JP3363614B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、一般に半導体装置の
製造方法に関するものであり、より特定的には、層間絶
縁膜の耐クラック性を向上させるように改良された半導
体装置の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】スピンオングラス（ＳＯＧ）法は、層間
絶縁膜の平坦化手法として、一般的に、ＬＳＩ製造プロ
セスに適用されている。ＳＯＧ材料は、主に、無機ＳＯ
Ｇと有機ＳＯＧの２種類に大別される。無機ＳＯＧは、
耐クラック性が乏しく、厚膜形成による十分な、層間膜
の平坦化を行なうことは困難である。一方、有機ＳＯＧ
は、膜中に有機成分（たとえばメチル基）を含んでお
り、良好な耐クラック性を有しているが、膜中に含まれ
る有機成分が分解し、生成する水分によりビアホール信
頼性が劣化する欠点を持つ。そこで、近年、これらの材
料に代わるものとして、厚膜形成が可能な無機ＳＯＧと
して、図３に示すＨＳＱ（ハイドロゼンシルセスキオキ
サン）が注目されており、この材料に関するプロセスが
開発されている。 【０００３】ＨＳＱについては、バランスらの論文（Ju
ne 9-10, 1992 VMIC Conference ）や、プラマニクらの
論文（June 8-9, 1993 VMIC Conference）に詳述されて
いる。ＨＳＱは、図３に示すように、立方体のポリマ構
造を有している。プラマニクらによれば、この材料を、
スピン塗布後、４００℃の窒素雰囲気で焼成すると、次
式（１）に示すように、ポリマの末端基であるＳｉ−Ｈ
基がＳｉ−ＯＨ基に変化し、さらに、式（２）に示す脱
水反応により、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を生成し、ポリマ同
士が結合し、最終的に薄膜を形成する。 【０００４】 Ｓｉ−Ｈ＋Ｏ→Ｓｉ−ＯＨ…（１） Ｓｉ−ＯＨ＋Ｓｉ−ＯＨ→Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ＋Ｈ2 Ｏ…（２） 次に、ＨＳＱを用いる、従来の層間絶縁膜の形成フロー
について説明する。 【０００５】図４（ａ）を参照して、素子、絶縁層が形
成されたシリコン基板１１を準備する。シリコン基板１
１の上にアルミ配線パターン１２を形成する。アルミ配
線パターン１２の表面を被覆するように、シリコン基板
１１の上に第１のプラズマ酸化膜１３を形成する。 【０００６】図４（ｂ）を参照して、第１のプラズマ酸
化膜１３でその表面が被覆されたアルミ配線パターン１
２を覆うように、第１のプラズマ酸化膜１３の上に、Ｈ
ＳＱで形成されたＳＯＧ膜（以下ＨＳＱ−ＳＯＧ膜とい
う）１４を形成する。その後、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜１４
を、４００℃の窒素雰囲気で、３０分間窒素シンタを行
なって、焼成する。 【０００７】図４（ｃ）を参照して、焼成されたＨＳＱ
−ＳＯＧ膜１４を覆うように、シリコン基板１１の上に
第２のプラズマ酸化膜１６を形成する。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】ＨＳＱ−ＳＯＧ膜は、
既に、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を、その膜内に含むため、従
来の無機ＳＯＧ（脱水反応により、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合
を形成する）で問題になっていた材料自身の収縮による
クラックは発生しにくい。 【０００９】しかしながら、ポリマの構造が立体構造で
あることから、Ｓｉ−Ｈ基を介した架橋反応の起こる確
率が低く、膜自身の強度を十分高くすることができなか
った。その結果、膨張率の大きいアルミニウム等の上に
膜形成を行なった場合、アルミニウムからの外部応力に
よりクラックが発生しやすいという問題点があった。 【００１０】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、耐クラック性を向上させた、
ＨＳＱを含む層間絶縁膜を有する、半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【課題を解決するための手段】この発明に従う半導体装
置の製造方法においては、まず、半導体基板の上に金属
配線パターンを形成する。上記金属配線パターンの表面
を被覆するように、上記半導体基板の上に第１の酸化膜
を形成する。上記第１の酸化膜で被覆された上記金属配
線パターンを覆うように、上記半導体基板の上にＳｉ−
Ｏ−Ｓｉ結合およびＳｉ−Ｈ基を含み、かつ立体的な分
子構造を有する、ＨＳＱのポリマ膜を形成する。上記ポ
リマ膜に不活性ガスによるプラズマ処理を施し、それに
よって、上記ポリマ膜中に不活性ガスを導入する。プラ
ズマ処理された上記ポリマ膜の上に、第２の酸化膜を形
成する。 【００１４】 【００１５】 【作用】この発明に従う半導体装置の製造方法によれ
ば、ＨＳＱで形成された、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合およびＳ
ｉ−Ｈ基を含み、かつ立体的な分子構造を有するポリマ
膜に、不活性ガスによるプラズマ処理を施す。このと
き、不活性ガスのラジカルは、ポリマ膜中に侵入し、膜
中に含まれるポリマと衝突し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を切
断し、結果として立体的なポリマの分子構造を分解し、
これを平面的な分子構造へと変化させる。この平面的な
分子構造は、この後行なわれるシンタ炉による窒素シン
タの際に架橋反応を促進する。 【００１６】 【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 【００１７】実施例１ 図１（ａ）を参照して、素子、絶縁層が形成されたシリ
コン基板１を準備する。シリコン基板１の上に、アルミ
配線パターン２を形成する。アルミ配線パターン２の表
面を被覆するように、シリコン基板１の上に第１のプラ
ズマ酸化膜３を形成する。第１のプラズマ酸化膜３は、
プラズマＣＶＤ法で形成される。形成条件は、形成温度
が４００℃、圧力が８Ｔｏｒｒ、高周波パワーが５００
Ｗで、原料ガスにＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane ）と酸
素を用いる。第１のプラズマ酸化膜３の膜厚は、２００
０Åである。 【００１８】図１（ｂ）を参照して、第１のプラズマ酸
化膜３の上に、スピン塗布により、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜４
を形成する。本実施例では、２０００回転で、膜厚が６
０００ÅのＨＳＱ−ＳＯＧ膜４を形成した。ＨＳＱ−Ｓ
ＯＧ膜４を塗布装置で塗布した直後に、同一装置内で、
ホットプレートにより、仮焼成する。焼成温度は１００
℃で１分、２００℃で１分、３００℃で１分である。 【００１９】図１（ｃ）を参照して、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜
４の表面を不活性ガスによるプラズマで処理する。本実
施例では、窒素プラズマを使用した。窒素プラズマはＮ
+ イオンまたはＮラジカル５を含む。窒素プラズマ処理
は、第１のプラズマ酸化膜３を形成したものと同一のプ
ラズマＣＶＤ装置を使用し、処理温度が４００℃、圧力
が８Ｔｏｒｒ、高周波パワーが５００Ｗで、原料ガスに
窒素を用いて行なった。Ｎ+ イオンまたはＮラジカル５
は、シリコン基板１上の電界効果または拡散により、Ｈ
ＳＱ−ＳＯＧ膜４上に到達し、さらに、ＨＳＱ−ＳＯＧ
膜４中に侵入する。 【００２０】ＨＳＱ−ＳＯＧ膜４は、非常に気体を透過
させやすい性質を持っており、Ｎ+イオンまたはＮラジ
カル５は、容易にＨＳＱ−ＳＯＧ膜４中に侵入する。Ｈ
ＳＱ−ＳＯＧ膜４中に侵入したこれらＮ+ イオンまたは
Ｎラジカル５は、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜４中に含まれるポリ
マと衝突し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を切断し、結果とし
て、立体的なポリマの分子構造を分解し、これを平面的
な分子構造へと変化させる。この平面的な分子構造が、
この後行なわれるシンタ炉による窒素シンタの際に、架
橋反応を促進し、膜強度を高める。そのため、ＨＳＱ−
ＳＯＧ膜４は、アルミ配線２からの外部応力に対し、十
分な耐クラック性を有するようになる。 【００２１】図１（ｄ）を参照して、第２のプラズマ酸
化膜６を、第１のプラズマ酸化膜３と同一装置、同一条
件で形成する。図示しないが、この後、この上に第２の
アルミ配線を形成すると、半導体装置は完成する。 【００２２】図２は、本発明に従って形成した層間絶縁
膜（窒素プラズマ有り）のクラックの発生頻度を、従来
法により形成した層間絶縁膜の場合（窒素プラズマ無
し）と比較して示した図である。この実験では、図１
（ａ）−（ｃ）まで行なった状態に、さらに窒素シンタ
を３０分間および６０分間行ない、クラックの発生を観
察した。図２には、０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μ
ｍのアルミ配線の配線間幅（溝幅）において発生したク
ラック数が示されている。また、６０箇所でクラックの
発生を観察した。図２より明らかなように、窒素プラズ
マを行なっていない場合、クラックが多数発生している
が、窒素プラズマの処理を行なうことによりクラックが
発生しなくなる。この結果より、窒素プラズマ処理がク
ラック防止に非常に効果を示すことが明らかとなった。 【００２３】実施例２ 実施例１では、窒素プラズマ処理を例示したが、この発
明はこれに限られるものでなく、アルゴンプラズマ処理
を行なっても、実施例１と同様の効果を実現する。 【００２４】なお、上記実施例では金属配線パターンと
してアルミ配線を例示したが、この発明はこれに限られ
ない。 【００２５】 【００２６】 【発明の効果】以上説明したとおり、この発明に従う半
導体装置の製造方法によれば、ＨＳＱで形成された、Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合およびＳｉ−Ｈ基を含み、かつ立体的
な分子構造を有するポリマ膜に不活性ガスによるプラズ
マ処理を施し、それによってポリマ膜中に不活性ガスを
導入する。このとき、不活性ガスのラジカルは、ポリマ
膜中に侵入し、ポリマ膜中に含まれるポリマと衝突し、
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を切断し、結果として立体的なポリ
マの分子構造を分解し、これを平面的な分子構造へと変
化させる。この平面的な分子構造は、この後行なわれる
シンタ炉による窒素シンタの際に、架橋反応を促進し、
膜強度を高める。それゆえに、得られるポリマ膜は、ア
ルミ配線からの外部応力に対して十分な耐クラック性を
有するようになる。その結果、十分な平坦性、十分な層
間膜絶縁耐圧を持つ高信頼性の層間絶縁膜を有する半導
体装置を与えるという効果を奏する。
製造方法に関するものであり、より特定的には、層間絶
縁膜の耐クラック性を向上させるように改良された半導
体装置の製造方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】スピンオングラス（ＳＯＧ）法は、層間
絶縁膜の平坦化手法として、一般的に、ＬＳＩ製造プロ
セスに適用されている。ＳＯＧ材料は、主に、無機ＳＯ
Ｇと有機ＳＯＧの２種類に大別される。無機ＳＯＧは、
耐クラック性が乏しく、厚膜形成による十分な、層間膜
の平坦化を行なうことは困難である。一方、有機ＳＯＧ
は、膜中に有機成分（たとえばメチル基）を含んでお
り、良好な耐クラック性を有しているが、膜中に含まれ
る有機成分が分解し、生成する水分によりビアホール信
頼性が劣化する欠点を持つ。そこで、近年、これらの材
料に代わるものとして、厚膜形成が可能な無機ＳＯＧと
して、図３に示すＨＳＱ（ハイドロゼンシルセスキオキ
サン）が注目されており、この材料に関するプロセスが
開発されている。 【０００３】ＨＳＱについては、バランスらの論文（Ju
ne 9-10, 1992 VMIC Conference ）や、プラマニクらの
論文（June 8-9, 1993 VMIC Conference）に詳述されて
いる。ＨＳＱは、図３に示すように、立方体のポリマ構
造を有している。プラマニクらによれば、この材料を、
スピン塗布後、４００℃の窒素雰囲気で焼成すると、次
式（１）に示すように、ポリマの末端基であるＳｉ−Ｈ
基がＳｉ−ＯＨ基に変化し、さらに、式（２）に示す脱
水反応により、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を生成し、ポリマ同
士が結合し、最終的に薄膜を形成する。 【０００４】 Ｓｉ−Ｈ＋Ｏ→Ｓｉ−ＯＨ…（１） Ｓｉ−ＯＨ＋Ｓｉ−ＯＨ→Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ＋Ｈ2 Ｏ…（２） 次に、ＨＳＱを用いる、従来の層間絶縁膜の形成フロー
について説明する。 【０００５】図４（ａ）を参照して、素子、絶縁層が形
成されたシリコン基板１１を準備する。シリコン基板１
１の上にアルミ配線パターン１２を形成する。アルミ配
線パターン１２の表面を被覆するように、シリコン基板
１１の上に第１のプラズマ酸化膜１３を形成する。 【０００６】図４（ｂ）を参照して、第１のプラズマ酸
化膜１３でその表面が被覆されたアルミ配線パターン１
２を覆うように、第１のプラズマ酸化膜１３の上に、Ｈ
ＳＱで形成されたＳＯＧ膜（以下ＨＳＱ−ＳＯＧ膜とい
う）１４を形成する。その後、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜１４
を、４００℃の窒素雰囲気で、３０分間窒素シンタを行
なって、焼成する。 【０００７】図４（ｃ）を参照して、焼成されたＨＳＱ
−ＳＯＧ膜１４を覆うように、シリコン基板１１の上に
第２のプラズマ酸化膜１６を形成する。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】ＨＳＱ−ＳＯＧ膜は、
既に、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を、その膜内に含むため、従
来の無機ＳＯＧ（脱水反応により、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合
を形成する）で問題になっていた材料自身の収縮による
クラックは発生しにくい。 【０００９】しかしながら、ポリマの構造が立体構造で
あることから、Ｓｉ−Ｈ基を介した架橋反応の起こる確
率が低く、膜自身の強度を十分高くすることができなか
った。その結果、膨張率の大きいアルミニウム等の上に
膜形成を行なった場合、アルミニウムからの外部応力に
よりクラックが発生しやすいという問題点があった。 【００１０】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたもので、耐クラック性を向上させた、
ＨＳＱを含む層間絶縁膜を有する、半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【課題を解決するための手段】この発明に従う半導体装
置の製造方法においては、まず、半導体基板の上に金属
配線パターンを形成する。上記金属配線パターンの表面
を被覆するように、上記半導体基板の上に第１の酸化膜
を形成する。上記第１の酸化膜で被覆された上記金属配
線パターンを覆うように、上記半導体基板の上にＳｉ−
Ｏ−Ｓｉ結合およびＳｉ−Ｈ基を含み、かつ立体的な分
子構造を有する、ＨＳＱのポリマ膜を形成する。上記ポ
リマ膜に不活性ガスによるプラズマ処理を施し、それに
よって、上記ポリマ膜中に不活性ガスを導入する。プラ
ズマ処理された上記ポリマ膜の上に、第２の酸化膜を形
成する。 【００１４】 【００１５】 【作用】この発明に従う半導体装置の製造方法によれ
ば、ＨＳＱで形成された、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合およびＳ
ｉ−Ｈ基を含み、かつ立体的な分子構造を有するポリマ
膜に、不活性ガスによるプラズマ処理を施す。このと
き、不活性ガスのラジカルは、ポリマ膜中に侵入し、膜
中に含まれるポリマと衝突し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を切
断し、結果として立体的なポリマの分子構造を分解し、
これを平面的な分子構造へと変化させる。この平面的な
分子構造は、この後行なわれるシンタ炉による窒素シン
タの際に架橋反応を促進する。 【００１６】 【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 【００１７】実施例１ 図１（ａ）を参照して、素子、絶縁層が形成されたシリ
コン基板１を準備する。シリコン基板１の上に、アルミ
配線パターン２を形成する。アルミ配線パターン２の表
面を被覆するように、シリコン基板１の上に第１のプラ
ズマ酸化膜３を形成する。第１のプラズマ酸化膜３は、
プラズマＣＶＤ法で形成される。形成条件は、形成温度
が４００℃、圧力が８Ｔｏｒｒ、高周波パワーが５００
Ｗで、原料ガスにＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane ）と酸
素を用いる。第１のプラズマ酸化膜３の膜厚は、２００
０Åである。 【００１８】図１（ｂ）を参照して、第１のプラズマ酸
化膜３の上に、スピン塗布により、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜４
を形成する。本実施例では、２０００回転で、膜厚が６
０００ÅのＨＳＱ−ＳＯＧ膜４を形成した。ＨＳＱ−Ｓ
ＯＧ膜４を塗布装置で塗布した直後に、同一装置内で、
ホットプレートにより、仮焼成する。焼成温度は１００
℃で１分、２００℃で１分、３００℃で１分である。 【００１９】図１（ｃ）を参照して、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜
４の表面を不活性ガスによるプラズマで処理する。本実
施例では、窒素プラズマを使用した。窒素プラズマはＮ
+ イオンまたはＮラジカル５を含む。窒素プラズマ処理
は、第１のプラズマ酸化膜３を形成したものと同一のプ
ラズマＣＶＤ装置を使用し、処理温度が４００℃、圧力
が８Ｔｏｒｒ、高周波パワーが５００Ｗで、原料ガスに
窒素を用いて行なった。Ｎ+ イオンまたはＮラジカル５
は、シリコン基板１上の電界効果または拡散により、Ｈ
ＳＱ−ＳＯＧ膜４上に到達し、さらに、ＨＳＱ−ＳＯＧ
膜４中に侵入する。 【００２０】ＨＳＱ−ＳＯＧ膜４は、非常に気体を透過
させやすい性質を持っており、Ｎ+イオンまたはＮラジ
カル５は、容易にＨＳＱ−ＳＯＧ膜４中に侵入する。Ｈ
ＳＱ−ＳＯＧ膜４中に侵入したこれらＮ+ イオンまたは
Ｎラジカル５は、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜４中に含まれるポリ
マと衝突し、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を切断し、結果とし
て、立体的なポリマの分子構造を分解し、これを平面的
な分子構造へと変化させる。この平面的な分子構造が、
この後行なわれるシンタ炉による窒素シンタの際に、架
橋反応を促進し、膜強度を高める。そのため、ＨＳＱ−
ＳＯＧ膜４は、アルミ配線２からの外部応力に対し、十
分な耐クラック性を有するようになる。 【００２１】図１（ｄ）を参照して、第２のプラズマ酸
化膜６を、第１のプラズマ酸化膜３と同一装置、同一条
件で形成する。図示しないが、この後、この上に第２の
アルミ配線を形成すると、半導体装置は完成する。 【００２２】図２は、本発明に従って形成した層間絶縁
膜（窒素プラズマ有り）のクラックの発生頻度を、従来
法により形成した層間絶縁膜の場合（窒素プラズマ無
し）と比較して示した図である。この実験では、図１
（ａ）−（ｃ）まで行なった状態に、さらに窒素シンタ
を３０分間および６０分間行ない、クラックの発生を観
察した。図２には、０．３μｍ、０．４μｍ、０．５μ
ｍのアルミ配線の配線間幅（溝幅）において発生したク
ラック数が示されている。また、６０箇所でクラックの
発生を観察した。図２より明らかなように、窒素プラズ
マを行なっていない場合、クラックが多数発生している
が、窒素プラズマの処理を行なうことによりクラックが
発生しなくなる。この結果より、窒素プラズマ処理がク
ラック防止に非常に効果を示すことが明らかとなった。 【００２３】実施例２ 実施例１では、窒素プラズマ処理を例示したが、この発
明はこれに限られるものでなく、アルゴンプラズマ処理
を行なっても、実施例１と同様の効果を実現する。 【００２４】なお、上記実施例では金属配線パターンと
してアルミ配線を例示したが、この発明はこれに限られ
ない。 【００２５】 【００２６】 【発明の効果】以上説明したとおり、この発明に従う半
導体装置の製造方法によれば、ＨＳＱで形成された、Ｓ
ｉ−Ｏ−Ｓｉ結合およびＳｉ−Ｈ基を含み、かつ立体的
な分子構造を有するポリマ膜に不活性ガスによるプラズ
マ処理を施し、それによってポリマ膜中に不活性ガスを
導入する。このとき、不活性ガスのラジカルは、ポリマ
膜中に侵入し、ポリマ膜中に含まれるポリマと衝突し、
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を切断し、結果として立体的なポリ
マの分子構造を分解し、これを平面的な分子構造へと変
化させる。この平面的な分子構造は、この後行なわれる
シンタ炉による窒素シンタの際に、架橋反応を促進し、
膜強度を高める。それゆえに、得られるポリマ膜は、ア
ルミ配線からの外部応力に対して十分な耐クラック性を
有するようになる。その結果、十分な平坦性、十分な層
間膜絶縁耐圧を持つ高信頼性の層間絶縁膜を有する半導
体装置を与えるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施例１に係る半導体装置の製造方法の順序
の各工程における半導体装置の断面図である。 【図２】 実施例２に係る方法によって形成した層間絶
縁膜と従来法を適用して形成した層間絶縁膜の、クラッ
クの発生頻度を示す図である。 【図３】 本発明において使用されるＳＯＧ材料である
ＨＳＱのポリマ構造を示す図である。 【図４】 層間絶縁膜の従来の形成方法を示す図であ
る。 【符号の説明】 １ シリコン基板、２ アルミ配線パターン、３ 第１
のプラズマ酸化膜、４ＨＳＱ−ＳＯＧ膜、５ プラズマ
により生成したＮ+ イオンまたはＮラジカル、６ 第２
のプラズマ酸化膜。
の各工程における半導体装置の断面図である。 【図２】 実施例２に係る方法によって形成した層間絶
縁膜と従来法を適用して形成した層間絶縁膜の、クラッ
クの発生頻度を示す図である。 【図３】 本発明において使用されるＳＯＧ材料である
ＨＳＱのポリマ構造を示す図である。 【図４】 層間絶縁膜の従来の形成方法を示す図であ
る。 【符号の説明】 １ シリコン基板、２ アルミ配線パターン、３ 第１
のプラズマ酸化膜、４ＨＳＱ−ＳＯＧ膜、５ プラズマ
により生成したＮ+ イオンまたはＮラジカル、６ 第２
のプラズマ酸化膜。
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/3205
H01L 21/321
H01L 21/3213
H01L 21/768
H01L 21/312
H01L 21/314 - 21/318
H01L 21/47
H01L 21/471 - 21/473
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板の上に金属配線パターンを形
成する工程と、 前記金属配線パターンの表面を被覆するように前記半導
体基板の上に第１の酸化膜を形成する工程と、 前記第１の酸化膜で被覆された前記金属配線パターンを
覆うように、前記半導体基板の上にハイドロゼンシルセ
スキオキサンでポリマ膜を形成する工程と、 前記ポリマ膜に不活性ガスによるプラズマ処理を施し、
それによって、前記ポリマ膜中に不活性ガスを導入する
工程と、 プラズマ処理された前記ポリマ膜の上に第２の酸化膜を
形成する工程と、を備えた半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24616894A JP3363614B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24616894A JP3363614B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08111458A JPH08111458A (ja) | 1996-04-30 |
| JP3363614B2 true JP3363614B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=17144528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24616894A Expired - Fee Related JP3363614B2 (ja) | 1994-10-12 | 1994-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3363614B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3211950B2 (ja) | 1998-01-19 | 2001-09-25 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3248492B2 (ja) * | 1998-08-14 | 2002-01-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| TW200428470A (en) | 2003-06-05 | 2004-12-16 | Semiconductor Leading Edge Tec | Method for manufacturing semiconductor device |
-
1994
- 1994-10-12 JP JP24616894A patent/JP3363614B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08111458A (ja) | 1996-04-30 |
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