JPS63275118A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63275118A JPS63275118A JP11181687A JP11181687A JPS63275118A JP S63275118 A JPS63275118 A JP S63275118A JP 11181687 A JP11181687 A JP 11181687A JP 11181687 A JP11181687 A JP 11181687A JP S63275118 A JPS63275118 A JP S63275118A
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- organic siloxane
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に多層金属配
線層間の眉間絶縁層が有機シロキサン系ポリマー層又は
有機シロキサン系ポリマー層と無機絶縁膜とで形成され
た構造の半導体装置の製造方法に関する。
線層間の眉間絶縁層が有機シロキサン系ポリマー層又は
有機シロキサン系ポリマー層と無機絶縁膜とで形成され
た構造の半導体装置の製造方法に関する。
多層金属配線層を有する半導体装置は、その眉間絶縁層
を有機シロキサン系ポリマー層もしくは、有機シロキサ
ン系ポリマー層と他の無機絶縁膜との多層構造体とする
ことにより平坦化が行なわれている。
を有機シロキサン系ポリマー層もしくは、有機シロキサ
ン系ポリマー層と他の無機絶縁膜との多層構造体とする
ことにより平坦化が行なわれている。
従来、この種の半導体装置の製造方法は、有機シロキサ
ン系ポリマー層の有機成分が上層の金属配線層又は無機
絶縁膜との結合を妨げ、密着性が悪くなるので、これを
改善するために０２プラスマにより有機シロキサン系ポ
リマー層の有機成分を解離する方法が行なわれている。
ン系ポリマー層の有機成分が上層の金属配線層又は無機
絶縁膜との結合を妨げ、密着性が悪くなるので、これを
改善するために０２プラスマにより有機シロキサン系ポ
リマー層の有機成分を解離する方法が行なわれている。
上述した従来の半導体装置の製造方法は、有機シロキサ
ン系ポリマー層の密着性を改善するために０２プラズマ
により有機シロキサン系ポリマー層中の有機成分を解離
する方法を使用しているので、この方法では第４図に示
すように、有機シロキサン系ポリマー層中の有機成分が
均一に解離するために、膜質の劣化やクラックが発生す
るという欠点があった。
ン系ポリマー層の密着性を改善するために０２プラズマ
により有機シロキサン系ポリマー層中の有機成分を解離
する方法を使用しているので、この方法では第４図に示
すように、有機シロキサン系ポリマー層中の有機成分が
均一に解離するために、膜質の劣化やクラックが発生す
るという欠点があった。
本発明の目的は、有機シロキサン系ポリマー層の膜質の
劣化やクラックの発生を防止し、かつ密着性を高くする
ことができる半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
劣化やクラックの発生を防止し、かつ密着性を高くする
ことができる半導体装置の製造方法を提供することにあ
る。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁
膜を介して第１の金属配線層を形成する工程と、この第
１の金属配線層上に有機シロキサン系ポリマー層を形成
する工程と、この有機シロキサン系ポリマー層上からＱ
、Ｑ５Ｔｏｒｒを越えないガス圧力の０２反応性イオン
エツチングを行い前記有機シロキサン系ポリマー層の表
面付近の有機成分を解離させる工程と、前記表面付近の
有機成分を解離させた有機シロキサン系ポリマー層上に
直接又は無機絶縁膜を介して第２の金属配線層を形成す
る工程とを含んで構成される。
膜を介して第１の金属配線層を形成する工程と、この第
１の金属配線層上に有機シロキサン系ポリマー層を形成
する工程と、この有機シロキサン系ポリマー層上からＱ
、Ｑ５Ｔｏｒｒを越えないガス圧力の０２反応性イオン
エツチングを行い前記有機シロキサン系ポリマー層の表
面付近の有機成分を解離させる工程と、前記表面付近の
有機成分を解離させた有機シロキサン系ポリマー層上に
直接又は無機絶縁膜を介して第２の金属配線層を形成す
る工程とを含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
を説明するための製造工程順に示した半導体装置の断面
図である。
を説明するための製造工程順に示した半導体装置の断面
図である。
ます、第１図（ａ）に示すように、半導体基板１上に形
成された絶縁膜２上に、厚さ約１０μｍの第１のＡｅ配
線層３を形成し、この全面に有機シロキサン系ポリマー
溶液を塗布・焼成し第１のＡｅ配線層３の配線上の膜厚
が約３０００人となるように有機シロキサ系ポリマー層
４を形成する。
成された絶縁膜２上に、厚さ約１０μｍの第１のＡｅ配
線層３を形成し、この全面に有機シロキサン系ポリマー
溶液を塗布・焼成し第１のＡｅ配線層３の配線上の膜厚
が約３０００人となるように有機シロキサ系ポリマー層
４を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、有機シロキサン系ポ
リマー層４の上方から全面に、０，０５Ｔ ｏ ｒ ｒ
を越えないガス圧力、例えば０．０１Ｔｏｒｒのガス圧
力の０２反応性イオンエツチングを行ない、有機シロキ
サン系ポリマー層４の表面付近の有機成分を解離させる
。エツチング量は平坦性を失わないように１００〜３０
００人が妥当である。
リマー層４の上方から全面に、０，０５Ｔ ｏ ｒ ｒ
を越えないガス圧力、例えば０．０１Ｔｏｒｒのガス圧
力の０２反応性イオンエツチングを行ない、有機シロキ
サン系ポリマー層４の表面付近の有機成分を解離させる
。エツチング量は平坦性を失わないように１００〜３０
００人が妥当である。
次に、第１図（ｃ）に示すように１、全面にプラズマ窒
化珪素膜５を厚さ約５０００人成長させて所定の位置に
第１のＡ！配線層３と接続するためのスルーホールを開
孔し、第２のＡｅ配線層６を形成する。
化珪素膜５を厚さ約５０００人成長させて所定の位置に
第１のＡ！配線層３と接続するためのスルーホールを開
孔し、第２のＡｅ配線層６を形成する。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための半導体
装置の断面図である。
装置の断面図である。
この第２の実施例は、有機シロキサン成ポリマー層４ａ
単層で層間絶縁膜を成形しているほかは第１の実施例と
同様である。
単層で層間絶縁膜を成形しているほかは第１の実施例と
同様である。
第３図は本発明を適用したときの有機シロキサン系ポリ
マー層４．４ａの有機成分の解離状況を示す有機成分濃
度分布図である。
マー層４．４ａの有機成分の解離状況を示す有機成分濃
度分布図である。
第３図において、有機シロキサン系ポリマー層４．４ａ
の焼成時の炭素含有量を１．０とし、０．０ＩＴｏｒｒ
ガス圧力の０２反応性イオンエツチング後の表面からの
深さに対する相対的な炭素含有量が示されている。
の焼成時の炭素含有量を１．０とし、０．０ＩＴｏｒｒ
ガス圧力の０２反応性イオンエツチング後の表面からの
深さに対する相対的な炭素含有量が示されている。
第３図から分るように、表面付近の炭素含有量は小さく
なっており、従って表面の密着性を向上させることがで
きる。
なっており、従って表面の密着性を向上させることがで
きる。
以上説明したように本発明は、０．０５７ｏｒｒを越え
ないガス圧力で有機シロキサン系ポリマー層の表面を０
２反応性イオンエツチングし有機成分を解離させる構成
とすることにより、表面付近だけ有機成分を解離するこ
とができるので、有機シロキサン系ポリマー層の膜質の
劣化やクラックの発生を防止することができ、かつ無機
絶縁膜や金属配線層との密着性が高い半導体装置を得る
ことができる効果がある。
ないガス圧力で有機シロキサン系ポリマー層の表面を０
２反応性イオンエツチングし有機成分を解離させる構成
とすることにより、表面付近だけ有機成分を解離するこ
とができるので、有機シロキサン系ポリマー層の膜質の
劣化やクラックの発生を防止することができ、かつ無機
絶縁膜や金属配線層との密着性が高い半導体装置を得る
ことができる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の第１の実施例
を説明するための製造工程順に示した半導体装置の断面
図、第２図は本発明の第２の実施例を説明するための半
導体装置の断面図、第３図は本発明を適用したときの有
機シロキサン系ポリマー層の有機成分の解離状況を示す
有機成分濃度分布図、第４図は従来の半導体装置の製造
方法を適用したときの有機シロキサン系ポリマー層の有
機成分の解離状況を示す有機成分濃度分布図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・Ａ！配
線層、４，４ａ・・・有機シロキサン系ポリマー層、５
・・・プラズマ窒化珪素膜、６，６ａ・・・Ａｅ配線層
。
を説明するための製造工程順に示した半導体装置の断面
図、第２図は本発明の第２の実施例を説明するための半
導体装置の断面図、第３図は本発明を適用したときの有
機シロキサン系ポリマー層の有機成分の解離状況を示す
有機成分濃度分布図、第４図は従来の半導体装置の製造
方法を適用したときの有機シロキサン系ポリマー層の有
機成分の解離状況を示す有機成分濃度分布図である。 １・・・半導体基板、２・・・絶縁膜、３・・・Ａ！配
線層、４，４ａ・・・有機シロキサン系ポリマー層、５
・・・プラズマ窒化珪素膜、６，６ａ・・・Ａｅ配線層
。
Claims (1)
- 半導体基板上に絶縁膜を介して第１の金属配線層を形成
する工程と、この第１の金属配線層上に有機シロキサン
系ポリマー層を形成する工程と、この有機シロキサン系
ポリマー層上から０．０５Ｔｏｒｒを越えないガス圧力
のＯ＿２反応性イオンエッチングを行い前記有機シロキ
サン系ポリマー層の表面付近の有機成分を解離させる工
程と、前記表面付近の有機成分を解離させた有機シロキ
サン系ポリマー層上に直接又は無機絶縁膜を介して第２
の金属配線層を形成する工程とを含むことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181687A JPS63275118A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11181687A JPS63275118A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63275118A true JPS63275118A (ja) | 1988-11-11 |
Family
ID=14570877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11181687A Pending JPS63275118A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63275118A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582043A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 多層配線層の形成方法 |
| JPS59152629A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成方法 |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP11181687A patent/JPS63275118A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582043A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Fujitsu Ltd | 多層配線層の形成方法 |
| JPS59152629A (ja) * | 1983-02-21 | 1984-08-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | パタン形成方法 |
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