JPH08213456A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH08213456A JPH08213456A JP1704995A JP1704995A JPH08213456A JP H08213456 A JPH08213456 A JP H08213456A JP 1704995 A JP1704995 A JP 1704995A JP 1704995 A JP1704995 A JP 1704995A JP H08213456 A JPH08213456 A JP H08213456A
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- film
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- coating insulating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層配線構造の層間絶縁膜に用いる塗布絶縁
膜が、上層膜形成時にプラズマに晒されて劣化するのを
防止して信頼性の向上した層間絶縁膜を得る。 【構成】 下層配線２上にポリイミド樹脂から成る塗布
絶縁膜７を形成し、その上にＥＢ真空蒸着法によるＳｉ
Ｏ2膜８を形成し、さらにその上にプラズマＣＶＤ法に
よるＳｉＯ2膜９を形成して三層から成る層間絶縁膜１
０を構成する。
膜が、上層膜形成時にプラズマに晒されて劣化するのを
防止して信頼性の向上した層間絶縁膜を得る。 【構成】 下層配線２上にポリイミド樹脂から成る塗布
絶縁膜７を形成し、その上にＥＢ真空蒸着法によるＳｉ
Ｏ2膜８を形成し、さらにその上にプラズマＣＶＤ法に
よるＳｉＯ2膜９を形成して三層から成る層間絶縁膜１
０を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置に関し、特
に多層配線間の層間絶縁膜に用いられる塗布絶縁膜とそ
の上層膜に関するものである。
に多層配線間の層間絶縁膜に用いられる塗布絶縁膜とそ
の上層膜に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の微細化、集積化、ま
た高速化により、半導体装置の多層配線化は不可欠であ
る。多層配線では、下地の段差が大きいと上層配線の信
頼性に大きく影響する。このため優れた平坦性を有する
良質の層間絶縁膜の形成が必要とされている。従来より
半導体装置の層間絶縁膜には、ポリイミド樹脂やＳＯＧ
（ＳｐｉｎＯｎ Ｇｌａｓｓ）膜等の有機系の塗布絶縁
膜が良好な平坦性を持つ膜として用いられている。
た高速化により、半導体装置の多層配線化は不可欠であ
る。多層配線では、下地の段差が大きいと上層配線の信
頼性に大きく影響する。このため優れた平坦性を有する
良質の層間絶縁膜の形成が必要とされている。従来より
半導体装置の層間絶縁膜には、ポリイミド樹脂やＳＯＧ
（ＳｐｉｎＯｎ Ｇｌａｓｓ）膜等の有機系の塗布絶縁
膜が良好な平坦性を持つ膜として用いられている。
【０００３】図６は従来の半導体装置の一例を示す断面
図である。図に示す様に、素子構成されたシリコン単結
晶等から成る半導体基板１（以下、基板と称す）の表面
にＡｌ合金等の下層配線２を形成し、その上にポリイミ
ド樹脂から成る塗布絶縁膜３を形成し、その上にスパッ
タリング法によるＡｌ合金等の上層配線４を、塗布絶縁
膜３に設けた接続孔（図示せず）を介して下層配線２に
接続させて形成したものである。
図である。図に示す様に、素子構成されたシリコン単結
晶等から成る半導体基板１（以下、基板と称す）の表面
にＡｌ合金等の下層配線２を形成し、その上にポリイミ
ド樹脂から成る塗布絶縁膜３を形成し、その上にスパッ
タリング法によるＡｌ合金等の上層配線４を、塗布絶縁
膜３に設けた接続孔（図示せず）を介して下層配線２に
接続させて形成したものである。
【０００４】従来の半導体装置の別例に、層間絶縁膜と
して有機系の塗布絶縁膜とその上にシリコン酸化膜（Ｓ
ｉＯ2）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン酸化窒
化膜（ＳｉＯＮ）等の無機系絶縁膜をプラズマＣＶＤ法
またはスパッタリング法で形成したものがある。例えば
特開平３−２０９８２８号公報に示された半導体装置で
は、ポリイミド系の塗布絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法ま
たはスパッタリング法によりＳｉＮ膜またはＳｉＯＮ膜
を形成している。また、例えば特開平３−２４７８４号
公報に示された半導体装置では、図７に示す様に下層配
線２と上層配線４との間に、プラズマＣＶＤ法による第
１のＳｉＮ膜５、ＳＯＧ膜から成る塗布絶縁膜３、プラ
ズマＣＶＤ法による第２のＳｉＮ膜６を積層して層間絶
縁膜としている。
して有機系の塗布絶縁膜とその上にシリコン酸化膜（Ｓ
ｉＯ2）、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、シリコン酸化窒
化膜（ＳｉＯＮ）等の無機系絶縁膜をプラズマＣＶＤ法
またはスパッタリング法で形成したものがある。例えば
特開平３−２０９８２８号公報に示された半導体装置で
は、ポリイミド系の塗布絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法ま
たはスパッタリング法によりＳｉＮ膜またはＳｉＯＮ膜
を形成している。また、例えば特開平３−２４７８４号
公報に示された半導体装置では、図７に示す様に下層配
線２と上層配線４との間に、プラズマＣＶＤ法による第
１のＳｉＮ膜５、ＳＯＧ膜から成る塗布絶縁膜３、プラ
ズマＣＶＤ法による第２のＳｉＮ膜６を積層して層間絶
縁膜としている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上の様に、層間絶縁膜に用いられる塗布絶縁膜上に、プ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いた上層膜
（上層配線４または無機系絶縁膜）を形成していた。こ
の様な構成では塗布絶縁膜がその上に上記上層膜を形成
する際に直接プラズマに晒されて、プラズマ中のイオ
ン、ラジカルが塗布絶縁膜を攻撃する。塗布絶縁膜中の
有機物は特にスパッタされ易く、塗布絶縁膜の表面の荒
れや劣化が生じるものであった。さらに、プラズマＣＶ
Ｄ法またはスパッタリング法では通常高周波（ＲＦ（Ｒ
ａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ））グロー放電を利用す
るが、プラズマ中の活性種が励起状態から基底状態に戻
るとき、そのエネルギーに相当する波長の光を発する。
条件によっては短波長の強い紫外線が発生し、これが有
機膜である塗布絶縁膜の結合を切断することもあった。
上の様に、層間絶縁膜に用いられる塗布絶縁膜上に、プ
ラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法を用いた上層膜
（上層配線４または無機系絶縁膜）を形成していた。こ
の様な構成では塗布絶縁膜がその上に上記上層膜を形成
する際に直接プラズマに晒されて、プラズマ中のイオ
ン、ラジカルが塗布絶縁膜を攻撃する。塗布絶縁膜中の
有機物は特にスパッタされ易く、塗布絶縁膜の表面の荒
れや劣化が生じるものであった。さらに、プラズマＣＶ
Ｄ法またはスパッタリング法では通常高周波（ＲＦ（Ｒ
ａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ））グロー放電を利用す
るが、プラズマ中の活性種が励起状態から基底状態に戻
るとき、そのエネルギーに相当する波長の光を発する。
条件によっては短波長の強い紫外線が発生し、これが有
機膜である塗布絶縁膜の結合を切断することもあった。
【０００６】ところで、塗布絶縁膜上に形成される無機
系絶縁膜がＳｉＮ膜である場合は、ソースにＳｉＨ4、
ＮＨ3、Ｎ2等を用いることが多いため下地（塗布絶縁
膜）に対して活性の高いラジカルが比較的発生しにくい
が、ＳｉＯ2膜、ＳｉＯＮ膜である場合は、ソースにＮ2
Ｏ、Ｏ2を用いることもあり下地に対して活性の高いラ
ジカルが発生し、悪影響も大きくなる。また、ステップ
カバレッジが良好なテトラエチルオルトシリケート（Ｔ
ＥＯＳ）をソースとするＳｉＯ2膜も多く用いられる
が、膜質の点から、ＴＥＯＳ中のカーボンを酸化除去し
ながらシリコンの酸化を促進する役割をするＯ2を併用
するのが一般的である。このため酸素ラジカルが下地に
悪影響を与え、灰化による表面の荒れや膜厚減少が起き
る。さらに表面が異質となり、温度変化が加わると応力
が発生しクラックに至ることもある。
系絶縁膜がＳｉＮ膜である場合は、ソースにＳｉＨ4、
ＮＨ3、Ｎ2等を用いることが多いため下地（塗布絶縁
膜）に対して活性の高いラジカルが比較的発生しにくい
が、ＳｉＯ2膜、ＳｉＯＮ膜である場合は、ソースにＮ2
Ｏ、Ｏ2を用いることもあり下地に対して活性の高いラ
ジカルが発生し、悪影響も大きくなる。また、ステップ
カバレッジが良好なテトラエチルオルトシリケート（Ｔ
ＥＯＳ）をソースとするＳｉＯ2膜も多く用いられる
が、膜質の点から、ＴＥＯＳ中のカーボンを酸化除去し
ながらシリコンの酸化を促進する役割をするＯ2を併用
するのが一般的である。このため酸素ラジカルが下地に
悪影響を与え、灰化による表面の荒れや膜厚減少が起き
る。さらに表面が異質となり、温度変化が加わると応力
が発生しクラックに至ることもある。
【０００７】上記の様な塗布絶縁膜へのダメージを低減
する方法として、例えば特開昭６４−７７１３１号公報
および特開平６−７７２０８号公報に示される様に、塗
布絶縁膜上にイオンビームアシストによる真空蒸着によ
って無機系絶縁膜を形成する方法がある。しかし、この
方法ではイオンビームのエネルギーと塗布絶縁膜の持つ
結合力との比較により塗布絶縁膜表面をスパッタしてし
まうこともあり、塗布絶縁膜の表面荒れや膜厚減少等劣
化される場合があった。例えば塗布絶縁膜に弗素系樹脂
やポリイミド樹脂を用いた場合は、低いイオンエネルギ
ーで劣化する。この様に、イオンビームのエネルギーと
塗布絶縁膜の性質とを最適化する必要があり、汎用性に
欠けるものであり、しかも高価な蒸着装置を用いなけれ
ばならないという問題点があった。
する方法として、例えば特開昭６４−７７１３１号公報
および特開平６−７７２０８号公報に示される様に、塗
布絶縁膜上にイオンビームアシストによる真空蒸着によ
って無機系絶縁膜を形成する方法がある。しかし、この
方法ではイオンビームのエネルギーと塗布絶縁膜の持つ
結合力との比較により塗布絶縁膜表面をスパッタしてし
まうこともあり、塗布絶縁膜の表面荒れや膜厚減少等劣
化される場合があった。例えば塗布絶縁膜に弗素系樹脂
やポリイミド樹脂を用いた場合は、低いイオンエネルギ
ーで劣化する。この様に、イオンビームのエネルギーと
塗布絶縁膜の性質とを最適化する必要があり、汎用性に
欠けるものであり、しかも高価な蒸着装置を用いなけれ
ばならないという問題点があった。
【０００８】一方、例えば特開平３−３４５５８号公報
に示された従来の半導体装置では、塗布絶縁膜の表面を
Ａｒスパッタ等により改質した後、プラズマＣＶＤ法ま
たはスパッタリング法による無機系絶縁膜を形成してい
る。しかしながら無機系絶縁膜の成膜が、酸素ラジカル
等の影響を受ける強い酸化条件であれば、やはり下地は
劣化する。しかも表面改質を行うため工程は複雑とな
る。また、例えば特開平３−３４３２１号公報に示され
た半導体装置では、塗布絶縁膜を犠牲層として用い、表
面平坦化のためにエッチバックして完全に除去した後、
プラズマＣＶＤ法による無機系絶縁膜を形成している
が、工程が複雑になる上、パーティクルが発生する問題
がある。
に示された従来の半導体装置では、塗布絶縁膜の表面を
Ａｒスパッタ等により改質した後、プラズマＣＶＤ法ま
たはスパッタリング法による無機系絶縁膜を形成してい
る。しかしながら無機系絶縁膜の成膜が、酸素ラジカル
等の影響を受ける強い酸化条件であれば、やはり下地は
劣化する。しかも表面改質を行うため工程は複雑とな
る。また、例えば特開平３−３４３２１号公報に示され
た半導体装置では、塗布絶縁膜を犠牲層として用い、表
面平坦化のためにエッチバックして完全に除去した後、
プラズマＣＶＤ法による無機系絶縁膜を形成している
が、工程が複雑になる上、パーティクルが発生する問題
がある。
【０００９】この発明は、上記の様な問題点を解消する
ためになされたもので、多層配線構造の層間絶縁膜に用
いられる塗布絶縁膜の劣化を防止して信頼性の高い層間
絶縁膜を有する半導体装置を得ることを目的とする。
ためになされたもので、多層配線構造の層間絶縁膜に用
いられる塗布絶縁膜の劣化を防止して信頼性の高い層間
絶縁膜を有する半導体装置を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る半導体装置は、半導体基板上に下層配線と上層配線と
これら上下配線を絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設け
られ、上記層間絶縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布
絶縁膜上に形成された、真空蒸着法による無機系絶縁膜
とを有するものである。
る半導体装置は、半導体基板上に下層配線と上層配線と
これら上下配線を絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設け
られ、上記層間絶縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布
絶縁膜上に形成された、真空蒸着法による無機系絶縁膜
とを有するものである。
【００１１】この発明の請求項２に係る半導体装置は、
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下配線を
絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けられ、上記層間絶
縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶縁膜上に形成さ
れた、熱ＣＶＤ法による無機系絶縁膜とを有するもので
ある。
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下配線を
絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けられ、上記層間絶
縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶縁膜上に形成さ
れた、熱ＣＶＤ法による無機系絶縁膜とを有するもので
ある。
【００１２】この発明の請求項３に係る半導体装置は、
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下配線を
絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けられ、上記層間絶
縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶縁膜上に形成さ
れた、リモートプラズマＣＶＤ法による無機系絶縁膜と
を有するものである。
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下配線を
絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けられ、上記層間絶
縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶縁膜上に形成さ
れた、リモートプラズマＣＶＤ法による無機系絶縁膜と
を有するものである。
【００１３】この発明の請求項４に係る半導体装置は、
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下配線を
絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けられ、上記層間絶
縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶縁膜上に形成さ
れた、イオンクラスタビーム蒸着法による無機系絶縁膜
とを有するものである。
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下配線を
絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けられ、上記層間絶
縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶縁膜上に形成さ
れた、イオンクラスタビーム蒸着法による無機系絶縁膜
とを有するものである。
【００１４】この発明の請求項５に係る半導体装置は、
請求項１〜４のいずれかに記載の無機系絶縁膜を第１の
無機系絶縁膜とし、その上にさらにプラズマＣＶＤ法に
よる第２の無機系絶縁膜を形成し、有機系塗布絶縁膜と
上記第１の無機系絶縁膜と上記第２の無機系絶縁膜とで
層間絶縁膜を構成したものである。
請求項１〜４のいずれかに記載の無機系絶縁膜を第１の
無機系絶縁膜とし、その上にさらにプラズマＣＶＤ法に
よる第２の無機系絶縁膜を形成し、有機系塗布絶縁膜と
上記第１の無機系絶縁膜と上記第２の無機系絶縁膜とで
層間絶縁膜を構成したものである。
【００１５】この発明の請求項６に係る半導体装置は、
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下層配線
を絶縁する有機系塗布絶縁膜とを有し、上記上層配線と
なる真空蒸着法による導電膜が、上記塗布絶縁膜上に接
して形成されたものである。
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下層配線
を絶縁する有機系塗布絶縁膜とを有し、上記上層配線と
なる真空蒸着法による導電膜が、上記塗布絶縁膜上に接
して形成されたものである。
【００１６】この発明の請求項７に係る半導体装置は、
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下層配線
を絶縁する有機系塗布絶縁膜とを有し、上記上層配線と
なる熱ＣＶＤ法による導電膜が、上記塗布絶縁膜上に形
成されたものである。
半導体基板上に下層配線と上層配線とこれら上下層配線
を絶縁する有機系塗布絶縁膜とを有し、上記上層配線と
なる熱ＣＶＤ法による導電膜が、上記塗布絶縁膜上に形
成されたものである。
【００１７】この発明の請求項８に係る半導体装置は、
上層配線が、真空蒸着法または熱ＣＶＤ法による第１の
導電膜と、この第１の導電膜上に形成されたスパッタリ
ング法による第２の導電膜とで構成されたものである。
上層配線が、真空蒸着法または熱ＣＶＤ法による第１の
導電膜と、この第１の導電膜上に形成されたスパッタリ
ング法による第２の導電膜とで構成されたものである。
【００１８】この発明の請求項９に係る半導体装置は、
塗布絶縁膜がポリイミド樹脂から成るものである。
塗布絶縁膜がポリイミド樹脂から成るものである。
【００１９】この発明の請求項１０に係る半導体装置
は、塗布絶縁膜がシリケート系ＳＯＧ膜から成るもので
ある。
は、塗布絶縁膜がシリケート系ＳＯＧ膜から成るもので
ある。
【００２０】この発明の請求項１１に係る半導体装置
は、塗布絶縁膜がシロキサン膜から成るものである。
は、塗布絶縁膜がシロキサン膜から成るものである。
【００２１】この発明の請求項１２に係る半導体装置
は、塗布絶縁膜がラダーオルガノシロキサン膜から成る
ものである。
は、塗布絶縁膜がラダーオルガノシロキサン膜から成る
ものである。
【００２２】
【作用】この発明による半導体装置は、層間絶縁膜が、
有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶縁膜上に形成された真空
蒸着法による無機系絶縁膜とを有する。このため製造工
程において、塗布絶縁膜上に真空蒸着法による無機系絶
縁膜を形成するため、塗布絶縁膜がプラズマに晒される
ことがなく、プラズマ中のラジカルやイオンの悪影響に
よる塗布絶縁膜の劣化が防止できる。これにより、信頼
性の高い層間絶縁膜が得られる。また、上記の様な半導
体装置は、その製造工程において特に高価な装置や複雑
な工程を必要としないため、容易に製造できる。
有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶縁膜上に形成された真空
蒸着法による無機系絶縁膜とを有する。このため製造工
程において、塗布絶縁膜上に真空蒸着法による無機系絶
縁膜を形成するため、塗布絶縁膜がプラズマに晒される
ことがなく、プラズマ中のラジカルやイオンの悪影響に
よる塗布絶縁膜の劣化が防止できる。これにより、信頼
性の高い層間絶縁膜が得られる。また、上記の様な半導
体装置は、その製造工程において特に高価な装置や複雑
な工程を必要としないため、容易に製造できる。
【００２３】また、この発明によると、塗布絶縁膜上に
熱ＣＶＤ法による無機系絶縁膜を有するため、製造工程
において塗布絶縁膜がプラズマに晒されることがなく上
記と同様の効果が得られる。
熱ＣＶＤ法による無機系絶縁膜を有するため、製造工程
において塗布絶縁膜がプラズマに晒されることがなく上
記と同様の効果が得られる。
【００２４】また、この発明によると、塗布絶縁膜上に
リモートプラズマＣＶＤ法による無機系絶縁膜を有す
る。リモートプラズマＣＶＤ法では、プラズマ放電部と
被処理基板とが離れているため塗布絶縁膜がプラズマに
晒されることがなく上記と同様の効果が得られる。
リモートプラズマＣＶＤ法による無機系絶縁膜を有す
る。リモートプラズマＣＶＤ法では、プラズマ放電部と
被処理基板とが離れているため塗布絶縁膜がプラズマに
晒されることがなく上記と同様の効果が得られる。
【００２５】また、この発明によると、塗布絶縁膜上に
イオンクラスタビーム蒸着法による無機絶縁膜を有す
る。イオンクラスタビーム蒸着法では、イオン化部と被
処理基板とが離れているため、塗布絶縁膜がダメージを
受けることなく上記と同様の効果が得られる。
イオンクラスタビーム蒸着法による無機絶縁膜を有す
る。イオンクラスタビーム蒸着法では、イオン化部と被
処理基板とが離れているため、塗布絶縁膜がダメージを
受けることなく上記と同様の効果が得られる。
【００２６】また、この発明によると、層間絶縁膜を塗
布絶縁膜と、この塗布絶縁膜上に、上述した様に形成時
に塗布絶縁膜にダメージを与えない第１の無機系絶縁膜
と、さらにこの上にプラズマＣＶＤ法による第２の無機
系絶縁膜とで構成する。この様に、上層に緻密で膜質の
良いプラズマＣＶＤ法による第２の無機系絶縁膜を設け
たため、塗布絶縁膜の劣化を防止し、さらに良質で信頼
性の高い層間絶縁膜が得られる。また、上層にプラズマ
ＣＶＤ法による第２の無機系絶縁膜を形成するため、第
１の無機系絶縁膜は、下地の塗布絶縁膜がプラズマの影
響を受けない程度に薄く形成すれば良く、有機系塗布絶
縁膜と第１の無機系絶縁膜との密着性が向上する。
布絶縁膜と、この塗布絶縁膜上に、上述した様に形成時
に塗布絶縁膜にダメージを与えない第１の無機系絶縁膜
と、さらにこの上にプラズマＣＶＤ法による第２の無機
系絶縁膜とで構成する。この様に、上層に緻密で膜質の
良いプラズマＣＶＤ法による第２の無機系絶縁膜を設け
たため、塗布絶縁膜の劣化を防止し、さらに良質で信頼
性の高い層間絶縁膜が得られる。また、上層にプラズマ
ＣＶＤ法による第２の無機系絶縁膜を形成するため、第
１の無機系絶縁膜は、下地の塗布絶縁膜がプラズマの影
響を受けない程度に薄く形成すれば良く、有機系塗布絶
縁膜と第１の無機系絶縁膜との密着性が向上する。
【００２７】また、この発明によると、塗布絶縁膜上に
接して真空蒸着法による導電膜を形成したため、製造工
程において塗布絶縁膜がプラズマに晒されることがな
く、塗布絶縁膜の劣化が防止でき信頼性が向上する。ま
た特に高価な装置や複雑な工程を必要とせず容易に製造
できる。
接して真空蒸着法による導電膜を形成したため、製造工
程において塗布絶縁膜がプラズマに晒されることがな
く、塗布絶縁膜の劣化が防止でき信頼性が向上する。ま
た特に高価な装置や複雑な工程を必要とせず容易に製造
できる。
【００２８】また、この発明によると、塗布絶縁膜上に
熱ＣＶＤ法による導電膜を形成したため、製造工程にお
いて塗布絶縁膜がプラズマに晒されることがなく、塗布
絶縁膜の劣化が防止でき上記と同様の効果が得られる。
熱ＣＶＤ法による導電膜を形成したため、製造工程にお
いて塗布絶縁膜がプラズマに晒されることがなく、塗布
絶縁膜の劣化が防止でき上記と同様の効果が得られる。
【００２９】また、この発明によると、塗布絶縁膜上の
上層配線が、上述した様に形成時に塗布絶縁膜にダメー
ジを与えない第１の導電膜と、この第１の導電膜上のス
パッタリング法による第２の導電膜とで構成される。こ
のため、塗布絶縁膜の劣化が防止でき、さらに低抵抗で
良質な上層配線が得られる。
上層配線が、上述した様に形成時に塗布絶縁膜にダメー
ジを与えない第１の導電膜と、この第１の導電膜上のス
パッタリング法による第２の導電膜とで構成される。こ
のため、塗布絶縁膜の劣化が防止でき、さらに低抵抗で
良質な上層配線が得られる。
【００３０】また、この発明によると、塗布絶縁膜をポ
リイミド樹脂で構成したため、塗布絶縁膜がプラズマに
晒されない方法で上層配線を形成することにより、塗布
絶縁膜の表面の荒れや膜厚減少等の劣化が防止でき、信
頼性が向上する。
リイミド樹脂で構成したため、塗布絶縁膜がプラズマに
晒されない方法で上層配線を形成することにより、塗布
絶縁膜の表面の荒れや膜厚減少等の劣化が防止でき、信
頼性が向上する。
【００３１】また、この発明によると、塗布絶縁膜をシ
リケート系ＳＯＧ膜で構成したため、塗布絶縁膜がプラ
ズマに晒されない方法で上層配線を形成することによ
り、塗布絶縁膜の膜中のピンホールの増大等の劣化が防
止でき、信頼性が向上する。
リケート系ＳＯＧ膜で構成したため、塗布絶縁膜がプラ
ズマに晒されない方法で上層配線を形成することによ
り、塗布絶縁膜の膜中のピンホールの増大等の劣化が防
止でき、信頼性が向上する。
【００３２】また、この発明によると、塗布絶縁膜をシ
ロキサン膜で構成したため、塗布絶縁膜がプラズマに晒
されない方法で上層配線を形成することにより、塗布絶
縁膜の劣化が防止でき信頼性が向上する。
ロキサン膜で構成したため、塗布絶縁膜がプラズマに晒
されない方法で上層配線を形成することにより、塗布絶
縁膜の劣化が防止でき信頼性が向上する。
【００３３】また、この発明によると、塗布絶縁膜をラ
ダーオルガノシロキサン膜で構成したため、塗布絶縁膜
がプラズマに晒されない方法で上層配線を形成すること
により、塗布絶縁膜の劣化が防止でき信頼性が向上す
る。
ダーオルガノシロキサン膜で構成したため、塗布絶縁膜
がプラズマに晒されない方法で上層配線を形成すること
により、塗布絶縁膜の劣化が防止でき信頼性が向上す
る。
【００３４】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図１について説
明する。なお、従来の技術と重複する箇所は、適宜その
説明を省略する。図において、１、２、および４は従来
のものと同じもの、７は下層配線２上に形成されたポリ
イミド樹脂から成る塗布絶縁膜（以下、ポリイミド膜と
称す）、８はポリイミド膜７上に電子線（ＥＢ）真空蒸
着法により形成された第１の無機系絶縁膜としてのＳｉ
Ｏ2膜（以下、真空蒸着ＳｉＯ2膜と称す）、９は真空蒸
着ＳｉＯ2膜８上にプラズマＣＶＤ法により形成された
第２の無機系絶縁膜としてのＳｉＯ2膜（以下、プラズ
マＣＶＤ−ＳｉＯ2膜と称す）、１０はポリイミド膜
７、真空蒸着ＳｉＯ2膜８、およびプラズマＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2膜９が積層されて成る層間絶縁膜で、下層配線２
と上層配線４とを絶縁するものである。
明する。なお、従来の技術と重複する箇所は、適宜その
説明を省略する。図において、１、２、および４は従来
のものと同じもの、７は下層配線２上に形成されたポリ
イミド樹脂から成る塗布絶縁膜（以下、ポリイミド膜と
称す）、８はポリイミド膜７上に電子線（ＥＢ）真空蒸
着法により形成された第１の無機系絶縁膜としてのＳｉ
Ｏ2膜（以下、真空蒸着ＳｉＯ2膜と称す）、９は真空蒸
着ＳｉＯ2膜８上にプラズマＣＶＤ法により形成された
第２の無機系絶縁膜としてのＳｉＯ2膜（以下、プラズ
マＣＶＤ−ＳｉＯ2膜と称す）、１０はポリイミド膜
７、真空蒸着ＳｉＯ2膜８、およびプラズマＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2膜９が積層されて成る層間絶縁膜で、下層配線２
と上層配線４とを絶縁するものである。
【００３５】この様に構成される半導体装置の製造方法
を図２に基づいて以下に示す。まず、素子構成された基
板１の表面にＡｌ合金等の下層配線２を形成し、その上
の全面にポリアミック酸のＮＭＰ溶液を回転塗布した
後、最終キュア温度約３５０℃で熱処理することにより
ポリイミド膜７を約０．３μｍの膜厚に形成する（図２
（ａ））。次に、ポリイミド膜７上の全面に真空蒸着Ｓ
ｉＯ2膜８を、ＳｉＯ2をソースとするＥＢ真空蒸着法に
より、圧力：１×１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度：２００℃
で約５０ｎｍの膜厚に形成する（図２（ｂ））。次に、
真空蒸着ＳｉＯ2膜８上の全面にプラズマＣＶＤ−Ｓｉ
Ｏ2膜９を、ＴＥＯＳとＯ2をソースとするプラズマＣＶ
Ｄ法により、圧力：２Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力：８００Ｗで
約０．４μｍの膜厚に形成して、多層構造の層間絶縁膜
１０を形成する（図２（ｃ））。その後、層間絶縁膜１
０上にＡｌ合金等の上層配線４を、層間絶縁膜１０に設
けた接続孔（図示せず）を介して下層配線２に接続させ
て形成する（図１参照）。
を図２に基づいて以下に示す。まず、素子構成された基
板１の表面にＡｌ合金等の下層配線２を形成し、その上
の全面にポリアミック酸のＮＭＰ溶液を回転塗布した
後、最終キュア温度約３５０℃で熱処理することにより
ポリイミド膜７を約０．３μｍの膜厚に形成する（図２
（ａ））。次に、ポリイミド膜７上の全面に真空蒸着Ｓ
ｉＯ2膜８を、ＳｉＯ2をソースとするＥＢ真空蒸着法に
より、圧力：１×１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度：２００℃
で約５０ｎｍの膜厚に形成する（図２（ｂ））。次に、
真空蒸着ＳｉＯ2膜８上の全面にプラズマＣＶＤ−Ｓｉ
Ｏ2膜９を、ＴＥＯＳとＯ2をソースとするプラズマＣＶ
Ｄ法により、圧力：２Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力：８００Ｗで
約０．４μｍの膜厚に形成して、多層構造の層間絶縁膜
１０を形成する（図２（ｃ））。その後、層間絶縁膜１
０上にＡｌ合金等の上層配線４を、層間絶縁膜１０に設
けた接続孔（図示せず）を介して下層配線２に接続させ
て形成する（図１参照）。
【００３６】上記実施例１では、ポリイミド膜７上に真
空蒸着ＳｉＯ2膜８を形成するため、ポリイミド膜７表
面がプラズマに晒されることはない。すなわちプラズマ
中のイオン、ラジカルによる悪影響を受けないため、ポ
リイミド膜７がダメージを受けて劣化することはない。
上記実施例１において、真空蒸着ＳｉＯ2膜８を設けな
いで、その他を同じ条件にしてポリイミド膜７上に直接
プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成する比較実験を実
施すると、ポリイミド膜７に表面の荒れおよび膜厚減少
が見られ、その後の半導体装置の高温高湿試験で不良が
発生した。
空蒸着ＳｉＯ2膜８を形成するため、ポリイミド膜７表
面がプラズマに晒されることはない。すなわちプラズマ
中のイオン、ラジカルによる悪影響を受けないため、ポ
リイミド膜７がダメージを受けて劣化することはない。
上記実施例１において、真空蒸着ＳｉＯ2膜８を設けな
いで、その他を同じ条件にしてポリイミド膜７上に直接
プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成する比較実験を実
施すると、ポリイミド膜７に表面の荒れおよび膜厚減少
が見られ、その後の半導体装置の高温高湿試験で不良が
発生した。
【００３７】この様に、上記実施例１では、ポリイミド
膜７上に真空蒸着ＳｉＯ2膜８を形成した後プラズマＣ
ＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成して層間絶縁膜１０を構成す
るため、ポリイミド膜７の劣化が防止され、信頼性の高
い層間絶縁膜１０が得られ、その後の半導体装置の高温
高湿試験でも不良を発生せず良好な特性が得られる。ま
た、真空蒸着法による膜はステップカバレジ性が比較的
劣るものであるが、表面平坦性の良好な塗布絶縁膜上に
形成されるため問題なく、さらに上層に緻密で膜質の良
いプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成するため、高性
能で信頼性の高い層間絶縁膜が得られる。また、真空蒸
着ＳｉＯ2膜８をポリイミド膜７上にプラズマの影響を
受けない程度に薄く形成するため、有機系の塗布絶縁膜
（ポリイミド膜７）と無機系絶縁膜（真空蒸着ＳｉＯ2
膜８、プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９）との密着性も向
上でき、層間絶縁膜１０の信頼性をさらに高める。ま
た、この様な半導体装置を、特に高価な装置や複雑な工
程を必要とせず容易に製造できる。
膜７上に真空蒸着ＳｉＯ2膜８を形成した後プラズマＣ
ＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成して層間絶縁膜１０を構成す
るため、ポリイミド膜７の劣化が防止され、信頼性の高
い層間絶縁膜１０が得られ、その後の半導体装置の高温
高湿試験でも不良を発生せず良好な特性が得られる。ま
た、真空蒸着法による膜はステップカバレジ性が比較的
劣るものであるが、表面平坦性の良好な塗布絶縁膜上に
形成されるため問題なく、さらに上層に緻密で膜質の良
いプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成するため、高性
能で信頼性の高い層間絶縁膜が得られる。また、真空蒸
着ＳｉＯ2膜８をポリイミド膜７上にプラズマの影響を
受けない程度に薄く形成するため、有機系の塗布絶縁膜
（ポリイミド膜７）と無機系絶縁膜（真空蒸着ＳｉＯ2
膜８、プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９）との密着性も向
上でき、層間絶縁膜１０の信頼性をさらに高める。ま
た、この様な半導体装置を、特に高価な装置や複雑な工
程を必要とせず容易に製造できる。
【００３８】なお、真空蒸着ＳｉＯ2膜８は、ＥＢ真空
蒸着法に限らず、イオンビーム等を併用しない通常の真
空蒸着法により形成しても良い。また、上記実施例１で
は、真空蒸着ＳｉＯ2膜８上に絶縁膜（プラズマＣＶＤ
−ＳｉＯ2膜９）を形成したが、上層配線４となる導電
膜を形成しても良く、いずれの場合も真空蒸着ＳｉＯ2
膜８を有することで下地のポリイミド膜７がプラズマの
悪影響を受けることがなく同様の効果が得られる。
蒸着法に限らず、イオンビーム等を併用しない通常の真
空蒸着法により形成しても良い。また、上記実施例１で
は、真空蒸着ＳｉＯ2膜８上に絶縁膜（プラズマＣＶＤ
−ＳｉＯ2膜９）を形成したが、上層配線４となる導電
膜を形成しても良く、いずれの場合も真空蒸着ＳｉＯ2
膜８を有することで下地のポリイミド膜７がプラズマの
悪影響を受けることがなく同様の効果が得られる。
【００３９】実施例２．次に、塗布絶縁膜にシリケート
系ＳＯＧ膜を用いた場合について説明する。シリケート
系ＳＯＧは、ＲｏｎＳｉ（ＯＨ）4-n（ｎ＝１〜４の整
数、Ｒｏは水素、アルキル基等）の珪素化合物を主成分
とし、エステル、アルコールなどを溶剤とする塗布液で
ある。まず、上記実施例１と同様に下層配線２を形成し
た後、その上の全面に、例えばＳｉ（ＯＨ）4を主成分
とするシリケート系ＳＯＧを回転塗布した後、約４００
℃で熱処理してシリケート系ＳＯＧ膜を約０．３μｍの
膜厚に形成する。この後上記実施例１と同様に真空蒸着
ＳｉＯ2膜８およびプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を順次
形成して、多層構造の層間絶縁膜を得る。
系ＳＯＧ膜を用いた場合について説明する。シリケート
系ＳＯＧは、ＲｏｎＳｉ（ＯＨ）4-n（ｎ＝１〜４の整
数、Ｒｏは水素、アルキル基等）の珪素化合物を主成分
とし、エステル、アルコールなどを溶剤とする塗布液で
ある。まず、上記実施例１と同様に下層配線２を形成し
た後、その上の全面に、例えばＳｉ（ＯＨ）4を主成分
とするシリケート系ＳＯＧを回転塗布した後、約４００
℃で熱処理してシリケート系ＳＯＧ膜を約０．３μｍの
膜厚に形成する。この後上記実施例１と同様に真空蒸着
ＳｉＯ2膜８およびプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を順次
形成して、多層構造の層間絶縁膜を得る。
【００４０】上記実施例２においても、シリケート系Ｓ
ＯＧ膜がプラズマに晒されて劣化することが防止でき
る。この場合も、真空蒸着ＳｉＯ2膜８を設けないで、
その他を同じ条件にしてシリケート系ＳＯＧ膜上に直接
プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成する比較実験を実
施すると、シリケート系ＳＯＧ膜中のピンホールが増大
し、その後の半導体装置の高温高湿試験で不良が発生し
た。シリケート系ＳＯＧ膜中には、ＳＯＧ原料に含まれ
合成中に残存する有機成分、および有機溶剤が膜中に不
純物として残る有機成分等が微量に含有されている。こ
のためシリケート系ＳＯＧ膜上に直接プラズマＣＶＤ−
ＳｉＯ2膜９を形成するとこれらの有機成分が酸素ラジ
カル、イオンに攻撃され、元来塗布絶縁膜に潜在するピ
ンホールを増大させる。
ＯＧ膜がプラズマに晒されて劣化することが防止でき
る。この場合も、真空蒸着ＳｉＯ2膜８を設けないで、
その他を同じ条件にしてシリケート系ＳＯＧ膜上に直接
プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成する比較実験を実
施すると、シリケート系ＳＯＧ膜中のピンホールが増大
し、その後の半導体装置の高温高湿試験で不良が発生し
た。シリケート系ＳＯＧ膜中には、ＳＯＧ原料に含まれ
合成中に残存する有機成分、および有機溶剤が膜中に不
純物として残る有機成分等が微量に含有されている。こ
のためシリケート系ＳＯＧ膜上に直接プラズマＣＶＤ−
ＳｉＯ2膜９を形成するとこれらの有機成分が酸素ラジ
カル、イオンに攻撃され、元来塗布絶縁膜に潜在するピ
ンホールを増大させる。
【００４１】この様に、上記実施例２では、シリケート
系ＳＯＧ膜上に真空蒸着ＳｉＯ2膜８を形成した後プラ
ズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成して層間絶縁膜を構成
するため、シリケート系ＳＯＧ膜中のピンホールの増大
等のシリケート系ＳＯＧ膜の劣化が防止され、上記実施
例１と同様に、信頼性の高い層間絶縁膜が得られる。
系ＳＯＧ膜上に真空蒸着ＳｉＯ2膜８を形成した後プラ
ズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成して層間絶縁膜を構成
するため、シリケート系ＳＯＧ膜中のピンホールの増大
等のシリケート系ＳＯＧ膜の劣化が防止され、上記実施
例１と同様に、信頼性の高い層間絶縁膜が得られる。
【００４２】実施例３．次に、塗布絶縁膜にＳＯＧ膜の
一種であるシロキサン膜を用いた場合について説明す
る。下層配線２上の全面に、化学式１
一種であるシロキサン膜を用いた場合について説明す
る。下層配線２上の全面に、化学式１
【００４３】
【化１】
【００４４】（ただし、Ｒ1、Ｒ2、Ｒは水素原子、低級
アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、アミル基）、アリル基、またはフェニル基のいずれ
かで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒは同種でも異種でも良い。ｎは重量
平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜２０００００となりう
る整数を示す（Ｍｗ＜２０００では塗布した膜にクラッ
クが発生し易い。またＭｗ＞２０００００では、使用で
きる溶剤の種類が限られ、さらに溶液粘度が高くなりや
すく扱いにくい。））で表されるラダーオルガノシロキ
サンのうち、例えばＲ1、Ｒ2はフェニル基、Ｒは水素、
ｎはＭｗ＝１５００００となる整数で表されるラダーオ
ルガノシロキサンのアニソール溶液を回転塗布し、約４
００℃で熱処理してラダーオルガノシロキサン膜を約
０．３μｍの膜厚に形成する。この後上記実施例１と同
様に真空蒸着ＳｉＯ2膜８およびプラズマＣＶＤ−Ｓｉ
Ｏ2膜９を順次形成して、多層構造の層間絶縁膜を得
る。
アルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、アミル基）、アリル基、またはフェニル基のいずれ
かで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒは同種でも異種でも良い。ｎは重量
平均分子量（Ｍｗ）が２０００〜２０００００となりう
る整数を示す（Ｍｗ＜２０００では塗布した膜にクラッ
クが発生し易い。またＭｗ＞２０００００では、使用で
きる溶剤の種類が限られ、さらに溶液粘度が高くなりや
すく扱いにくい。））で表されるラダーオルガノシロキ
サンのうち、例えばＲ1、Ｒ2はフェニル基、Ｒは水素、
ｎはＭｗ＝１５００００となる整数で表されるラダーオ
ルガノシロキサンのアニソール溶液を回転塗布し、約４
００℃で熱処理してラダーオルガノシロキサン膜を約
０．３μｍの膜厚に形成する。この後上記実施例１と同
様に真空蒸着ＳｉＯ2膜８およびプラズマＣＶＤ−Ｓｉ
Ｏ2膜９を順次形成して、多層構造の層間絶縁膜を得
る。
【００４５】上記実施例３においても、ラダーオルガノ
シロキサン膜がプラズマに晒されて劣化することが防止
できる。この場合も真空蒸着ＳｉＯ2膜８を設けないで
比較実験を行うと、プラズマ中の酸素ラジカル、イオン
が直接ラダーオルガノシロキサン膜に照射してシロキサ
ン側鎖の有機基（この場合ベンゼン環）と急激に反応
し、クラックが発生したり発泡することがあった。ま
た、プラズマ中のラジカルが基底状態に戻るときの短波
長の発光がベンゼン環に吸収され、そのエネルギーによ
りラダーオルガノシロキサン膜が変質することもあっ
た。この様なラダーオルガノシロキサン膜の劣化によ
り、その後の半導体装置の高温高湿試験で不良が発生し
た。
シロキサン膜がプラズマに晒されて劣化することが防止
できる。この場合も真空蒸着ＳｉＯ2膜８を設けないで
比較実験を行うと、プラズマ中の酸素ラジカル、イオン
が直接ラダーオルガノシロキサン膜に照射してシロキサ
ン側鎖の有機基（この場合ベンゼン環）と急激に反応
し、クラックが発生したり発泡することがあった。ま
た、プラズマ中のラジカルが基底状態に戻るときの短波
長の発光がベンゼン環に吸収され、そのエネルギーによ
りラダーオルガノシロキサン膜が変質することもあっ
た。この様なラダーオルガノシロキサン膜の劣化によ
り、その後の半導体装置の高温高湿試験で不良が発生し
た。
【００４６】この様に上記実施例３では、ラダーオルガ
ノシロキサン膜上に真空蒸着ＳｉＯ2膜８を形成した後
プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成して層間絶縁膜を
構成するため、ラダーオルガノシロキサン膜の、クラッ
クの発生、発泡、および変質等の劣化が防止され、上記
実施例１と同様に信頼性の高い層間絶縁膜が得られる。
ノシロキサン膜上に真空蒸着ＳｉＯ2膜８を形成した後
プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成して層間絶縁膜を
構成するため、ラダーオルガノシロキサン膜の、クラッ
クの発生、発泡、および変質等の劣化が防止され、上記
実施例１と同様に信頼性の高い層間絶縁膜が得られる。
【００４７】実施例４．なお、上記実施例３では、
Ｒ1、Ｒ2はフェニル基、Ｒは水素、ｎはＭｗ＝１５００
００となる整数の場合のラダーオルガノシロキサンを用
いたが、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ、ｎのその他の組み合わせの例を
以下の表１に示す。
Ｒ1、Ｒ2はフェニル基、Ｒは水素、ｎはＭｗ＝１５００
００となる整数の場合のラダーオルガノシロキサンを用
いたが、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ、ｎのその他の組み合わせの例を
以下の表１に示す。
【００４８】
【表１】
【００４９】表に示すＮｏ．１〜１６のそれぞれについ
て、真空蒸着ＳｉＯ2膜８を設けないで直接プラズマＣ
ＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成する比較実験を行うと、側鎖
にフェニル基をもつラダーオルガノシロキサンを用いた
場合、上記実施例３と同様の結果を得た。Ｎｏ．３〜１
１に示すラダーオルガノシロキサンを用いた場合、短波
長の紫外線の吸収が小さいため、それによる変質はない
が、メチル基、プロキル基は酸素ラジカル、イオンによ
って灰化するためラダーオルガノシロキサン膜は劣化し
た。カーボンを含まず水素のみのものは、上記の様な問
題はないが、上記実施例２で示した様なピンホールの増
大が発生することがあった。
て、真空蒸着ＳｉＯ2膜８を設けないで直接プラズマＣ
ＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成する比較実験を行うと、側鎖
にフェニル基をもつラダーオルガノシロキサンを用いた
場合、上記実施例３と同様の結果を得た。Ｎｏ．３〜１
１に示すラダーオルガノシロキサンを用いた場合、短波
長の紫外線の吸収が小さいため、それによる変質はない
が、メチル基、プロキル基は酸素ラジカル、イオンによ
って灰化するためラダーオルガノシロキサン膜は劣化し
た。カーボンを含まず水素のみのものは、上記の様な問
題はないが、上記実施例２で示した様なピンホールの増
大が発生することがあった。
【００５０】この様に上記実施例４では、上記表のＮ
ｏ．１〜１６に示すラダーオルガノシロキサンを用いた
ラダーオルガノシロキサン膜上に真空蒸着ＳｉＯ2膜８
を形成した後プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成して
層間絶縁膜を構成するため、上述した比較実験結果の様
なラダーオルガノシロキサン膜の劣化が防止され、信頼
性の高い層間絶縁膜が得られ、その後の半導体装置の高
温高湿試験で良好な結果が得られた。
ｏ．１〜１６に示すラダーオルガノシロキサンを用いた
ラダーオルガノシロキサン膜上に真空蒸着ＳｉＯ2膜８
を形成した後プラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成して
層間絶縁膜を構成するため、上述した比較実験結果の様
なラダーオルガノシロキサン膜の劣化が防止され、信頼
性の高い層間絶縁膜が得られ、その後の半導体装置の高
温高湿試験で良好な結果が得られた。
【００５１】なお、ラダーオルガノシロキサン膜以外の
シロキサン膜を塗布絶縁膜に用いても、同様に信頼性の
高い層間絶縁膜が得られる。
シロキサン膜を塗布絶縁膜に用いても、同様に信頼性の
高い層間絶縁膜が得られる。
【００５２】実施例５．次に、塗布絶縁膜上に熱ＣＶＤ
法によって第１の無機系絶縁膜としてのＳｉＯ2膜を形
成する場合について説明する。下層配線２上に上記実施
例３と同様にラダーオルガノシロキサン膜から成る塗布
絶縁膜を形成し、次いで塗布絶縁膜上にＳｉＯ2膜を、
熱ＣＶＤ法により、形成温度：５００℃、圧力：１Ｔｏ
ｒｒ、ＳｉＨ4とＯ2をソースとして約５０ｎｍの膜厚に
形成する。その後上記実施例１と同様にプラズマＣＶＤ
−ＳｉＯ2膜９を形成して多層構造の層間絶縁膜を得
る。
法によって第１の無機系絶縁膜としてのＳｉＯ2膜を形
成する場合について説明する。下層配線２上に上記実施
例３と同様にラダーオルガノシロキサン膜から成る塗布
絶縁膜を形成し、次いで塗布絶縁膜上にＳｉＯ2膜を、
熱ＣＶＤ法により、形成温度：５００℃、圧力：１Ｔｏ
ｒｒ、ＳｉＨ4とＯ2をソースとして約５０ｎｍの膜厚に
形成する。その後上記実施例１と同様にプラズマＣＶＤ
−ＳｉＯ2膜９を形成して多層構造の層間絶縁膜を得
る。
【００５３】熱ＣＶＤ法によるＳｉＯ2膜の形成温度
は、下地の塗布絶縁膜の耐熱性によって決まり、５００
℃程度の比較的低温で形成するため、下地の塗布絶縁膜
を攻撃するほどの活性酸素は発生しない。このため塗布
絶縁膜がダメージを受けて劣化することなく上記実施例
１と同様に信頼性の高い層間絶縁膜が得られる。また、
熱ＣＶＤ法によるＳｉＯ2膜は、単独では絶縁膜として
性能が劣るものであるが、下地がプラズマの影響を受け
ない程度に薄く形成し、上層に緻密で膜質の良いプラズ
マＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成するため高性能な層間絶
縁膜が得られる。
は、下地の塗布絶縁膜の耐熱性によって決まり、５００
℃程度の比較的低温で形成するため、下地の塗布絶縁膜
を攻撃するほどの活性酸素は発生しない。このため塗布
絶縁膜がダメージを受けて劣化することなく上記実施例
１と同様に信頼性の高い層間絶縁膜が得られる。また、
熱ＣＶＤ法によるＳｉＯ2膜は、単独では絶縁膜として
性能が劣るものであるが、下地がプラズマの影響を受け
ない程度に薄く形成し、上層に緻密で膜質の良いプラズ
マＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形成するため高性能な層間絶
縁膜が得られる。
【００５４】なお、塗布絶縁膜には上記実施例１、２お
よび４で示したものを用いても良く、同様な効果を得
る。
よび４で示したものを用いても良く、同様な効果を得
る。
【００５５】実施例６．次に、塗布絶縁膜上にリモート
プラズマＣＶＤ法によって第１の無機系絶縁膜としての
ＳｉＯ2膜を形成する場合について説明する。下層配線
２上に上記実施例３と同様にラダーオルガノシロキサン
膜から成る塗布絶縁膜を形成し、次いで塗布絶縁膜上に
ＳｉＯ2膜を、リモートプラズマＣＶＤ法により、μ波
電力：８００Ｗ、圧力：０．５Ｔｏｒｒ、ＳｉＨ4とＯ2
をソースとして約５０ｎｍの膜厚に形成する。その後上
記実施例１と同様にプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形
成して多層構造の層間絶縁膜を得る。
プラズマＣＶＤ法によって第１の無機系絶縁膜としての
ＳｉＯ2膜を形成する場合について説明する。下層配線
２上に上記実施例３と同様にラダーオルガノシロキサン
膜から成る塗布絶縁膜を形成し、次いで塗布絶縁膜上に
ＳｉＯ2膜を、リモートプラズマＣＶＤ法により、μ波
電力：８００Ｗ、圧力：０．５Ｔｏｒｒ、ＳｉＨ4とＯ2
をソースとして約５０ｎｍの膜厚に形成する。その後上
記実施例１と同様にプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９を形
成して多層構造の層間絶縁膜を得る。
【００５６】リモートプラズマＣＶＤ法は、図３にその
概念図を示す。図において、１１は被処理基板（以下、
基板と称す）、１２は反応室、１３はプラズマ放電部、
１４はμ波マグネトロン、１５は導波管である。図に示
す様に、活性種を発生するプラズマ放電部１３と基板１
１は離れており、プラズマは直接基板１１に照射されな
い。μ波で励起された活性種はＲＦによるものに比べ寿
命が長く、中性ラジカルが拡散と圧力勾配によって基板
１１に輸送され膜形成に寄与する。この様に、リモート
プラズマ法では基板１１にイオン等のダメージを与えず
に膜形成が行えるため、上記実施例６では塗布絶縁膜に
ダメージを与えて劣化させることなくＳｉＯ2膜が形成
できる。また、リモートプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ
2膜は膜質、形成時の成長速度が比較的劣るものである
が、下地がプラズマの影響を受けない程度に薄く形成
し、上層に緻密で膜質の良いプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2
膜９を形成するため高性能で信頼性の高い層間絶縁膜が
得られる。
概念図を示す。図において、１１は被処理基板（以下、
基板と称す）、１２は反応室、１３はプラズマ放電部、
１４はμ波マグネトロン、１５は導波管である。図に示
す様に、活性種を発生するプラズマ放電部１３と基板１
１は離れており、プラズマは直接基板１１に照射されな
い。μ波で励起された活性種はＲＦによるものに比べ寿
命が長く、中性ラジカルが拡散と圧力勾配によって基板
１１に輸送され膜形成に寄与する。この様に、リモート
プラズマ法では基板１１にイオン等のダメージを与えず
に膜形成が行えるため、上記実施例６では塗布絶縁膜に
ダメージを与えて劣化させることなくＳｉＯ2膜が形成
できる。また、リモートプラズマＣＶＤ法によるＳｉＯ
2膜は膜質、形成時の成長速度が比較的劣るものである
が、下地がプラズマの影響を受けない程度に薄く形成
し、上層に緻密で膜質の良いプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2
膜９を形成するため高性能で信頼性の高い層間絶縁膜が
得られる。
【００５７】なお、この場合も塗布絶縁膜には、上記実
施例１、２および４で示したものを用いても良く、同様
な効果が得られる。
施例１、２および４で示したものを用いても良く、同様
な効果が得られる。
【００５８】実施例７．次に、塗布絶縁膜上にイオンク
ラスタビーム（ＩＣＢ）蒸着法によって第１の無機系絶
縁膜としてのＳｉＯ2膜を形成する場合について説明す
る。下層配線２上に上記実施例３と同様にラダーオルガ
ノシロキサン膜から成る塗布絶縁膜を形成し、次いで塗
布絶縁膜上にＳｉＯ2膜を、ＩＣＢ蒸着法により、圧
力：１×１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度：２００℃、ソース
温度：１１００℃で約５０ｎｍの膜厚に形成する。その
後上記実施例１と同様にプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９
を形成して多層構造の層間絶縁膜を得る。
ラスタビーム（ＩＣＢ）蒸着法によって第１の無機系絶
縁膜としてのＳｉＯ2膜を形成する場合について説明す
る。下層配線２上に上記実施例３と同様にラダーオルガ
ノシロキサン膜から成る塗布絶縁膜を形成し、次いで塗
布絶縁膜上にＳｉＯ2膜を、ＩＣＢ蒸着法により、圧
力：１×１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度：２００℃、ソース
温度：１１００℃で約５０ｎｍの膜厚に形成する。その
後上記実施例１と同様にプラズマＣＶＤ−ＳｉＯ2膜９
を形成して多層構造の層間絶縁膜を得る。
【００５９】ＩＣＢ蒸着法は、図４にその概念図を示
す。図において、１６はるつぼ、１７は蒸着源となる原
料、１８はチャンバ、１９は原子クラスター、２０は電
気抵抗器による加熱手段、２１はＥＢ照射による加熱手
段、２２は噴射ノズル、２３はイオン化グリッド、２４
はイオン化部である。図に示す様に、るつぼ１６内の原
料１７を、その融点により電気抵抗器のジュール熱２
０、またはＥＢ照射２１により加熱して、噴射ノズル２
２よりチャンバ１８内へ噴射させる。このとき断熱膨張
による過冷却により１０3個程度の原子クラスター１９
を形成しこれが基板１１上に、噴射時の運動エネルギー
により輸送され膜形成に寄与する。原子クラスター１９
にイオン化グリッド２３から電子を照射してクラスタイ
オンとし負バイアスで加速することもできるが、この塗
布絶縁膜上に膜形成を行うこの実施例では用いない方が
好ましい。
す。図において、１６はるつぼ、１７は蒸着源となる原
料、１８はチャンバ、１９は原子クラスター、２０は電
気抵抗器による加熱手段、２１はＥＢ照射による加熱手
段、２２は噴射ノズル、２３はイオン化グリッド、２４
はイオン化部である。図に示す様に、るつぼ１６内の原
料１７を、その融点により電気抵抗器のジュール熱２
０、またはＥＢ照射２１により加熱して、噴射ノズル２
２よりチャンバ１８内へ噴射させる。このとき断熱膨張
による過冷却により１０3個程度の原子クラスター１９
を形成しこれが基板１１上に、噴射時の運動エネルギー
により輸送され膜形成に寄与する。原子クラスター１９
にイオン化グリッド２３から電子を照射してクラスタイ
オンとし負バイアスで加速することもできるが、この塗
布絶縁膜上に膜形成を行うこの実施例では用いない方が
好ましい。
【００６０】この様なＩＣＢ蒸着法を用いてＳｉＯ2膜
形成する場合、融点の比較的低いＳｉＯを原料１７に用
い、チャンバ１８雰囲気にＯ2を用い酸化によりＳｉＯ2
とする。上述したＩＣＢ蒸着法では、原子クラスター１
９発生部およびイオン化部２４が基板１１と離れている
ため、基板１１にダメージを与えずに膜形成が行える。
すなわち、上記実施例７では塗布絶縁膜にダメージを与
えて劣化させることなくＳｉＯ2膜が形成できる。ま
た、ＩＣＢ蒸着法による膜は真空蒸着法によるものと同
様にステップカバレジ性が比較的劣るものであるが、表
面平坦性の良好な塗布絶縁膜上に形成されるため問題な
く、さらに上層に緻密で膜質の良いプラズマＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2膜９を形成するため、高性能で信頼性の高い層間
絶縁膜が得られる。
形成する場合、融点の比較的低いＳｉＯを原料１７に用
い、チャンバ１８雰囲気にＯ2を用い酸化によりＳｉＯ2
とする。上述したＩＣＢ蒸着法では、原子クラスター１
９発生部およびイオン化部２４が基板１１と離れている
ため、基板１１にダメージを与えずに膜形成が行える。
すなわち、上記実施例７では塗布絶縁膜にダメージを与
えて劣化させることなくＳｉＯ2膜が形成できる。ま
た、ＩＣＢ蒸着法による膜は真空蒸着法によるものと同
様にステップカバレジ性が比較的劣るものであるが、表
面平坦性の良好な塗布絶縁膜上に形成されるため問題な
く、さらに上層に緻密で膜質の良いプラズマＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2膜９を形成するため、高性能で信頼性の高い層間
絶縁膜が得られる。
【００６１】なお、この場合も塗布絶縁膜には、上記実
施例１、２、および４で示したものを用いても良く、同
様の効果が得られる。
施例１、２、および４で示したものを用いても良く、同
様の効果が得られる。
【００６２】また、実施例１〜７において第１および第
２の無機系絶縁膜としてＳｉＯ2膜を用いたが、これに
限定されずＳｉＮ膜等他の絶縁膜でも良い。
２の無機系絶縁膜としてＳｉＯ2膜を用いたが、これに
限定されずＳｉＮ膜等他の絶縁膜でも良い。
【００６３】実施例８．次に、塗布絶縁膜を層間絶縁膜
として用い、その上にＥＢ真空蒸着法により導電膜を形
成する場合について図５について説明する。図におい
て、２５は上記実施例３で用いたラダーオルガノシロキ
サン膜から成る塗布絶縁膜、２６は塗布絶縁膜２５上に
ＥＢ真空蒸着法によって形成された第１の導電膜として
の真空蒸着Ａｌ膜、２７は真空蒸着Ａｌ膜２６上に高周
波スパッタリング法により形成された、例えばＡｌＳｉ
Ｃｕ等から成る第２の導電膜としてのスパッタＡｌ合金
膜である、２８は真空蒸着Ａｌ膜２６とスパッタＡｌ合
金膜２７とが積層されて成る上層配線である。
として用い、その上にＥＢ真空蒸着法により導電膜を形
成する場合について図５について説明する。図におい
て、２５は上記実施例３で用いたラダーオルガノシロキ
サン膜から成る塗布絶縁膜、２６は塗布絶縁膜２５上に
ＥＢ真空蒸着法によって形成された第１の導電膜として
の真空蒸着Ａｌ膜、２７は真空蒸着Ａｌ膜２６上に高周
波スパッタリング法により形成された、例えばＡｌＳｉ
Ｃｕ等から成る第２の導電膜としてのスパッタＡｌ合金
膜である、２８は真空蒸着Ａｌ膜２６とスパッタＡｌ合
金膜２７とが積層されて成る上層配線である。
【００６４】この様に構成される半導体装置の製造方法
を以下に示す。まず、素子構成された基板１の表面にＡ
ｌ合金等の下層配線２を形成し、その上の全面に上記実
施例３と同様にラダーオルガノシロキサン膜２５を形成
する。その後、接続孔（図示せず）を形成後、ラダーオ
ルガノシロキサン膜２５上の全面に真空蒸着Ａｌ膜２６
を、ＡｌをソースとするＥＢ真空蒸着法により、圧力：
１×１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度：２００℃で約０．１μ
ｍの膜厚に形成する。さらに、真空蒸着Ａｌ膜２６上の
全面にＡｌ合金をターゲットとする高周波スパッタリン
グ法によるスパッタＡｌ合金膜２７を約０．５μｍの膜
厚に形成した後、スパッタＡｌ合金膜２７／真空蒸着Ａ
ｌ膜２６をパターニングして上層配線２８を形成する。
を以下に示す。まず、素子構成された基板１の表面にＡ
ｌ合金等の下層配線２を形成し、その上の全面に上記実
施例３と同様にラダーオルガノシロキサン膜２５を形成
する。その後、接続孔（図示せず）を形成後、ラダーオ
ルガノシロキサン膜２５上の全面に真空蒸着Ａｌ膜２６
を、ＡｌをソースとするＥＢ真空蒸着法により、圧力：
１×１０-5Ｔｏｒｒ、基板温度：２００℃で約０．１μ
ｍの膜厚に形成する。さらに、真空蒸着Ａｌ膜２６上の
全面にＡｌ合金をターゲットとする高周波スパッタリン
グ法によるスパッタＡｌ合金膜２７を約０．５μｍの膜
厚に形成した後、スパッタＡｌ合金膜２７／真空蒸着Ａ
ｌ膜２６をパターニングして上層配線２８を形成する。
【００６５】上記実施例８では、ラダーオルガノシロキ
サン膜２５上に真空蒸着Ａｌ膜２６を形成するため、ラ
ダーオルガノシロキサン膜２５がプラズマに晒されてダ
メージを受けることがなく、劣化が防止できる。上記実
施例８において、真空蒸着Ａｌ膜２６を設けないで、そ
の他を同じ条件にしてラダーオルガノシロキサン膜２５
上に直接スパッタＡｌ合金膜２７を形成する比較実験を
行うと、Ａｒ+イオンはバイアスによりターゲットへ動
き、対向側のラダーオルガノシロキサン膜２５への影響
は比較的少ないが、中性ラジカルの影響や、上記実施例
３で示した比較実験と同様の現象が発生し、ラダーオル
ガノシロキサン膜２５が劣化し、その後の半導体装置の
高温高湿試験で不良が発生した。
サン膜２５上に真空蒸着Ａｌ膜２６を形成するため、ラ
ダーオルガノシロキサン膜２５がプラズマに晒されてダ
メージを受けることがなく、劣化が防止できる。上記実
施例８において、真空蒸着Ａｌ膜２６を設けないで、そ
の他を同じ条件にしてラダーオルガノシロキサン膜２５
上に直接スパッタＡｌ合金膜２７を形成する比較実験を
行うと、Ａｒ+イオンはバイアスによりターゲットへ動
き、対向側のラダーオルガノシロキサン膜２５への影響
は比較的少ないが、中性ラジカルの影響や、上記実施例
３で示した比較実験と同様の現象が発生し、ラダーオル
ガノシロキサン膜２５が劣化し、その後の半導体装置の
高温高湿試験で不良が発生した。
【００６６】この様に上記実施例８では、ラダーオルガ
ノシロキサン膜２５上に、真空蒸着Ａｌ膜２６を形成し
た後スパッタＡｌ合金膜２７を形成して上層配線２８を
構成したため、ラダーオルガノシロキサン膜２５の劣化
が防止され、信頼性の高い半導体装置が得られる。また
この様な装置を、特に高価な装置や複雑な工程を必要と
せず容易に製造できる。
ノシロキサン膜２５上に、真空蒸着Ａｌ膜２６を形成し
た後スパッタＡｌ合金膜２７を形成して上層配線２８を
構成したため、ラダーオルガノシロキサン膜２５の劣化
が防止され、信頼性の高い半導体装置が得られる。また
この様な装置を、特に高価な装置や複雑な工程を必要と
せず容易に製造できる。
【００６７】なお、真空蒸着Ａｌ膜２６は、ＥＢ真空蒸
着法に限らず、イオンビーム等を併用しない通常の真空
蒸着法により形成しても良い。
着法に限らず、イオンビーム等を併用しない通常の真空
蒸着法により形成しても良い。
【００６８】実施例９．次に、塗布絶縁膜上に熱ＣＶＤ
法により第１の導電膜を形成する場合について説明す
る。上記実施例８と同様に下層配線２上にラダーオルガ
ノシロキサン膜２５から成る塗布絶縁膜を形成し、次い
で接続孔を形成後、ラダーオルガノシロキサン膜２５上
の全面に第１の導電膜としてのＷ膜を、ＷＦ6をソース
とする熱ＣＶＤ法により、ＷＦ6流量：５０SCCM、基板
温度：５００℃、圧力８０Ｔｏｒｒで行った。その後上
記実施例８と同様にスパッタＡｌ合金膜２７を形成した
後スパッタＡｌ合金膜２７／Ｗ膜をパターニングして上
層配線を形成する。
法により第１の導電膜を形成する場合について説明す
る。上記実施例８と同様に下層配線２上にラダーオルガ
ノシロキサン膜２５から成る塗布絶縁膜を形成し、次い
で接続孔を形成後、ラダーオルガノシロキサン膜２５上
の全面に第１の導電膜としてのＷ膜を、ＷＦ6をソース
とする熱ＣＶＤ法により、ＷＦ6流量：５０SCCM、基板
温度：５００℃、圧力８０Ｔｏｒｒで行った。その後上
記実施例８と同様にスパッタＡｌ合金膜２７を形成した
後スパッタＡｌ合金膜２７／Ｗ膜をパターニングして上
層配線を形成する。
【００６９】上記実施例９においても、ラダーオルガノ
シロキサン膜２６の劣化が防止でき上記実施例８と同様
の効果が得られる。
シロキサン膜２６の劣化が防止でき上記実施例８と同様
の効果が得られる。
【００７０】なお、上記実施例８および９において、塗
布絶縁膜には上記実施例１、２および４で示したものを
用いても良く、同様な効果を得る。また、第１および第
２の導電膜についても上記実施例８および９に示したも
のに限るものではなく、他の導電性膜を用いても良い。
布絶縁膜には上記実施例１、２および４で示したものを
用いても良く、同様な効果を得る。また、第１および第
２の導電膜についても上記実施例８および９に示したも
のに限るものではなく、他の導電性膜を用いても良い。
【００７１】また更に、第２の導電膜を形成しないで、
第１の導電膜のみで上層配線とする事もできる。
第１の導電膜のみで上層配線とする事もできる。
【００７２】
【発明の効果】以上の様に、この発明によると、層間絶
縁膜が、有機系塗布絶縁膜と、この塗布絶縁膜上に形成
された真空蒸着法による無機系絶縁膜とを有するため、
製造工程において、塗布絶縁膜がプラズマに晒されるこ
とがなく、塗布絶縁膜の劣化が防止でき信頼性の高い層
間絶縁膜が得られる。また容易に製造できる構造である
ため上記効果を容易に達成できる。
縁膜が、有機系塗布絶縁膜と、この塗布絶縁膜上に形成
された真空蒸着法による無機系絶縁膜とを有するため、
製造工程において、塗布絶縁膜がプラズマに晒されるこ
とがなく、塗布絶縁膜の劣化が防止でき信頼性の高い層
間絶縁膜が得られる。また容易に製造できる構造である
ため上記効果を容易に達成できる。
【００７３】また、この発明によると、塗布絶縁膜上に
熱ＣＶＤ法による無機系絶縁膜を有するため、上記と同
様の効果を奏する。さらに、この発明によると、塗布絶
縁膜上にリモートプラズマ法またはイオンクラスタビー
ム蒸着法による無機系絶縁膜を有するため上記と同様の
効果を得る。
熱ＣＶＤ法による無機系絶縁膜を有するため、上記と同
様の効果を奏する。さらに、この発明によると、塗布絶
縁膜上にリモートプラズマ法またはイオンクラスタビー
ム蒸着法による無機系絶縁膜を有するため上記と同様の
効果を得る。
【００７４】また、この発明によると、層間絶縁膜を、
塗布絶縁膜と、この塗布絶縁膜上の第１の無機系絶縁膜
と、さらにその上のプラズマＣＶＤ法による第２の無機
系絶縁膜とで構成する。このため、塗布絶縁膜の劣化を
防止し、上層に緻密で膜質の良い第２の無機系絶縁膜を
設けたことにより、さらに良質で信頼性の高い層間絶縁
膜が得られる。また、第１の無機系絶縁膜は、下地の塗
布絶縁膜がプラズマの影響を受けない程度に薄く形成す
れば良く、有機系塗布絶縁膜と第１の無機系絶縁膜との
密着性が向上する。
塗布絶縁膜と、この塗布絶縁膜上の第１の無機系絶縁膜
と、さらにその上のプラズマＣＶＤ法による第２の無機
系絶縁膜とで構成する。このため、塗布絶縁膜の劣化を
防止し、上層に緻密で膜質の良い第２の無機系絶縁膜を
設けたことにより、さらに良質で信頼性の高い層間絶縁
膜が得られる。また、第１の無機系絶縁膜は、下地の塗
布絶縁膜がプラズマの影響を受けない程度に薄く形成す
れば良く、有機系塗布絶縁膜と第１の無機系絶縁膜との
密着性が向上する。
【００７５】また、この発明によると、塗布絶縁膜上に
接して真空蒸着法による導電膜を形成したため、製造工
程において塗布絶縁膜がプラズマに晒されることなく、
塗布絶縁膜の劣化が防止でき信頼性が向上する。また、
容易に製造できる構造であるため、上記効果を容易に達
成できる。
接して真空蒸着法による導電膜を形成したため、製造工
程において塗布絶縁膜がプラズマに晒されることなく、
塗布絶縁膜の劣化が防止でき信頼性が向上する。また、
容易に製造できる構造であるため、上記効果を容易に達
成できる。
【００７６】また、この発明によると、塗布絶縁膜上に
熱ＣＶＤ法による導電膜を形成したため、上記と同様の
効果を奏する。
熱ＣＶＤ法による導電膜を形成したため、上記と同様の
効果を奏する。
【００７７】また、この発明によると、塗布絶縁膜上の
上層配線が、第１の導電膜と、その上のスパッタリング
法による第２の導電膜とで構成されるため、塗布絶縁膜
の劣化が防止でき、さらに低抵抗で良質な上層配線を得
る。
上層配線が、第１の導電膜と、その上のスパッタリング
法による第２の導電膜とで構成されるため、塗布絶縁膜
の劣化が防止でき、さらに低抵抗で良質な上層配線を得
る。
【００７８】また、この発明によると、塗布絶縁膜をポ
リイミド樹脂で構成したため、塗布絶縁膜の劣化が防止
でき信頼性が向上する。
リイミド樹脂で構成したため、塗布絶縁膜の劣化が防止
でき信頼性が向上する。
【００７９】また、この発明によると、塗布絶縁膜をシ
リケート系ＳＯＧ膜、またはシロキサン膜、またはラダ
ーオルガノシロキサン膜で構成したため、上記と同様の
効果を奏する。
リケート系ＳＯＧ膜、またはシロキサン膜、またはラダ
ーオルガノシロキサン膜で構成したため、上記と同様の
効果を奏する。
【図１】 この発明の実施例１による半導体装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】 この発明の実施例１による半導体装置の製造
方法を示す断面図である。
方法を示す断面図である。
【図３】 この発明の実施例６におけるリモートプラズ
マＣＶＤ法の概念図である。
マＣＶＤ法の概念図である。
【図４】 この発明の実施例７におけるイオンクラスタ
ビーム蒸着法の概念図である。
ビーム蒸着法の概念図である。
【図５】 この発明の実施例８による半導体装置の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】 従来の半導体装置の構造を示す断面図であ
る。
る。
【図７】 従来の別例による半導体装置の構造を示す断
面図である。
面図である。
１ 半導体基板、２ 下層配線、４ 上層配線、７ ポ
リイミド樹脂から成る塗布絶縁膜、８ 真空蒸着法によ
る第１の無機系絶縁膜、９ プラズマＣＶＤ法による第
２の無機系絶縁膜、１０ 層間絶縁膜、２５ ラダーオ
ルガノシロキサン膜から成る塗布絶縁膜、２６ 真空蒸
着法による第１の導電膜、２７ スパッタリング法によ
る第２の導電膜、２８ 上層配線。
リイミド樹脂から成る塗布絶縁膜、８ 真空蒸着法によ
る第１の無機系絶縁膜、９ プラズマＣＶＤ法による第
２の無機系絶縁膜、１０ 層間絶縁膜、２５ ラダーオ
ルガノシロキサン膜から成る塗布絶縁膜、２６ 真空蒸
着法による第１の導電膜、２７ スパッタリング法によ
る第２の導電膜、２８ 上層配線。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/90 Ｋ
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体基板上に下層配線と上層配線とこ
れら上下配線を絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けら
れ、上記層間絶縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶
縁膜上に形成された、真空蒸着法による無機系絶縁膜と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半導体基板上に下層配線と上層配線とこ
れら上下配線を絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けら
れ、上記層間絶縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶
縁膜上に形成された、熱ＣＶＤ法による無機系絶縁膜と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 半導体基板上に下層配線と上層配線とこ
れら上下配線を絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けら
れ、上記層間絶縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶
縁膜上に形成された、リモートプラズマＣＶＤ法による
無機系絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 半導体基板上に下層配線と上層配線とこ
れら上下配線を絶縁する積層構造の層間絶縁膜が設けら
れ、上記層間絶縁膜が、有機系塗布絶縁膜とこの塗布絶
縁膜上に形成された、イオンクラスタビーム蒸着法によ
る無機系絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の無機系
絶縁膜を第１の無機系絶縁膜とし、その上にさらにプラ
ズマＣＶＤ法による第２の無機系絶縁膜を形成し、有機
系塗布絶縁膜と上記第１の無機系絶縁膜と上記第２の無
機系絶縁膜とで層間絶縁膜を構成したことを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項６】 半導体基板上に下層配線と上層配線とこ
れら上下層配線を絶縁する有機系塗布絶縁膜とを有し、
上記上層配線となる真空蒸着法による導電膜が、上記塗
布絶縁膜上に接して形成されたことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項７】 半導体基板上に下層配線と上層配線とこ
れら上下層配線を絶縁する有機系塗布絶縁膜とを有し、
上記上層配線となる熱ＣＶＤ法による導電膜が、上記塗
布絶縁膜上に接して形成されたことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項８】 上層配線が、真空蒸着法または熱ＣＶＤ
法による第１の導電膜と、この第１の導電膜上に形成さ
れたスパッタリング法による第２の導電膜とで構成され
たことを特徴とする請求項６または７記載の半導体装
置。 - 【請求項９】 塗布絶縁膜がポリイミド樹脂から成るこ
とを特徴とした請求項１〜８のいずれかに記載の半導体
装置。 - 【請求項１０】 塗布絶縁膜がシリケート系ＳＯＧ膜か
ら成ることを特徴とした請求項１〜８のいずれかに記載
の半導体装置。 - 【請求項１１】 塗布絶縁膜がシロキサン膜から成るこ
とを特徴とした請求項１〜８のいずれかに記載の半導体
装置。 - 【請求項１２】 塗布絶縁膜がラダーオルガノシロキサ
ン膜から成ることを特徴とする請求項１１記載の半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1704995A JPH08213456A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1704995A JPH08213456A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213456A true JPH08213456A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=11933144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1704995A Pending JPH08213456A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213456A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081313A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Showa Denko Kk | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2011233858A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜素子用基板の製造方法、薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜素子、および薄膜トランジスタ |
-
1995
- 1995-02-03 JP JP1704995A patent/JPH08213456A/ja active Pending
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
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