系ポリマー膜はその上層の無
機絶縁膜や金属膜との密着性が悪いという欠点がある。
有機シロキサン系ポリマー膜を有する構成となっている
ので、この有機シロキサン系ポリマー膜はその上層の無
機絶縁膜や金属膜との密着性が悪いという欠点がある。
また、密着性改善のため０□プラズマにより有機シロキ
サン系ポリマー膜中の有機成分を解離し低炭素含有率に
する方法は、有機シロキサン系ポリマー膜全体の有機成
分が一様に解離するため、膜質が劣化し、クラック等が
発生するという欠点がある。
サン系ポリマー膜中の有機成分を解離し低炭素含有率に
する方法は、有機シロキサン系ポリマー膜全体の有機成
分が一様に解離するため、膜質が劣化し、クラック等が
発生するという欠点がある。
本発明の目的は、上層の無機絶縁膜や金属膜との密着性
がよく、かつ膜質の劣化やクラックの発生等を防止し信
頼性の高い半導体装置を提供することにある。
がよく、かつ膜質の劣化やクラックの発生等を防止し信
頼性の高い半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、多層配線の眉間絶縁膜が、有機
シロキサン系ポリマー膜もしくは該有機シロキサン系ポ
リマー膜と他の無機絶縁膜との多層構造からなる半導体
装置において、該有機シロキサン系ポリマー膜の膜表面
から特定の深さまでの探査含有率を該特定の深さより深
い部分の２分の１より小さい値にして構成される。
シロキサン系ポリマー膜もしくは該有機シロキサン系ポ
リマー膜と他の無機絶縁膜との多層構造からなる半導体
装置において、該有機シロキサン系ポリマー膜の膜表面
から特定の深さまでの探査含有率を該特定の深さより深
い部分の２分の１より小さい値にして構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
を説明するための製造工程順に示した半導体装置の断面
図である。
を説明するための製造工程順に示した半導体装置の断面
図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１上に形
成された絶縁膜２上に厚さ１．０μｍの第１のＡｆｆ配
線３を形成した後、全表面に有機シロキサン系ポリマー
溶液を塗布・焼成して、Ａｔ’配線３上の膜厚が約３０
００人となるように有機シロキサン系ポリマー膜４を形
成する。
成された絶縁膜２上に厚さ１．０μｍの第１のＡｆｆ配
線３を形成した後、全表面に有機シロキサン系ポリマー
溶液を塗布・焼成して、Ａｔ’配線３上の膜厚が約３０
００人となるように有機シロキサン系ポリマー膜４を形
成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、圧力０． ＩＴｏｒ
ｒ以下の０２プラズマ中で４５０℃、６０秒間熱処理を
施すことにより、膜表面から約１０００人の深さまで、
炭素濃度が減少して初期値の約２０％となった低炭素含
有率層５を形成する。
ｒ以下の０２プラズマ中で４５０℃、６０秒間熱処理を
施すことにより、膜表面から約１０００人の深さまで、
炭素濃度が減少して初期値の約２０％となった低炭素含
有率層５を形成する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、この全面にプラズマ
窒化ケイ素Ｍ６を約５０００人成長させ、所定のＡｔ’
配線３上を開孔し第２のＡｌ配線７を形成する構造とな
っている。
窒化ケイ素Ｍ６を約５０００人成長させ、所定のＡｔ’
配線３上を開孔し第２のＡｌ配線７を形成する構造とな
っている。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。
この実施例は有機シロキサン系ポリマー膜４゜と低炭素
含有率層のみで眉間絶縁膜を形成している他は第１の実
施例と同様の構造及び製造工程を有している。
含有率層のみで眉間絶縁膜を形成している他は第１の実
施例と同様の構造及び製造工程を有している。
これら実施例においては、有機シロキサン系ポリマー膜
４，４．の膜表面の近傍のみを有機成分を解離して低炭
素含有率にしているので、膜質の劣化やクラックの発生
はなく、かつ上層の無機絶縁膜やＡＩ！配線との密着性
が向上する。
４，４．の膜表面の近傍のみを有機成分を解離して低炭
素含有率にしているので、膜質の劣化やクラックの発生
はなく、かつ上層の無機絶縁膜やＡＩ！配線との密着性
が向上する。
以上説明したように本発明は、有機シロキサン系ポリマ
ー膜の膜表面近傍のみを有機成分を解離し低炭素含有率
にすることにより、膜質の劣化やクラックの発生なしに
上層の無機絶縁膜やＡｌ配線との密着性を向上させるこ
とができ、信頼性の向上をはかることができる効果があ
る。
ー膜の膜表面近傍のみを有機成分を解離し低炭素含有率
にすることにより、膜質の劣化やクラックの発生なしに
上層の無機絶縁膜やＡｌ配線との密着性を向上させるこ
とができ、信頼性の向上をはかることができる効果があ
る。
第１図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
を説明するための製造工程順に示した半導体装置の断面
図、第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である
。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・Ａｌ配
線、４．４．・・・有機シロキサン系ポリマー膜、５゜
５１・・・低炭素含有率層、６・・・プラズマ窒化ケイ
素膜、７，７．・・・Ａｌ配線。 手 ｆＷＪ ＄ ２ 回
を説明するための製造工程順に示した半導体装置の断面
図、第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である
。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・Ａｌ配
線、４．４．・・・有機シロキサン系ポリマー膜、５゜
５１・・・低炭素含有率層、６・・・プラズマ窒化ケイ
素膜、７，７．・・・Ａｌ配線。 手 ｆＷＪ ＄ ２ 回
Claims (2)
- （１）多層配線の層間絶縁膜が、有機シロキサン系ポリ
マー膜もしくは該有機シロキサン系ポリマー膜と他の無
機絶縁膜との多層構造からなる半導体装置において、該
有機シロキサン系ポリマー膜の膜表面から特定の深さま
での炭素含有率を該特定の深さより深い部分の２分の１
より小さい値にしたことを特徴とする半導体装置。 - （２）有機シロキサン系ポリマー膜の膜表面から特定の
深さまでの厚さを２０００Åより小さい値にした特許請
求の範囲第（１）項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6171587A JPS63226946A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6171587A JPS63226946A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226946A true JPS63226946A (ja) | 1988-09-21 |
| JPH0567068B2 JPH0567068B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=13179200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6171587A Granted JPS63226946A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226946A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03222426A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-01 | Yamaha Corp | 多層配線形成法 |
| JP2003068847A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着力測定方法、積層膜及び半導体素子 |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP6171587A patent/JPS63226946A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03222426A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-10-01 | Yamaha Corp | 多層配線形成法 |
| JP2518435B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1996-07-24 | ヤマハ株式会社 | 多層配線形成法 |
| JP2003068847A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着力測定方法、積層膜及び半導体素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0567068B2 (ja) | 1993-09-24 |
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