JPH06216116A - シリコーン樹脂による絶縁膜形成方法 - Google Patents
シリコーン樹脂による絶縁膜形成方法Info
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- JPH06216116A JPH06216116A JP5019689A JP1968993A JPH06216116A JP H06216116 A JPH06216116 A JP H06216116A JP 5019689 A JP5019689 A JP 5019689A JP 1968993 A JP1968993 A JP 1968993A JP H06216116 A JPH06216116 A JP H06216116A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗
布形成して絶縁膜を形成する場合も樹脂同士の密着性を
改善し、塗布むらや、膜剥がれの発生を解消し、樹脂を
複数回重ねて塗布形成することの平坦性向上の利点を生
かした絶縁膜形成方法を提供する。 【構成】 有機系のシリコーン樹脂（ＳＯＧ）１
ａ，１ｂを複数回重ねて塗布形成する際、下層の有機系
のシリコーン樹脂の少なくとも１層１ａに、酸素プラズ
マ処理等の無機化雰囲気でのプラズマ処理等で表面無機
化処理を施す。
布形成して絶縁膜を形成する場合も樹脂同士の密着性を
改善し、塗布むらや、膜剥がれの発生を解消し、樹脂を
複数回重ねて塗布形成することの平坦性向上の利点を生
かした絶縁膜形成方法を提供する。 【構成】 有機系のシリコーン樹脂（ＳＯＧ）１
ａ，１ｂを複数回重ねて塗布形成する際、下層の有機系
のシリコーン樹脂の少なくとも１層１ａに、酸素プラズ
マ処理等の無機化雰囲気でのプラズマ処理等で表面無機
化処理を施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコーン樹脂による
絶縁膜形成方法に関する。本発明は、例えば、電子材料
（半導体装置など）の形成の際有機系のシリコーン樹脂
により絶縁膜を形成する場合に利用することができる。
絶縁膜形成方法に関する。本発明は、例えば、電子材料
（半導体装置など）の形成の際有機系のシリコーン樹脂
により絶縁膜を形成する場合に利用することができる。
【０００２】
【従来の技術及びその問題点】従来より、半導体装置に
用いる塗布型の絶縁膜形成材料として、有機系のシリコ
ーン樹脂が用いられている。有機シリコーン樹脂は、無
機系シリコーン塗布剤に比しても熱収縮率が小さくので
クラックを発生させることなく厚塗りすることが可能
で、よって平坦化に好適であり、有利に使用されている
（特開平２−１０６９４８号、同３−１５５６３０号、
同３−２５２１３９号等）。
用いる塗布型の絶縁膜形成材料として、有機系のシリコ
ーン樹脂が用いられている。有機シリコーン樹脂は、無
機系シリコーン塗布剤に比しても熱収縮率が小さくので
クラックを発生させることなく厚塗りすることが可能
で、よって平坦化に好適であり、有利に使用されている
（特開平２−１０６９４８号、同３−１５５６３０号、
同３−２５２１３９号等）。
【０００３】しかしながら、この有機系のシリコーン樹
脂と言えども、例えば微細化が進むにつれ、平坦性が必
ずしも十分ではなくなって来ている。このため、有機シ
リコーン樹脂を、２度連続してコーティングする技術が
提案されている（例えば、特開平３−２６１１４５号に
記載の技術参照）。
脂と言えども、例えば微細化が進むにつれ、平坦性が必
ずしも十分ではなくなって来ている。このため、有機シ
リコーン樹脂を、２度連続してコーティングする技術が
提案されている（例えば、特開平３−２６１１４５号に
記載の技術参照）。
【０００４】ところが、有機シリコーン樹脂を２層以上
直接積層して塗布形成する場合、下層の有機シリコーン
樹脂と、上層の有機シリコーン樹脂との密着性が悪く、
塗布むらが生じたり、膜剥がれが発生することがある。
有機シリコーン樹脂利用技術において、異種材料の下地
との密着性を改善する提案例はあるが（特開平３−１５
５６３０号、同３−２５２１３９号）、有機シリコーン
樹脂同士については、密着性の問題は指摘されたことは
なく、また、その改善策の提案もなされていない。
直接積層して塗布形成する場合、下層の有機シリコーン
樹脂と、上層の有機シリコーン樹脂との密着性が悪く、
塗布むらが生じたり、膜剥がれが発生することがある。
有機シリコーン樹脂利用技術において、異種材料の下地
との密着性を改善する提案例はあるが（特開平３−１５
５６３０号、同３−２５２１３９号）、有機シリコーン
樹脂同士については、密着性の問題は指摘されたことは
なく、また、その改善策の提案もなされていない。
【０００５】
【発明の目的】本発明は、上述した問題点を解決して、
有機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗布形成して絶
縁膜を形成する場合においても、有機系のシリコーン樹
脂同士の密着性を改善し、塗布むらや、膜剥がれの発生
と言った不都合を解消し、よって有機系のシリコーン樹
脂を複数回重ねて塗布形成することの平坦性向上と言う
利点を十分に生かしつつ、複数回の重層塗布に伴う上記
難点を解決した有利なシリコーン樹脂による絶縁膜形成
方法を提供することを目的とする。
有機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗布形成して絶
縁膜を形成する場合においても、有機系のシリコーン樹
脂同士の密着性を改善し、塗布むらや、膜剥がれの発生
と言った不都合を解消し、よって有機系のシリコーン樹
脂を複数回重ねて塗布形成することの平坦性向上と言う
利点を十分に生かしつつ、複数回の重層塗布に伴う上記
難点を解決した有利なシリコーン樹脂による絶縁膜形成
方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本出願の請求項１の発
明は、有機系のシリコーン樹脂により絶縁膜を形成する
とともに、有機系のシリコーン樹脂は複数回重ねて塗布
形成する絶縁膜形成方法において、有機系のシリコーン
樹脂が重ねて塗布される下層の有機系のシリコーン樹脂
の少なくとも１層は、表面無機化処理されていることを
特徴とするシリコーン樹脂による絶縁膜形成方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
明は、有機系のシリコーン樹脂により絶縁膜を形成する
とともに、有機系のシリコーン樹脂は複数回重ねて塗布
形成する絶縁膜形成方法において、有機系のシリコーン
樹脂が重ねて塗布される下層の有機系のシリコーン樹脂
の少なくとも１層は、表面無機化処理されていることを
特徴とするシリコーン樹脂による絶縁膜形成方法であっ
て、これにより上記目的を達成するものである。
【０００７】本出願の請求項２の発明は、表面無機化処
理が、無機化雰囲気でのプラズマ処理であることを特徴
とする請求項１に記載のシリコーン樹脂による絶縁膜形
成方法であって、これにより上記目的を達成するもので
ある。
理が、無機化雰囲気でのプラズマ処理であることを特徴
とする請求項１に記載のシリコーン樹脂による絶縁膜形
成方法であって、これにより上記目的を達成するもので
ある。
【０００８】本出願の発明において、有機系のシリコー
ン樹脂とは、アルキル基等の有機基を分子構造中に有す
るＳｉ含有樹脂を言う。ＳＯＧ（スピンオングラース）
と称され、また、シリケートグラースなどと称されてい
るものを任意に選択して用いることができる。これらは
多くは、メチル基と酸素を含むＳｉ含有樹脂である。こ
れらは通常、有機溶剤に溶解されて、塗布可能に調製さ
れている。
ン樹脂とは、アルキル基等の有機基を分子構造中に有す
るＳｉ含有樹脂を言う。ＳＯＧ（スピンオングラース）
と称され、また、シリケートグラースなどと称されてい
るものを任意に選択して用いることができる。これらは
多くは、メチル基と酸素を含むＳｉ含有樹脂である。こ
れらは通常、有機溶剤に溶解されて、塗布可能に調製さ
れている。
【０００９】本発明において、表面無機化処理とは、塗
布した有機系のシリコーン樹脂層の少なくとも表面を、
何らかの手段により無機化することを言う。無機化の構
成は、化学的にも物理的にも任意である。例えば化学的
には、酸化による無機化（有機系のシリコーン樹脂層の
表面は主として二酸化シリコンになると考えられる）で
も、窒化による無機化（有機系のシリコーン樹脂層の表
面は主として四窒化三シリコンになると考えられる）で
も、その他任意である。例えば物理的には、熱による処
理でも、活性エネルギー線による処理でも、その他任意
である。
布した有機系のシリコーン樹脂層の少なくとも表面を、
何らかの手段により無機化することを言う。無機化の構
成は、化学的にも物理的にも任意である。例えば化学的
には、酸化による無機化（有機系のシリコーン樹脂層の
表面は主として二酸化シリコンになると考えられる）で
も、窒化による無機化（有機系のシリコーン樹脂層の表
面は主として四窒化三シリコンになると考えられる）で
も、その他任意である。例えば物理的には、熱による処
理でも、活性エネルギー線による処理でも、その他任意
である。
【００１０】本出願の請求項２の発明において、無機化
雰囲気でのプラズマ処理とは、例えば酸化性のガス（酸
素等）や、窒化性のガス（窒素等）など、有機系のシリ
コーン樹脂の少なくとも表面を無機化する雰囲気下で、
プラズマ処理を行うことを言う。
雰囲気でのプラズマ処理とは、例えば酸化性のガス（酸
素等）や、窒化性のガス（窒素等）など、有機系のシリ
コーン樹脂の少なくとも表面を無機化する雰囲気下で、
プラズマ処理を行うことを言う。
【００１１】本出願の発明について、図１に例示する本
発明の構成例を参照して説明すると、次のとおりであ
る。即ち、本発明の絶縁膜形成方法は、図１（ｃ）に例
示のように、有機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗
布形成する（図示例では符号１ａ，１ｂで、重ねて塗布
形成した有機系のシリコーン樹脂層を示す）とともに、
有機系のシリコーン樹脂が重ねて塗布される下層の有機
系のシリコーン樹脂の少なくとも１層（図示例では符号
１ａで示す下層有機系のシリコーン樹脂層）は、表面無
機化処理されていることを特徴とするものである。下層
有機系のシリコーン樹脂層１ａ形成後（図１（ａ））
の、該下層有機系のシリコーン樹脂層１ａの表面無機化
処理を、図１（ｂ）に模式的に符号２で示す。表面無機
化処理は、例えばプラズマ処理等であってよい。図１
中、符号３は基板、４は配線、５は層間絶縁膜を示す。
発明の構成例を参照して説明すると、次のとおりであ
る。即ち、本発明の絶縁膜形成方法は、図１（ｃ）に例
示のように、有機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗
布形成する（図示例では符号１ａ，１ｂで、重ねて塗布
形成した有機系のシリコーン樹脂層を示す）とともに、
有機系のシリコーン樹脂が重ねて塗布される下層の有機
系のシリコーン樹脂の少なくとも１層（図示例では符号
１ａで示す下層有機系のシリコーン樹脂層）は、表面無
機化処理されていることを特徴とするものである。下層
有機系のシリコーン樹脂層１ａ形成後（図１（ａ））
の、該下層有機系のシリコーン樹脂層１ａの表面無機化
処理を、図１（ｂ）に模式的に符号２で示す。表面無機
化処理は、例えばプラズマ処理等であってよい。図１
中、符号３は基板、４は配線、５は層間絶縁膜を示す。
【００１２】
【作用】本出願の発明によれば、有機系のシリコーン樹
脂層（図１の例示のシリコーン樹脂層１ｂ）が塗布され
るべき下層の有機系のシリコーン樹脂の少なくともいず
れか（図１の例示では下層シリコーン樹脂層１ａ）は表
面無機化処理されているので、該表面のシリコーン樹脂
の密着性は良好になっている。よってその上に有機系の
シリコーン樹脂を塗布形成すると密着性良くシリコーン
樹脂層（シリコーン樹脂層１ｂ）が形成される。このよ
うに有機系のシリコーン樹脂同士の密着性が向上し、こ
の結果、塗布むらや、膜剥がれの発生と言った不都合を
防止できる。有機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗
布形成することの平坦性向上と言う利点は十分に発揮さ
れる。
脂層（図１の例示のシリコーン樹脂層１ｂ）が塗布され
るべき下層の有機系のシリコーン樹脂の少なくともいず
れか（図１の例示では下層シリコーン樹脂層１ａ）は表
面無機化処理されているので、該表面のシリコーン樹脂
の密着性は良好になっている。よってその上に有機系の
シリコーン樹脂を塗布形成すると密着性良くシリコーン
樹脂層（シリコーン樹脂層１ｂ）が形成される。このよ
うに有機系のシリコーン樹脂同士の密着性が向上し、こ
の結果、塗布むらや、膜剥がれの発生と言った不都合を
防止できる。有機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗
布形成することの平坦性向上と言う利点は十分に発揮さ
れる。
【００１３】本出願の請求項２の発明によれば、表面無
機化処理は無機化雰囲気でのプラズマ処理によって行う
ので、上層の有機系のシリコーン樹脂の密着性を良好に
する下層有機系のシリコーン樹脂表面処理を確実に実施
することができる。例えば酸素イオンリッチの条件で酸
素プラズマ処理を行うと、密着性の良い、かつ表面のみ
の無機化処理が有効に達成される。この場合の作用は必
ずしも明らかではないが、酸素ラジカルが有機系のシリ
コーン樹脂層の内部にまで到達してクラック発生のおそ
れあるもろい状態にしてしまうのに対し、酸素イオンは
表面のみを良好に無機化して、その無機化層が酸素イオ
ンの進入を阻止するバリヤの如き作用を示すためではな
いかと推定される。無機化雰囲気でのプラズマ処理は、
低圧の方が一般には有利である。これも、被処理面に至
る酸素イオン等のイオン分が多くなり、これが好結果を
もたらすのではないかと推定される。
機化処理は無機化雰囲気でのプラズマ処理によって行う
ので、上層の有機系のシリコーン樹脂の密着性を良好に
する下層有機系のシリコーン樹脂表面処理を確実に実施
することができる。例えば酸素イオンリッチの条件で酸
素プラズマ処理を行うと、密着性の良い、かつ表面のみ
の無機化処理が有効に達成される。この場合の作用は必
ずしも明らかではないが、酸素ラジカルが有機系のシリ
コーン樹脂層の内部にまで到達してクラック発生のおそ
れあるもろい状態にしてしまうのに対し、酸素イオンは
表面のみを良好に無機化して、その無機化層が酸素イオ
ンの進入を阻止するバリヤの如き作用を示すためではな
いかと推定される。無機化雰囲気でのプラズマ処理は、
低圧の方が一般には有利である。これも、被処理面に至
る酸素イオン等のイオン分が多くなり、これが好結果を
もたらすのではないかと推定される。
【００１４】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定を受けるものではない。
て説明する。なお当然のことではあるが、本発明は実施
例により限定を受けるものではない。
【００１５】実施例１ この実施例は、本発明を、シリコン基板等の半導体基板
上に有機系のシリコーン樹脂であるＳＯＧを塗布して絶
縁膜とする場合に、適用した。図２ないし図７を参照し
て以下説明する。
上に有機系のシリコーン樹脂であるＳＯＧを塗布して絶
縁膜とする場合に、適用した。図２ないし図７を参照し
て以下説明する。
【００１６】本実施例においては、半導体基板３上にあ
らかじめ第１の配線パターン４（下層配線）を形成した
ものを絶縁膜形成用基板として用い（図２）、この上に
ＳｉＯ2 等の絶縁膜５をＣＶＤ等の手段で形成し（図
３）、更に有機系のシリコーン樹脂１ａ（ＳＯＧ）をス
ピンコート等で塗布し（図４）、ベーキングした後酸素
プラズマを照射してシリコーン樹脂１ａの表面を無機化
し（図４）、更に有機系のシリコーン樹脂１ｂ（ＳＯ
Ｇ）をスピンコート等で塗布して絶縁膜を形成する態様
で本発明を実施した。
らかじめ第１の配線パターン４（下層配線）を形成した
ものを絶縁膜形成用基板として用い（図２）、この上に
ＳｉＯ2 等の絶縁膜５をＣＶＤ等の手段で形成し（図
３）、更に有機系のシリコーン樹脂１ａ（ＳＯＧ）をス
ピンコート等で塗布し（図４）、ベーキングした後酸素
プラズマを照射してシリコーン樹脂１ａの表面を無機化
し（図４）、更に有機系のシリコーン樹脂１ｂ（ＳＯ
Ｇ）をスピンコート等で塗布して絶縁膜を形成する態様
で本発明を実施した。
【００１７】本実施例について図２ないし図７を参照し
て更に詳しく説明すると、次のとおりである。まず、図
２は、その内部に半導体装置が組み込まれ、その表面に
配線パターン４が形成された絶縁膜形成用基板３を示す
ものである。
て更に詳しく説明すると、次のとおりである。まず、図
２は、その内部に半導体装置が組み込まれ、その表面に
配線パターン４が形成された絶縁膜形成用基板３を示す
ものである。
【００１８】次に上記絶縁膜形成用基板にプラズマＣＶ
Ｄ技術を用い、絶縁膜５としてここではＳｉＯ2 を４０
０ｎｍの厚さで形成して、図３の構成とした。
Ｄ技術を用い、絶縁膜５としてここではＳｉＯ2 を４０
０ｎｍの厚さで形成して、図３の構成とした。
【００１９】上記図３の構成とした基板上に、平坦化を
目的として、有機系のシリコーン樹脂１ａ（有機ＳＯ
Ｇ）をスピンコートし、１５０°Ｃ、２００°Ｃ、２５
０°Ｃ各１分でベーキングして図４の構成とした。
目的として、有機系のシリコーン樹脂１ａ（有機ＳＯ
Ｇ）をスピンコートし、１５０°Ｃ、２００°Ｃ、２５
０°Ｃ各１分でベーキングして図４の構成とした。
【００２０】次に、得られた図４の構造に、図５に模式
的に示すように、密着性の改善を目的として、酸素プラ
ズマ２を照射した。本実施例において、この処理は、平
行平板型のＲＩＥ装置で行った。条件は、酸素流量１０
０ｓｃｃｍ、圧力０．１Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー２００
Ｗ、１分とした。酸素プラズマ２の照射は、どの装置を
用いる場合も、低圧で行うことが望ましく、通常０．３
Ｔｏｒｒ以下が好ましく、特に０．１Ｔｏｒｒ以下（放
電可能な限り）が好ましいので、ここでは圧力０．１Ｔ
ｏｒｒとして実施したのである。酸素に希釈ガスを加え
てもよく、作用には影響はない。
的に示すように、密着性の改善を目的として、酸素プラ
ズマ２を照射した。本実施例において、この処理は、平
行平板型のＲＩＥ装置で行った。条件は、酸素流量１０
０ｓｃｃｍ、圧力０．１Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー２００
Ｗ、１分とした。酸素プラズマ２の照射は、どの装置を
用いる場合も、低圧で行うことが望ましく、通常０．３
Ｔｏｒｒ以下が好ましく、特に０．１Ｔｏｒｒ以下（放
電可能な限り）が好ましいので、ここでは圧力０．１Ｔ
ｏｒｒとして実施したのである。酸素に希釈ガスを加え
てもよく、作用には影響はない。
【００２１】上記密着性の改善を目的とした酸素プラズ
マ照射ののち、更なる平坦化を目的として、有機系のシ
リコーン樹脂１ｂ（有機ＳＯＧ）をスピンコートした。
これにより図６の構造を得た。平坦性は大幅に改善され
るとともに、この上層の有機系のシリコーン樹脂１ｂ
（有機ＳＯＧ）の塗布形成は、下層の有機系のシリコー
ン樹脂１ａ（有機ＳＯＧ）と極めて密着性良好になされ
た。即ち、上層の有機系のシリコーン樹脂１ｂ（有機Ｓ
ＯＧ）の塗布時に塗布むらは生じず、また膜剥がれの発
生もなかった。
マ照射ののち、更なる平坦化を目的として、有機系のシ
リコーン樹脂１ｂ（有機ＳＯＧ）をスピンコートした。
これにより図６の構造を得た。平坦性は大幅に改善され
るとともに、この上層の有機系のシリコーン樹脂１ｂ
（有機ＳＯＧ）の塗布形成は、下層の有機系のシリコー
ン樹脂１ａ（有機ＳＯＧ）と極めて密着性良好になされ
た。即ち、上層の有機系のシリコーン樹脂１ｂ（有機Ｓ
ＯＧ）の塗布時に塗布むらは生じず、また膜剥がれの発
生もなかった。
【００２２】次に上記図６の構造について、通常の方法
でシリコーン樹脂１ａ，１ｂ（有機ＳＯＧ）をエッチバ
ックし、更にＣＶＤ技術を用い、上層の絶縁膜６として
ＳｉＯ2 を形成した。得られた構造を図７に示す。この
状態で、層間膜の形成が完了する。
でシリコーン樹脂１ａ，１ｂ（有機ＳＯＧ）をエッチバ
ックし、更にＣＶＤ技術を用い、上層の絶縁膜６として
ＳｉＯ2 を形成した。得られた構造を図７に示す。この
状態で、層間膜の形成が完了する。
【００２３】本実施例によれば、下層の有機系のシリコ
ーン樹脂１ａ（有機ＳＯＧ）と上層の有機系のシリコー
ン樹脂１ｂ（有機ＳＯＧ）との密着性が向上し、上層の
有機系のシリコーン樹脂１ｂ（有機ＳＯＧ）の塗布時に
塗布むらが発生しない。また膜剥がれの発生も防止でき
るため、製品の歩留りが向上した。比較として、酸素プ
ラズマ２の照射処理（図５）を行わず、そのほかについ
ては上記と全く同様にして有機系のシリコーン樹脂を２
層重層塗布して絶縁膜を形成してみた。その結果、上層
の有機系のシリコーン樹脂（有機ＳＯＧ）を塗布したと
き、塗布むらが発生した。更に、密着性が悪いため、膜
剥がれが生じた。
ーン樹脂１ａ（有機ＳＯＧ）と上層の有機系のシリコー
ン樹脂１ｂ（有機ＳＯＧ）との密着性が向上し、上層の
有機系のシリコーン樹脂１ｂ（有機ＳＯＧ）の塗布時に
塗布むらが発生しない。また膜剥がれの発生も防止でき
るため、製品の歩留りが向上した。比較として、酸素プ
ラズマ２の照射処理（図５）を行わず、そのほかについ
ては上記と全く同様にして有機系のシリコーン樹脂を２
層重層塗布して絶縁膜を形成してみた。その結果、上層
の有機系のシリコーン樹脂（有機ＳＯＧ）を塗布したと
き、塗布むらが発生した。更に、密着性が悪いため、膜
剥がれが生じた。
【００２４】実施例２ 本実施例では、実施例１の平行平板型ＲＩＥ装置に代
え、図８に示すホローカソード（中空陰極）型の放電装
置を用いて酸素プラズマ照射処理を行った。照射条件は
実施例１におけると同様にした。
え、図８に示すホローカソード（中空陰極）型の放電装
置を用いて酸素プラズマ照射処理を行った。照射条件は
実施例１におけると同様にした。
【００２５】図８に示すホローカソード型放電装置は、
真空容器１１と、この真空容器１１にガスを導入するガ
ス導入口１２、及び真空排気口１３を有し、真空容器１
１内には、互いに対向する下側電極１４ａと上側電極１
４ｂとからなり、全体として中空をなす電極（陰極）１
４が配設されている。この電極（陰極）１４は、真空容
器１１とは電気的に絶縁されている。上側電極１４ｂ
は、メッシュ構造をなしている。
真空容器１１と、この真空容器１１にガスを導入するガ
ス導入口１２、及び真空排気口１３を有し、真空容器１
１内には、互いに対向する下側電極１４ａと上側電極１
４ｂとからなり、全体として中空をなす電極（陰極）１
４が配設されている。この電極（陰極）１４は、真空容
器１１とは電気的に絶縁されている。上側電極１４ｂ
は、メッシュ構造をなしている。
【００２６】本実施例においては、真空排気口１３から
排気して雰囲気圧を０．１Ｔｏｒｒまたはそれ以下とし
つつ、ガス導入口１２から酸素ガスを導入し、下側電極
１４ａにＲＦ電力を印加し、かつ被処理基板１０を下側
電極１４ａ上に載置して、プラズマ放電を行い、基板１
０を酸素プラズマ照射処理した。下側電極１４ａと上側
電極１４ｂとの間の距離は、１〜５ｃｍ程度とした。
排気して雰囲気圧を０．１Ｔｏｒｒまたはそれ以下とし
つつ、ガス導入口１２から酸素ガスを導入し、下側電極
１４ａにＲＦ電力を印加し、かつ被処理基板１０を下側
電極１４ａ上に載置して、プラズマ放電を行い、基板１
０を酸素プラズマ照射処理した。下側電極１４ａと上側
電極１４ｂとの間の距離は、１〜５ｃｍ程度とした。
【００２７】このようなホローカソード型放電装置は、
放電インピーダンスが小さく、よって放電時に大きな電
流が流れ、この結果プラズマ密度を非常に高くすること
ができる。これにより被処理基板１０の表面に多量のイ
オンを入射させることができ、かつそのイオンのエネル
ギーは小さいので有機系のシリコーン樹脂（有機ＳＯ
Ｇ）の最表面の薄い層のみを緻密な無機層に変化させる
ことができる。
放電インピーダンスが小さく、よって放電時に大きな電
流が流れ、この結果プラズマ密度を非常に高くすること
ができる。これにより被処理基板１０の表面に多量のイ
オンを入射させることができ、かつそのイオンのエネル
ギーは小さいので有機系のシリコーン樹脂（有機ＳＯ
Ｇ）の最表面の薄い層のみを緻密な無機層に変化させる
ことができる。
【００２８】本実施例でも、実施例１と同様の効果を得
ることができた。
ることができた。
【００２９】実施例３ 実施例１では酸素雰囲気下でプラズマ処理したのに対
し、本実施例では、窒素雰囲気下でプラズマ処理を行っ
た。そのほかについては、装置や放電条件等、実施例１
と同様に実施した。本実施例でも、有機系のシリコーン
樹脂（有機ＳＯＧ）の表面が無機化（窒化）することに
より、実施例１と同様の効果を得ることができた。
し、本実施例では、窒素雰囲気下でプラズマ処理を行っ
た。そのほかについては、装置や放電条件等、実施例１
と同様に実施した。本実施例でも、有機系のシリコーン
樹脂（有機ＳＯＧ）の表面が無機化（窒化）することに
より、実施例１と同様の効果を得ることができた。
【００３０】
【発明の効果】本発明のシリコーン樹脂による絶縁膜形
成方法によれば、有機系のシリコーン樹脂を複数回重ね
て塗布形成して絶縁膜を形成する場合においても、有機
系のシリコーン樹脂同士の密着性が改善され、塗布むら
や、膜剥がれの発生と言った不都合が生じず、よって有
機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗布形成すること
の平坦性向上と言う利点を十分に生かしつつ、複数回の
重層塗布に伴う難点を解決できたものである。
成方法によれば、有機系のシリコーン樹脂を複数回重ね
て塗布形成して絶縁膜を形成する場合においても、有機
系のシリコーン樹脂同士の密着性が改善され、塗布むら
や、膜剥がれの発生と言った不都合が生じず、よって有
機系のシリコーン樹脂を複数回重ねて塗布形成すること
の平坦性向上と言う利点を十分に生かしつつ、複数回の
重層塗布に伴う難点を解決できたものである。
【図１】本発明の構成例を示す図である。
【図２】実施例１の工程を示す図である（１）。
【図３】実施例１の工程を示す図である（２）。
【図４】実施例１の工程を示す図である（３）。
【図５】実施例１の工程を示す図である（４）。
【図６】実施例１の工程を示す図である（５）。
【図７】実施例１の工程を示す図である（６）。
【図８】実施例２で使用した処理装置を示す図である。
１ａ 有機系のシリコーン樹脂（下層有機ＳＯ
Ｇ） １ｂ 有機系のシリコーン樹脂（上層有機ＳＯ
Ｇ） ２ 無機化処理（プラズマ処理）
Ｇ） １ｂ 有機系のシリコーン樹脂（上層有機ＳＯ
Ｇ） ２ 無機化処理（プラズマ処理）
Claims (2)
- 【請求項１】有機系のシリコーン樹脂により絶縁膜を形
成するとともに、有機系のシリコーン樹脂は複数回重ね
て塗布形成する絶縁膜形成方法において、 有機系のシリコーン樹脂が重ねて塗布される下層の有機
系のシリコーン樹脂の少なくとも１層は、表面無機化処
理されていることを特徴とするシリコーン樹脂による絶
縁膜形成方法。 - 【請求項２】表面無機化処理が、無機化雰囲気でのプラ
ズマ処理であることを特徴とする請求項１に記載のシリ
コーン樹脂による絶縁膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019689A JPH06216116A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | シリコーン樹脂による絶縁膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5019689A JPH06216116A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | シリコーン樹脂による絶縁膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06216116A true JPH06216116A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=12006218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5019689A Pending JPH06216116A (ja) | 1993-01-12 | 1993-01-12 | シリコーン樹脂による絶縁膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06216116A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815341B2 (en) | 2000-02-23 | 2004-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating metal interconnect in a carbon-containing silicon oxide film |
| JP2004356558A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toshio Goto | コーティング装置およびコーティング方法 |
| US20110168667A1 (en) * | 2008-08-15 | 2011-07-14 | Analogic Corporation | Anti-Reflective Surfaces And Methods For Making The Same |
| JP2016162848A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-01-12 JP JP5019689A patent/JPH06216116A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6815341B2 (en) | 2000-02-23 | 2004-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating metal interconnect in a carbon-containing silicon oxide film |
| US7030009B2 (en) | 2000-02-23 | 2006-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming metal interconnect in a carbon containing silicon oxide film |
| JP2004356558A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Toshio Goto | コーティング装置およびコーティング方法 |
| US20110168667A1 (en) * | 2008-08-15 | 2011-07-14 | Analogic Corporation | Anti-Reflective Surfaces And Methods For Making The Same |
| JP2016162848A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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