JPH04199625A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04199625A JPH04199625A JP33171690A JP33171690A JPH04199625A JP H04199625 A JPH04199625 A JP H04199625A JP 33171690 A JP33171690 A JP 33171690A JP 33171690 A JP33171690 A JP 33171690A JP H04199625 A JPH04199625 A JP H04199625A
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- insulating film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は、半導体装置に関する。
［発明の概要］
本発明は、半導体装置の配線層上の層間絶縁膜又はパッ
シベーションの少なくとも一層以上に、窒化珪素膜が、
スピンコードで塗布形成され、加熱処理により、窒化珪
素系薄膜が形成されることにより、ステップカバレッジ
が良く、緻密で耐湿性の優れた絶縁膜を形成したことを
特徴とした半導体装置を提供することにある。
シベーションの少なくとも一層以上に、窒化珪素膜が、
スピンコードで塗布形成され、加熱処理により、窒化珪
素系薄膜が形成されることにより、ステップカバレッジ
が良く、緻密で耐湿性の優れた絶縁膜を形成したことを
特徴とした半導体装置を提供することにある。
［従来の技術］
第２図は、従来技術による半導体装置を示したものであ
る６２０１は、半導体基板、２０２はＬｏｃｏｓ、２０
３はゲート膜、２０４はポリシリコン電極、２０５は低
濃度拡散層、２０６はサイドウオール膜、２０７は高濃
度拡散層、２０８はＴ ｉ Ｓ ｉ を層、２０９は第
２フイールド膜であるパリアメクル、２１０とＡｅ系の
第１配線２１１上に先ずＴＥＯＳプラズマにより眉間酸
化膜２１２を形成する。続いて、Ｓ ＯＧ （Ｓｐｉｎ
ｏｎｇｌａｓｓ ） ２１３により平坦化を行う、さ
らに、その上に層間酸化膜２１５を形成する。ホール形
成後、第２のバリアメタル２１６と第２配線層２１７を
形成する。続いてパッシベーション膜２１８を形成し完
成させる。
る６２０１は、半導体基板、２０２はＬｏｃｏｓ、２０
３はゲート膜、２０４はポリシリコン電極、２０５は低
濃度拡散層、２０６はサイドウオール膜、２０７は高濃
度拡散層、２０８はＴ ｉ Ｓ ｉ を層、２０９は第
２フイールド膜であるパリアメクル、２１０とＡｅ系の
第１配線２１１上に先ずＴＥＯＳプラズマにより眉間酸
化膜２１２を形成する。続いて、Ｓ ＯＧ （Ｓｐｉｎ
ｏｎｇｌａｓｓ ） ２１３により平坦化を行う、さ
らに、その上に層間酸化膜２１５を形成する。ホール形
成後、第２のバリアメタル２１６と第２配線層２１７を
形成する。続いてパッシベーション膜２１８を形成し完
成させる。
［発明が解決しようとする課題１
しかしながら従来の半導体装置には次のような欠点があ
った。すなわち、ＳＯＧ膜が急峻な凹みにたまった場合
、アニールによるクラック２１４が生ずること、又パッ
シベーション膜の窒化膜のカバレッジが悪い為、スペー
スの狭い場所で２１９のようなボイドが発生することで
ある。
った。すなわち、ＳＯＧ膜が急峻な凹みにたまった場合
、アニールによるクラック２１４が生ずること、又パッ
シベーション膜の窒化膜のカバレッジが悪い為、スペー
スの狭い場所で２１９のようなボイドが発生することで
ある。
さらに、眉間膜が８１０２のみで形成されているので耐
湿性が不十分でＡＬが腐食する点が課題であった０本発
明の目的は、かかる課題を一掃し、信頼性の高い半導体
装置を提出することにある。
湿性が不十分でＡＬが腐食する点が課題であった０本発
明の目的は、かかる課題を一掃し、信頼性の高い半導体
装置を提出することにある。
〔課題を解決するための手段］
本発明は、層間膜、及びパッシベーション膜に窒化珪素
塗布膜をスピンコード形成し、窒素又はＡｒ中で加熱処
理することにより上記課題を一掃するものである。
塗布膜をスピンコード形成し、窒素又はＡｒ中で加熱処
理することにより上記課題を一掃するものである。
［作 用］
窒化珪素塗布膜は、配線膜上に密着よ（塗布されカバレ
ッジにすぐれ、加熱処理により有機溶媒が蒸発し、緻密
な窒化珪素膜が形成される。
ッジにすぐれ、加熱処理により有機溶媒が蒸発し、緻密
な窒化珪素膜が形成される。
［実 施 例］
本発明を実施例をもって説明していく。
第１図は、本発明の半導体装置の概略断面図を示したも
のである０図中、１０１は半導体基板、１０２はＬＯＣ
Ｏ５，１０３はゲート膜、１０４はポリシリコン電極、
１０５は低濃度拡散層、１０６はサイドウオール膜、１
０７は高濃度拡散層、１０８はＴ ｉ Ｓ ｉ ２層、
１０９は第２フイールド膜、１１０は第１層配線パリア
メクル、１１１は第１層配線層である、層間絶縁膜１１
２上に（−５ｉＨ，ＮＨゎ−）。の構造式より成る窒化
珪素ポリマー１１３をスピンコードで１５００人塗布す
る８次に４５０″Ｃで窒素中加熱処理する。
のである０図中、１０１は半導体基板、１０２はＬＯＣ
Ｏ５，１０３はゲート膜、１０４はポリシリコン電極、
１０５は低濃度拡散層、１０６はサイドウオール膜、１
０７は高濃度拡散層、１０８はＴ ｉ Ｓ ｉ ２層、
１０９は第２フイールド膜、１１０は第１層配線パリア
メクル、１１１は第１層配線層である、層間絶縁膜１１
２上に（−５ｉＨ，ＮＨゎ−）。の構造式より成る窒化
珪素ポリマー１１３をスピンコードで１５００人塗布す
る８次に４５０″Ｃで窒素中加熱処理する。
さらに層間絶縁膜を２０００人１１４を形成する。ホー
ル形成後、第２層配線用バリア１１５と第２層配線１１
６を形成する。続いて窒化珪素膜１１７を２０００人ス
ピンコードし、４００℃のＮ２プラズマ中で２０分熱処
理する。最後にパッシベーション膜２１８を形成して完
成する。
ル形成後、第２層配線用バリア１１５と第２層配線１１
６を形成する。続いて窒化珪素膜１１７を２０００人ス
ピンコードし、４００℃のＮ２プラズマ中で２０分熱処
理する。最後にパッシベーション膜２１８を形成して完
成する。
〔発明の効果１
本発明の窒化珪素系ポリマーは、非常につきまわりが良
く、アスペクト比の大きな凹部にもつきまわり、平坦化
の効果が大きいので、従来みられたようなパッシベーシ
ョンのボイド２１９がない、更に、粘性が高く、熱収縮
が小さいので、ＳＯＧ等にみられた、クラック２１４が
生じない。
く、アスペクト比の大きな凹部にもつきまわり、平坦化
の効果が大きいので、従来みられたようなパッシベーシ
ョンのボイド２１９がない、更に、粘性が高く、熱収縮
が小さいので、ＳＯＧ等にみられた、クラック２１４が
生じない。
又、加熱により緻密でピンホールのない窒化珪素膜が形
成されるので、耐湿性が優れ、トータルの信頼性が向上
する。
成されるので、耐湿性が優れ、トータルの信頼性が向上
する。
さらに本実施例で以外に、真空中加熱でも良好な結果が
得られており、配線材料を、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ等の高融点
材料を用いればさらに高温での熱処理が可能となり、特
性は一段と安定するものとなる。
得られており、配線材料を、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ等の高融点
材料を用いればさらに高温での熱処理が可能となり、特
性は一段と安定するものとなる。
第１図は、本発明の概略断面図である。第２図は、従来
の半導体装置の断面図である。 １、０１．２０１・ ・半導体基板 １０２、２０２ ・ ・ ＬＯＧＯ５１０３，２０３
・ ・ゲート月莫 １０４．２０４・・・ポリシリコン電極１０５．２０５
・・・低濃度拡散層 １０６．２０６ ・サイドウオール膜１０７．２０７
・・・高濃度拡散層 １０８．２０８・・・Ｔ ｉ Ｓ ｉ ２層１０９．２
０９・・・第２フイールド膜１１０．２１０・・・バリ
アメタル １１１．２１１・・・第１層配線層 １１２．２１２・・・層間絶縁膜 １１３・・・・・・・窒化珪素塗布膜 １１４．２１５・・・層間絶縁膜 １１５．２１６・・・バリアメタル １１６．２１７・・・第２層配線層 １１７・・・・・・・窒化珪素塗布膜 １１８．２１８・・・パッシベーション膜２１３・・・
・・・・ＳＯＧＭ ２１４・・・・・・・クラック ２１９・・・ ボイド 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）第１図 第２図
の半導体装置の断面図である。 １、０１．２０１・ ・半導体基板 １０２、２０２ ・ ・ ＬＯＧＯ５１０３，２０３
・ ・ゲート月莫 １０４．２０４・・・ポリシリコン電極１０５．２０５
・・・低濃度拡散層 １０６．２０６ ・サイドウオール膜１０７．２０７
・・・高濃度拡散層 １０８．２０８・・・Ｔ ｉ Ｓ ｉ ２層１０９．２
０９・・・第２フイールド膜１１０．２１０・・・バリ
アメタル １１１．２１１・・・第１層配線層 １１２．２１２・・・層間絶縁膜 １１３・・・・・・・窒化珪素塗布膜 １１４．２１５・・・層間絶縁膜 １１５．２１６・・・バリアメタル １１６．２１７・・・第２層配線層 １１７・・・・・・・窒化珪素塗布膜 １１８．２１８・・・パッシベーション膜２１３・・・
・・・・ＳＯＧＭ ２１４・・・・・・・クラック ２１９・・・ ボイド 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴 木 喜三部（他１名）第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体装置の配線層上に形成される層間絶縁膜及び
、パッシベーション膜に於て、少なくとも１層以上の窒
化珪素ポリマーが、塗布されていることを特徴とする半
導体装置。 ２）前記窒化珪素塗布膜は、窒素、又はＡｒ中での加熱
、又は、高真空、高温窒素、Ａｒ中、又はプラズマ雰囲
気中で、加熱処理することを特徴とした請求項１記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33171690A JPH04199625A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33171690A JPH04199625A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04199625A true JPH04199625A (ja) | 1992-07-20 |
Family
ID=18246794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33171690A Pending JPH04199625A (ja) | 1990-11-29 | 1990-11-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04199625A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364818A (en) * | 1990-05-29 | 1994-11-15 | Mitel Corporation | Sog with moisture resistant protective capping layer |
| US5413963A (en) * | 1994-08-12 | 1995-05-09 | United Microelectronics Corporation | Method for depositing an insulating interlayer in a semiconductor metallurgy system |
| US5567658A (en) * | 1994-09-01 | 1996-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for minimizing peeling at the surface of spin-on glasses |
| EP1099245A1 (en) * | 1999-05-06 | 2001-05-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Moisture repellant integrated circuit dielectric material combination |
-
1990
- 1990-11-29 JP JP33171690A patent/JPH04199625A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364818A (en) * | 1990-05-29 | 1994-11-15 | Mitel Corporation | Sog with moisture resistant protective capping layer |
| US5413963A (en) * | 1994-08-12 | 1995-05-09 | United Microelectronics Corporation | Method for depositing an insulating interlayer in a semiconductor metallurgy system |
| US5567658A (en) * | 1994-09-01 | 1996-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for minimizing peeling at the surface of spin-on glasses |
| EP1099245A1 (en) * | 1999-05-06 | 2001-05-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Moisture repellant integrated circuit dielectric material combination |
| EP1099245A4 (en) * | 1999-05-06 | 2006-06-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | COMBINATION OF DIELECTRIC ANTI-HUMIDITY MATERIAL FOR INTEGRATED CIRCUITS |
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