JPH11274152A - 半導体装置のｓｏｇ層形成方法 - Google Patents
半導体装置のｓｏｇ層形成方法Info
- Publication number
- JPH11274152A JPH11274152A JP10367025A JP36702598A JPH11274152A JP H11274152 A JPH11274152 A JP H11274152A JP 10367025 A JP10367025 A JP 10367025A JP 36702598 A JP36702598 A JP 36702598A JP H11274152 A JPH11274152 A JP H11274152A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sog layer
- layer
- sog
- forming
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 61
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 14
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- -1 argon ions Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 77
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000003570 air Substances 0.000 claims description 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000011049 filling Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76837—Filling up the space between adjacent conductive structures; Gap-filling properties of dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
- H01L21/76825—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by exposing the layer to particle radiation, e.g. ion implantation, irradiation with UV light or electrons etc.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＯＧ層の形質を改善することによってボイド
の発生を抑え、同時に、半導体素子の損傷を防止する半
導体装置のＳＯＧ層形成方法を提供する。 【解決手段】コーティング用のＳＯＧ樹脂２５にイオン
注入を行ってＳＯＧ樹脂２５の分子間の結合状態を励起
状態に活性化させ、ＳＯＧ層２６とする。このときの注
入イオンは、イオン化が可能な全ての原子が使われ、イ
オン注入は１００ｅＶ以上にし、注入量は１×１０イオ
ン／cm2 以上とする。
の発生を抑え、同時に、半導体素子の損傷を防止する半
導体装置のＳＯＧ層形成方法を提供する。 【解決手段】コーティング用のＳＯＧ樹脂２５にイオン
注入を行ってＳＯＧ樹脂２５の分子間の結合状態を励起
状態に活性化させ、ＳＯＧ層２６とする。このときの注
入イオンは、イオン化が可能な全ての原子が使われ、イ
オン注入は１００ｅＶ以上にし、注入量は１×１０イオ
ン／cm2 以上とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の絶縁層
の形成方法に関し、特に半導体素子が形成される半導体
基板上にシリコン酸化膜で構成されるＳＯＧ（spin on
glass ）層を形成する方法に関する。
の形成方法に関し、特に半導体素子が形成される半導体
基板上にシリコン酸化膜で構成されるＳＯＧ（spin on
glass ）層を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の絶縁層形成方法につ
いて図面に基づいて説明する。図３（Ａ）〜（Ｄ）及び
図４（Ｅ）〜（Ｆ）は、従来の技術による半導体装置に
おける半導体基板上の凸形状の半導体素子間の隙間又は
配線間の隙間を埋め立てるための絶縁膜の形成方法を示
した工程断面図である。
いて図面に基づいて説明する。図３（Ａ）〜（Ｄ）及び
図４（Ｅ）〜（Ｆ）は、従来の技術による半導体装置に
おける半導体基板上の凸形状の半導体素子間の隙間又は
配線間の隙間を埋め立てるための絶縁膜の形成方法を示
した工程断面図である。
【０００３】図３（Ａ）を参照すると、半導体シリコン
基板(11)上にポリシリコン(12)を蒸着した後、保護用窒
化膜(13)を低圧化学的気相蒸着法で形成した後、写真工
程においてワードライン(18)のパターンを形成し、その
次に蝕刻工程を利用してワードライン(18)を形成する。
図３（Ｂ）を参照すると、形成された断面上の凸形状の
ワードライン(18)の側壁形成のためにワードライン(18)
の側面及び上面に残留する保護用窒化膜(13)の側面及び
上面、そして露出された半導体シリコン基板(11)の上に
低圧化学的気相蒸着法で窒化膜(14)を形成する。
基板(11)上にポリシリコン(12)を蒸着した後、保護用窒
化膜(13)を低圧化学的気相蒸着法で形成した後、写真工
程においてワードライン(18)のパターンを形成し、その
次に蝕刻工程を利用してワードライン(18)を形成する。
図３（Ｂ）を参照すると、形成された断面上の凸形状の
ワードライン(18)の側壁形成のためにワードライン(18)
の側面及び上面に残留する保護用窒化膜(13)の側面及び
上面、そして露出された半導体シリコン基板(11)の上に
低圧化学的気相蒸着法で窒化膜(14)を形成する。
【０００４】図３（Ｃ）を参照すると、窒化膜(14)にエ
ッチバック処理を施してワードライン(18)の側壁を形成
する。図３（Ｄ）を参照すると、緩衝用酸化膜(15)を、
露出した半導体シリコン基板(11)の上面、ワードライン
(18)の側壁上、及び残留した保護用窒化膜(13)の上面に
低圧化学的気相蒸着法によって形成する。
ッチバック処理を施してワードライン(18)の側壁を形成
する。図３（Ｄ）を参照すると、緩衝用酸化膜(15)を、
露出した半導体シリコン基板(11)の上面、ワードライン
(18)の側壁上、及び残留した保護用窒化膜(13)の上面に
低圧化学的気相蒸着法によって形成する。
【０００５】図４（Ｅ）を参照すると、凸形状のワード
ライン(18)間の隙間を埋め立てて盛り上がるように常圧
化学的気相蒸着法によりBPSG、USG あるいはＳＯＧから
なる層(16)を形成する。この時ＳＯＧを使用した場合に
は熱硬化処理でＳＯＧからなる層(16)内部の残留溶媒を
除去する。その後、高温焼なましを行って、すでに形成
されたBPSG、USG あるいはＳＯＧからなる層(16)を焼し
まり加工する。
ライン(18)間の隙間を埋め立てて盛り上がるように常圧
化学的気相蒸着法によりBPSG、USG あるいはＳＯＧから
なる層(16)を形成する。この時ＳＯＧを使用した場合に
は熱硬化処理でＳＯＧからなる層(16)内部の残留溶媒を
除去する。その後、高温焼なましを行って、すでに形成
されたBPSG、USG あるいはＳＯＧからなる層(16)を焼し
まり加工する。
【０００６】図４（Ｆ）を参照すると、形成されたBPSG
やUSG あるいはＳＯＧからなる層(16)に常圧化学的気相
蒸着法により表面を平坦化するためのシリコン酸化膜か
らなる保護層（17) を形成し、場合によっては、シリコ
ン酸化膜からなる保護層（17）に化学機械研磨（chemic
al mechanical polishing ）作業を行って層間絶縁層を
形成する工程(ILD process) を施す。
やUSG あるいはＳＯＧからなる層(16)に常圧化学的気相
蒸着法により表面を平坦化するためのシリコン酸化膜か
らなる保護層（17) を形成し、場合によっては、シリコ
ン酸化膜からなる保護層（17）に化学機械研磨（chemic
al mechanical polishing ）作業を行って層間絶縁層を
形成する工程(ILD process) を施す。
【０００７】この種従来の絶縁層形成方法において、絶
縁剤としてシリコン酸化膜を利用し、集積回路の半導体
シリコン基板やポリシリコンの露出部を酸化させて成長
させるか、あるいは化学的気相蒸着法で形成させるが、
上記方法のように前記平坦化工程を行う場合には、シリ
コン酸化膜を形成するにあたり、まず、液状のシリコン
酸化膜を形成するための出発材料を集積回路の構造物上
に流すことで、該シリコン酸化膜を形成するのが効果的
である。このような場合、半導体集積回路上に形成され
たシリコン酸化膜は一般的にＨＳＱ（Hydrogen Silicon
one and a half oxygen）のようなハイドリドシラン類
のコーティング材料を出発材料にして形成される。
縁剤としてシリコン酸化膜を利用し、集積回路の半導体
シリコン基板やポリシリコンの露出部を酸化させて成長
させるか、あるいは化学的気相蒸着法で形成させるが、
上記方法のように前記平坦化工程を行う場合には、シリ
コン酸化膜を形成するにあたり、まず、液状のシリコン
酸化膜を形成するための出発材料を集積回路の構造物上
に流すことで、該シリコン酸化膜を形成するのが効果的
である。このような場合、半導体集積回路上に形成され
たシリコン酸化膜は一般的にＨＳＱ（Hydrogen Silicon
one and a half oxygen）のようなハイドリドシラン類
のコーティング材料を出発材料にして形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＨＳＱは、凸形状のワ
ードラインを含む集積回路上によく塗布され、高い取得
率を有するシリコン酸化膜を形成する。塗布されたＨＳ
Ｑは、溶媒を除去するための一次乾燥工程を経てから、
所望のシリコン酸化膜を形成するために約200 ℃〜1000
℃の間で加熱させる熱硬化処理を施される。しかし、一
次乾燥後、コーティング材料であるＨＳＱのシリコン酸
化膜への不完全反応が該ワードラインの表面で見られ、
特に、該ワードライン間の隙間の狭い部分及び隙間の底
部付近では完全な硬化が起こらず、また、隙間が狭くな
い所のワードライン下部の蝕刻部分付近でも不完全な硬
化が見られる。
ードラインを含む集積回路上によく塗布され、高い取得
率を有するシリコン酸化膜を形成する。塗布されたＨＳ
Ｑは、溶媒を除去するための一次乾燥工程を経てから、
所望のシリコン酸化膜を形成するために約200 ℃〜1000
℃の間で加熱させる熱硬化処理を施される。しかし、一
次乾燥後、コーティング材料であるＨＳＱのシリコン酸
化膜への不完全反応が該ワードラインの表面で見られ、
特に、該ワードライン間の隙間の狭い部分及び隙間の底
部付近では完全な硬化が起こらず、また、隙間が狭くな
い所のワードライン下部の蝕刻部分付近でも不完全な硬
化が見られる。
【０００９】ところで、ＨＳＱ系列の蝕刻樹脂のシリコ
ン酸化膜への化学反応式は化１に記載するような可逆反
応式で示される。
ン酸化膜への化学反応式は化１に記載するような可逆反
応式で示される。
【００１０】
【化１】
【００１１】したがって、所望のシリコン酸化膜を形成
するための完全反応は、化１に記載の化学反応式の反応
方向を右側に向くように水素分子がコーティング材料か
ら離脱する能力に依存している。このような離脱能力
は、半導体シリコン基板上のワードライン間の隙間の深
い部分、隙間の狭い部分、またはワードライン下部の蝕
刻部分の拡散角度が低くなっているため、または水素気
体が離脱する際に通り抜ける空間が狭いために低下され
る。
するための完全反応は、化１に記載の化学反応式の反応
方向を右側に向くように水素分子がコーティング材料か
ら離脱する能力に依存している。このような離脱能力
は、半導体シリコン基板上のワードライン間の隙間の深
い部分、隙間の狭い部分、またはワードライン下部の蝕
刻部分の拡散角度が低くなっているため、または水素気
体が離脱する際に通り抜ける空間が狭いために低下され
る。
【００１２】なお、コーティング材料のシリコン酸化膜
への不完全反応は、以後の工程段階での水素放出による
望ましくない結果が生じる恐れがある。一方、集積回路
上に完全に硬化されたシリコン酸化膜と異なる膨張係数
を有する物質が発生し所望でない蝕刻特性をもたらすこ
とがある。なお、ＨＳＱ樹脂を利用して電子素子を含む
多種多様な基板上にシリコン酸化膜を形成する方法に関
しては米国特許4,756,977 において開示されている。
への不完全反応は、以後の工程段階での水素放出による
望ましくない結果が生じる恐れがある。一方、集積回路
上に完全に硬化されたシリコン酸化膜と異なる膨張係数
を有する物質が発生し所望でない蝕刻特性をもたらすこ
とがある。なお、ＨＳＱ樹脂を利用して電子素子を含む
多種多様な基板上にシリコン酸化膜を形成する方法に関
しては米国特許4,756,977 において開示されている。
【００１３】また、ＨＳＱやエッチ・レジン(H resin)
等の総称をハイドリドシラン(hydridosilane) 樹脂とい
い、以下に示す化学式で表される。まず、完全に凝縮さ
れるか、加水分解された場合には[HSiO3/2]nになる。こ
のとき、n はおよそ10〜100 である。さらに、不完全凝
縮または不完全加水分解された場合にはHSi(OH)x(OR)yO
z /2になる。このとき、x=0 〜2, y=0〜2, z=1〜3,x+y+
z=3で、高分子のy の平均値は0 より大きい。なお、コ
ーティング材料としてのＨＳＱに関しては米国特許5,14
5,723(Ballance et al.)に詳しく開示されている。
等の総称をハイドリドシラン(hydridosilane) 樹脂とい
い、以下に示す化学式で表される。まず、完全に凝縮さ
れるか、加水分解された場合には[HSiO3/2]nになる。こ
のとき、n はおよそ10〜100 である。さらに、不完全凝
縮または不完全加水分解された場合にはHSi(OH)x(OR)yO
z /2になる。このとき、x=0 〜2, y=0〜2, z=1〜3,x+y+
z=3で、高分子のy の平均値は0 より大きい。なお、コ
ーティング材料としてのＨＳＱに関しては米国特許5,14
5,723(Ballance et al.)に詳しく開示されている。
【００１４】本発明に関連する先行技術として、イオン
注入方法を利用したＳＯＧ平坦化加工に関する発明が米
国特許5,429,990 に開示されており、シリコン酸化膜の
形成のための出発材料にＨＳＱを用いる場合の熱硬化処
理に関しては米国特許5,456,952 に開示されている。ま
た、前記従来方法において、BPSG又はUSG 層を形成した
場合、BPSGまたはUSG からなる層の下部に位置したワー
ドライン間の隙間が0.25μｍ以下の場合には、構造上及
び精度上の限界によるボイド（void）の発生に伴うき裂
及びビット・ライン・ブリッジの発生を抑制することが
出来ない。
注入方法を利用したＳＯＧ平坦化加工に関する発明が米
国特許5,429,990 に開示されており、シリコン酸化膜の
形成のための出発材料にＨＳＱを用いる場合の熱硬化処
理に関しては米国特許5,456,952 に開示されている。ま
た、前記従来方法において、BPSG又はUSG 層を形成した
場合、BPSGまたはUSG からなる層の下部に位置したワー
ドライン間の隙間が0.25μｍ以下の場合には、構造上及
び精度上の限界によるボイド（void）の発生に伴うき裂
及びビット・ライン・ブリッジの発生を抑制することが
出来ない。
【００１５】また、スピン・オン方式の隙間埋め立て工
程においても単なる熱硬化処理によるだけでは溶媒が完
全に除去されないので、コンタクト・ホールの洗浄工程
を必要とし、その際に湿式化学剤により容易に蝕刻され
てコンタクト・ブリッジが発生する。このため、上述の
ような欠点を改善できるような酸化膜の形質方法の改善
が求められる。
程においても単なる熱硬化処理によるだけでは溶媒が完
全に除去されないので、コンタクト・ホールの洗浄工程
を必要とし、その際に湿式化学剤により容易に蝕刻され
てコンタクト・ブリッジが発生する。このため、上述の
ような欠点を改善できるような酸化膜の形質方法の改善
が求められる。
【００１６】本発明は、このような課題に鑑み、ＳＯＧ
層の形質を改善することによってボイドの発生を抑え、
同時に、半導体素子の損傷を防止する半導体装置のＳＯ
Ｇ層形成方法を提供することを目的とする。
層の形質を改善することによってボイドの発生を抑え、
同時に、半導体素子の損傷を防止する半導体装置のＳＯ
Ｇ層形成方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１に係
る発明では、半導体基板上にＨＳＱ系列のＳＯＧ層を形
成する工程と、前記ＳＯＧ層にイオン注入を行う工程
と、前記ＳＯＧ層を焼しまり加工する工程と、で構成さ
れたことを特徴とする。また、請求項２に係る発明で
は、前記ＳＯＧ層は、層間絶縁膜として用いることを特
徴とする。
る発明では、半導体基板上にＨＳＱ系列のＳＯＧ層を形
成する工程と、前記ＳＯＧ層にイオン注入を行う工程
と、前記ＳＯＧ層を焼しまり加工する工程と、で構成さ
れたことを特徴とする。また、請求項２に係る発明で
は、前記ＳＯＧ層は、層間絶縁膜として用いることを特
徴とする。
【００１８】また、請求項３に係る発明では、前記ＳＯ
Ｇ層の厚さを0.05〜5 μｍに形成することを特徴とす
る。また、請求項４に係る発明では、前記ＳＯＧ層にイ
オン注入を行う工程において、注入するイオンにはイオ
ン化が可能な原子のイオンを用いることを特徴とする。
Ｇ層の厚さを0.05〜5 μｍに形成することを特徴とす
る。また、請求項４に係る発明では、前記ＳＯＧ層にイ
オン注入を行う工程において、注入するイオンにはイオ
ン化が可能な原子のイオンを用いることを特徴とする。
【００１９】また、請求項５に係る発明では、前記ＳＯ
Ｇ層にイオン注入を行う工程において、イオン注入は１
００ｅＶ以上にし、注入量は１×１０イオン／cm2 以上
にして行うことを特徴とする。また、請求項６に係る発
明では、前記ＳＯＧ層を焼しまり加工する工程は、チャ
ンバー内で行われることを特徴とする。
Ｇ層にイオン注入を行う工程において、イオン注入は１
００ｅＶ以上にし、注入量は１×１０イオン／cm2 以上
にして行うことを特徴とする。また、請求項６に係る発
明では、前記ＳＯＧ層を焼しまり加工する工程は、チャ
ンバー内で行われることを特徴とする。
【００２０】また、請求項７に係る発明では、前記チャ
ンバー内の圧力を0.01Torrにすることを特徴とする。ま
た、請求項８に係る発明では、前記ＳＯＧ層を焼しまり
加工する工程は、400 〜1400℃の温度条件下で行うこと
を特徴とする。また、請求項９に係る発明では、前記Ｓ
ＯＧ層を焼しまり加工する工程において、空気、窒素、
酸素または水蒸気の雰囲気で、その量を0.1 〜900sccm
にすることを特徴とする。
ンバー内の圧力を0.01Torrにすることを特徴とする。ま
た、請求項８に係る発明では、前記ＳＯＧ層を焼しまり
加工する工程は、400 〜1400℃の温度条件下で行うこと
を特徴とする。また、請求項９に係る発明では、前記Ｓ
ＯＧ層を焼しまり加工する工程において、空気、窒素、
酸素または水蒸気の雰囲気で、その量を0.1 〜900sccm
にすることを特徴とする。
【００２１】また、請求項１０に係る発明では、半導体
素子が形成された半導体基板の凹凸形状の表面を層間絶
縁膜としてＨＳＱ系列のＳＯＧ層にコーティングする工
程と、前記ＳＯＧ層にイオン化が可能な原子のイオンを
用いてイオン注入を行う工程と、前記ＳＯＧ層をチャン
バー内で焼なましして焼しまり加工する工程と、前記Ｓ
ＯＧ層の平坦性を確保するために保護層を形成する工程
と、で構成されたことを特徴とする。
素子が形成された半導体基板の凹凸形状の表面を層間絶
縁膜としてＨＳＱ系列のＳＯＧ層にコーティングする工
程と、前記ＳＯＧ層にイオン化が可能な原子のイオンを
用いてイオン注入を行う工程と、前記ＳＯＧ層をチャン
バー内で焼なましして焼しまり加工する工程と、前記Ｓ
ＯＧ層の平坦性を確保するために保護層を形成する工程
と、で構成されたことを特徴とする。
【００２２】また、請求項１１に係る発明では、前記Ｓ
ＯＧ層の厚さを0.05〜5 μｍに形成することを特徴とす
る。また、請求項１２に係る発明では、前記ＳＯＧ層に
イオン化が可能な原子のイオンを用いてイオン注入を行
う工程において、アルゴンイオンを用いることを特徴と
する。
ＯＧ層の厚さを0.05〜5 μｍに形成することを特徴とす
る。また、請求項１２に係る発明では、前記ＳＯＧ層に
イオン化が可能な原子のイオンを用いてイオン注入を行
う工程において、アルゴンイオンを用いることを特徴と
する。
【００２３】また、請求項１３に係る発明では、前記Ｓ
ＯＧ層をチャンバー内で焼なましして焼しまり加工する
工程において、チャンバー内部の温度を400 〜1400℃、
圧力を0.01〜1000Torrとし、窒素、酸素、または水蒸気
の雰囲気とすることを特徴とする。また、請求項１４に
係る発明では、前記保護層は、化学的気相蒸着法によっ
てシリコン酸化膜を形成することを特徴とする。
ＯＧ層をチャンバー内で焼なましして焼しまり加工する
工程において、チャンバー内部の温度を400 〜1400℃、
圧力を0.01〜1000Torrとし、窒素、酸素、または水蒸気
の雰囲気とすることを特徴とする。また、請求項１４に
係る発明では、前記保護層は、化学的気相蒸着法によっ
てシリコン酸化膜を形成することを特徴とする。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、隙間埋立材としてＨＳ
Ｑ系列のＳＯＧ層の形質をアルゴンイオンを注入して高
密度の酸化膜に転換させることで、隙間が微小なため、
構造上及び精度上の限界により埋立時に発生するボイド
によるき裂及びビット・ライン・ブリッジの発生を抑制
し、従来の技術におけるワードライン間の隙間に残留す
る溶媒を完全に除去して、形成されるＳＯＧ膜の厚さに
関わらず、安定した膜質の形成を可能にすることによっ
て、その後の熱処理時、洗浄工程のコンタクト・ホール
の開放時及び湿式蝕刻の時に使用する化学剤による半導
体素子の蝕刻を防止することができるという効果が得ら
れる。
Ｑ系列のＳＯＧ層の形質をアルゴンイオンを注入して高
密度の酸化膜に転換させることで、隙間が微小なため、
構造上及び精度上の限界により埋立時に発生するボイド
によるき裂及びビット・ライン・ブリッジの発生を抑制
し、従来の技術におけるワードライン間の隙間に残留す
る溶媒を完全に除去して、形成されるＳＯＧ膜の厚さに
関わらず、安定した膜質の形成を可能にすることによっ
て、その後の熱処理時、洗浄工程のコンタクト・ホール
の開放時及び湿式蝕刻の時に使用する化学剤による半導
体素子の蝕刻を防止することができるという効果が得ら
れる。
【００２５】また、イオン注入方法を取り入れることに
よってＳＯＧ膜の厚さ制御が容易にできるという効果が
得られる。
よってＳＯＧ膜の厚さ制御が容易にできるという効果が
得られる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。図１（Ａ）〜（Ｇ）に、本発明
のＨＳＱ系列のＳＯＧ絶縁層の形成方法を示した工程断
面図を示す。また、図２（Ａ）〜（Ｃ）に、本発明の熱
硬化処理におけるＳＯＧ絶縁層の化学式を示す。
面に基づいて説明する。図１（Ａ）〜（Ｇ）に、本発明
のＨＳＱ系列のＳＯＧ絶縁層の形成方法を示した工程断
面図を示す。また、図２（Ａ）〜（Ｃ）に、本発明の熱
硬化処理におけるＳＯＧ絶縁層の化学式を示す。
【００２７】図１（Ａ）に示すように、半導体素子が形
成された半導体シリコン基板２１上にポリシリコン２２
を蒸着した後、その上に保護用のシリコン窒化膜あるい
はシリコン酸化膜２３を低圧化学的気相蒸着法で形成し
てから、写真蝕刻工程を経て前記ポリシリコン層２２と
の所定部分を除去してワードライン２９を形成する。図
１（Ｂ）に示すように、形成されたワードライン２９の
上面及び側面そして露出した半導体シリコン基板２１の
表面に層間緩衝用シリコン酸化膜２４を蒸着して形成す
る。
成された半導体シリコン基板２１上にポリシリコン２２
を蒸着した後、その上に保護用のシリコン窒化膜あるい
はシリコン酸化膜２３を低圧化学的気相蒸着法で形成し
てから、写真蝕刻工程を経て前記ポリシリコン層２２と
の所定部分を除去してワードライン２９を形成する。図
１（Ｂ）に示すように、形成されたワードライン２９の
上面及び側面そして露出した半導体シリコン基板２１の
表面に層間緩衝用シリコン酸化膜２４を蒸着して形成す
る。
【００２８】図１（Ｃ）に示すように、層間緩衝用シリ
コン酸化膜２４の上部をＨＳＱ系列のＳＯＧ樹脂２５で
コーティングする。ＳＯＧ樹脂２５は、流動性が良いの
で層間絶縁膜として使用するが、密度が低いため吸水性
及び耐衝撃性、耐摩耗性などが低く、不純物の遮断が容
易でないという問題点がある。そこで、この問題点を解
決するために、まず、コーティング用のＳＯＧ樹脂２５
は、凸形状のワードライン２９間の隙間を埋立し、ワー
ドライン２９をすべて覆うようにし、また、露出した半
導体シリコン基板２１においては0.5 μｍの厚さに形成
する。
コン酸化膜２４の上部をＨＳＱ系列のＳＯＧ樹脂２５で
コーティングする。ＳＯＧ樹脂２５は、流動性が良いの
で層間絶縁膜として使用するが、密度が低いため吸水性
及び耐衝撃性、耐摩耗性などが低く、不純物の遮断が容
易でないという問題点がある。そこで、この問題点を解
決するために、まず、コーティング用のＳＯＧ樹脂２５
は、凸形状のワードライン２９間の隙間を埋立し、ワー
ドライン２９をすべて覆うようにし、また、露出した半
導体シリコン基板２１においては0.5 μｍの厚さに形成
する。
【００２９】図２（Ａ）は、図１Ｃに示した工程でのＳ
ＯＧ樹脂２５の化学結合の様子を化学式で示したもの
で，シリコン原子は1 個の酸素と1 個の水素原子と共有
結合し、2 個の酸素原子を隣接した2 個のシリコン原子
らと共有して結合している。このとき、ＳＯＧ樹脂２５
の化学式は、[HSiO3/2]nで表示され、ＦＴＩＲで分析す
るとシリコン−酸素の結合ピークの左側にシリコン−水
素結合のピークが現れる。
ＯＧ樹脂２５の化学結合の様子を化学式で示したもの
で，シリコン原子は1 個の酸素と1 個の水素原子と共有
結合し、2 個の酸素原子を隣接した2 個のシリコン原子
らと共有して結合している。このとき、ＳＯＧ樹脂２５
の化学式は、[HSiO3/2]nで表示され、ＦＴＩＲで分析す
るとシリコン−酸素の結合ピークの左側にシリコン−水
素結合のピークが現れる。
【００３０】図１（Ｄ）に示すように、コーティング用
のＳＯＧ樹脂２５にイオン注入を行ってＳＯＧ樹脂２５
の分子間の結合状態を励起状態に活性化させ、ＳＯＧ層
２６とする。このときの注入イオンは、イオン化が可能
な全ての原子が使われ、イオン注入は100eV 以上にし、
注入量は１×１０イオン／cm2 以上とする。例えば、注
入イオンにアルゴンイオンを使用すると、約２５０ｋｅ
Ｖの電圧エネルギー量が約3 ×1015個/cm3の濃度で発生
する。
のＳＯＧ樹脂２５にイオン注入を行ってＳＯＧ樹脂２５
の分子間の結合状態を励起状態に活性化させ、ＳＯＧ層
２６とする。このときの注入イオンは、イオン化が可能
な全ての原子が使われ、イオン注入は100eV 以上にし、
注入量は１×１０イオン／cm2 以上とする。例えば、注
入イオンにアルゴンイオンを使用すると、約２５０ｋｅ
Ｖの電圧エネルギー量が約3 ×1015個/cm3の濃度で発生
する。
【００３１】なお、このイオン注入方法を取り入れるこ
とによってＳＯＧ膜の厚さ制御が容易にできるという効
果が得られる。図２（Ｂ）は、図１（Ｄ）で示したアル
ゴンイオン注入時のＳＯＧ樹脂２５の化学的変化の過程
を化学式に示したもので、それぞれのシリコン原子らと
結合した水素原子らは、イオン注入によってシリコン原
子らとの結合力が弱くなって水素原子の間に結合して水
素分子を形成しようとする傾向が強くなり、水素原子を
失うシリコン原子は、図２（Ｂ）の右側に表したように
一対の電子対が非共有となった状態で存在するようにな
る。このときの状態をＦＴＩＲで分析すると、図２
（Ａ）と同じようにシリコン−酸素結合のピーク左側に
シリコン−水素結合のピークが現れるが、そのピークの
強さは相対的に小さく現れるのでシリコンと水素の結合
が解離していることがわかる。
とによってＳＯＧ膜の厚さ制御が容易にできるという効
果が得られる。図２（Ｂ）は、図１（Ｄ）で示したアル
ゴンイオン注入時のＳＯＧ樹脂２５の化学的変化の過程
を化学式に示したもので、それぞれのシリコン原子らと
結合した水素原子らは、イオン注入によってシリコン原
子らとの結合力が弱くなって水素原子の間に結合して水
素分子を形成しようとする傾向が強くなり、水素原子を
失うシリコン原子は、図２（Ｂ）の右側に表したように
一対の電子対が非共有となった状態で存在するようにな
る。このときの状態をＦＴＩＲで分析すると、図２
（Ａ）と同じようにシリコン−酸素結合のピーク左側に
シリコン−水素結合のピークが現れるが、そのピークの
強さは相対的に小さく現れるのでシリコンと水素の結合
が解離していることがわかる。
【００３２】図１（Ｅ）に示すように、イオン注入され
たＳＯＧ層２６の密度が減少したため、これを強化させ
るために、約750 ℃下の加熱チャンバー内で高温焼なま
しを行った後、焼しまり加工を行って高密度ＳＯＧ層２
７を形成する。このときの焼なましの雰囲気は空気、窒
素、酸素または水蒸気とし、その量は0.1sccm 〜900scc
m とし、チャンバー内部の圧力は0.01〜1000Torrにす
る。
たＳＯＧ層２６の密度が減少したため、これを強化させ
るために、約750 ℃下の加熱チャンバー内で高温焼なま
しを行った後、焼しまり加工を行って高密度ＳＯＧ層２
７を形成する。このときの焼なましの雰囲気は空気、窒
素、酸素または水蒸気とし、その量は0.1sccm 〜900scc
m とし、チャンバー内部の圧力は0.01〜1000Torrにす
る。
【００３３】図２（Ｃ）は、高温焼なまし工程後での高
密度ＳＯＧ層２７を化学式で示したもので、図２（Ｂ）
に示すように、熱硬化処理を通じて励起された状態の水
素原子らが水素分子になってＳＯＧ層２６を離脱し、こ
こに酸素原子らが置き換えられて純粋なシリコン酸化膜
（SiO2）である高密度ＳＯＧ層２７を構成するようにな
る。
密度ＳＯＧ層２７を化学式で示したもので、図２（Ｂ）
に示すように、熱硬化処理を通じて励起された状態の水
素原子らが水素分子になってＳＯＧ層２６を離脱し、こ
こに酸素原子らが置き換えられて純粋なシリコン酸化膜
（SiO2）である高密度ＳＯＧ層２７を構成するようにな
る。
【００３４】このとき、ＦＴＩＲ分析結果はシリコン−
水素の結合ピークが消滅されたことを意味する。図１
（Ｆ）と図１（Ｇ）に示すように、それぞれ上記の工程
を通じて得られた純粋な成分の酸化シリコンを持つシリ
コン酸化膜である高密度ＳＯＧ層２７の上面を平坦性を
確保するため、高密度ＳＯＧ層２７の上面に酸化膜を化
学的気相蒸着法で蒸着してシリコン酸化膜からなる保護
層２８を形成する工程と、さらに場合によっては、前記
シリコン酸化膜からなる保護層２８に化学機械研磨作業
を施して高精度の平坦面を形成する工程とを施す。以上
の工程を施すことにより、ＳＯＧ樹脂の密度が低いため
吸水性及び耐衝撃性、耐摩耗性などが低く、不純物の遮
断が容易でないという問題点を解決した上で、ボイドに
よるき裂及びビット・ライン・ブリッジの発生を抑制
し、形成されるＳＯＧ膜の厚さに関わらず、安定した膜
質の形成を可能にすることによって、その後の熱処理
時、洗浄工程のコンタクト・ホールの開放時及び湿式蝕
刻の時に使用する化学剤による半導体素子の蝕刻を防止
することができるという効果が得られる。
水素の結合ピークが消滅されたことを意味する。図１
（Ｆ）と図１（Ｇ）に示すように、それぞれ上記の工程
を通じて得られた純粋な成分の酸化シリコンを持つシリ
コン酸化膜である高密度ＳＯＧ層２７の上面を平坦性を
確保するため、高密度ＳＯＧ層２７の上面に酸化膜を化
学的気相蒸着法で蒸着してシリコン酸化膜からなる保護
層２８を形成する工程と、さらに場合によっては、前記
シリコン酸化膜からなる保護層２８に化学機械研磨作業
を施して高精度の平坦面を形成する工程とを施す。以上
の工程を施すことにより、ＳＯＧ樹脂の密度が低いため
吸水性及び耐衝撃性、耐摩耗性などが低く、不純物の遮
断が容易でないという問題点を解決した上で、ボイドに
よるき裂及びビット・ライン・ブリッジの発生を抑制
し、形成されるＳＯＧ膜の厚さに関わらず、安定した膜
質の形成を可能にすることによって、その後の熱処理
時、洗浄工程のコンタクト・ホールの開放時及び湿式蝕
刻の時に使用する化学剤による半導体素子の蝕刻を防止
することができるという効果が得られる。
【図１】本発明のＨＳＱ系列のＳＯＧ絶縁層の形成方法
を示した工程断面図
を示した工程断面図
【図２】本発明の熱硬化処理におけるＳＯＧ絶縁層の化
学式
学式
【図３】従来の技術による半導体装置における半導体基
板上の凸形状の半導体素子間の隙間又は配線間の隙間を
埋め立てるための絶縁膜の形成方法を示した工程断面図
（前段）
板上の凸形状の半導体素子間の隙間又は配線間の隙間を
埋め立てるための絶縁膜の形成方法を示した工程断面図
（前段）
【図４】従来の技術による半導体装置における半導体基
板上の凸形状の半導体素子間の隙間又は配線間の隙間を
埋め立てるための絶縁膜の形成方法を示した工程断面図
（後段）
板上の凸形状の半導体素子間の隙間又は配線間の隙間を
埋め立てるための絶縁膜の形成方法を示した工程断面図
（後段）
１１ 半導体シリコン基板 １２ ポリシリコン １３ 保護用窒化膜 １４ 窒化膜 １５ 緩衝用酸化膜 １６ BPSG、USG あるいはSOG からなる層 １７ シリコン酸化膜からなる保護層 １８ ワードライン ２１ 半導体シリコン基板 ２２ ポリシリコン層 ２３ シリコン窒化膜あるいはシリコン酸化膜 ２４ 層間緩衝用シリコン酸化膜 ２５ ＳＯＧ樹脂 ２６ ＳＯＧ層 ２７ 高密度ＳＯＧ層 ２８ シリコン酸化膜からなる保護層 ２９ ワードライン
Claims (14)
- 【請求項１】半導体基板上にＨＳＱ系列のＳＯＧ層を形
成する工程と、 前記ＳＯＧ層にイオン注入を行う工程と、 前記ＳＯＧ層を焼しまり加工する工程と、 で構成されたことを特徴とする半導体装置のＳＯＧ層形
成方法。 - 【請求項２】前記ＳＯＧ層は、層間絶縁膜として用いる
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のＳＯＧ
層形成方法。 - 【請求項３】前記ＳＯＧ層の厚さを0.05〜5 μｍに形成
することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半
導体装置のＳＯＧ層形成方法。 - 【請求項４】前記ＳＯＧ層にイオン注入を行う工程にお
いて、注入するイオンにはイオン化が可能な原子のイオ
ンを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装
置のＳＯＧ層形成方法。 - 【請求項５】前記ＳＯＧ層にイオン注入を行う工程にお
いて、イオン注入は１００ｅＶ以上にし、注入量は１×
１０イオン／cm2 以上にして行うことを特徴とする請求
項１又は請求項４に記載の半導体装置のＳＯＧ層形成方
法。 - 【請求項６】前記ＳＯＧ層を焼しまり加工する工程は、
チャンバー内で行われることを特徴とする請求項１に記
載の半導体装置のＳＯＧ層形成方法。 - 【請求項７】前記チャンバー内の圧力を0.01Torrにする
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置のＳＯＧ
層形成方法。 - 【請求項８】前記ＳＯＧ層を焼しまり加工する工程は、
400 〜1400℃の温度条件下で行うことを特徴とする請求
項１、請求項６、請求項７のいずれか１つに記載の半導
体装置のＳＯＧ層形成方法。 - 【請求項９】前記ＳＯＧ層を焼しまり加工する工程にお
いて、空気、窒素、酸素または水蒸気の雰囲気で、その
量を0.1 〜900sccm にすることを特徴とする請求項１、
請求項６〜請求項８のいずれか１つに記載の半導体装置
のＳＯＧ層形成方法。 - 【請求項１０】半導体素子が形成された半導体基板の凹
凸形状の表面を層間絶縁膜としてＨＳＱ系列のＳＯＧ層
にコーティングする工程と、前記ＳＯＧ層にイオン化が
可能な原子のイオンを用いてイオン注入を行う工程と、
前記ＳＯＧ層をチャンバー内で焼なましして焼しまり加
工する工程と、前記ＳＯＧ層の平坦性を確保するために
保護層を形成する工程と、で構成されたことを特徴とす
る半導体装置のＳＯＧ層形成方法。 - 【請求項１１】前記ＳＯＧ層の厚さを0.05〜5 μｍに形
成することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置
のＳＯＧ層形成方法。 - 【請求項１２】前記ＳＯＧ層にイオン化が可能な原子の
イオンを用いてイオン注入を行う工程において、アルゴ
ンイオンを用いることを特徴とする請求項１０に記載の
半導体装置のＳＯＧ層形成方法。 - 【請求項１３】前記ＳＯＧ層をチャンバー内で焼なまし
して焼しまり加工する工程において、チャンバー内部の
温度を400 〜1400℃、圧力を0.01〜1000Torrとし、窒
素、酸素、または水蒸気の雰囲気とすることを特徴とす
る請求項１０に記載の半導体装置のＳＯＧ層形成方法。 - 【請求項１４】前記保護層は、化学的気相蒸着法によっ
てシリコン酸化膜を形成することを特徴とする請求項１
０に記載の半導体装置のＳＯＧ層形成方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970074106A KR100248159B1 (ko) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 반도체장치에 있어서 이온주입을 통한 에스오지층형성방법 |
| KR74106/1997 | 1997-12-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274152A true JPH11274152A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=19528667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10367025A Pending JPH11274152A (ja) | 1997-12-26 | 1998-12-24 | 半導体装置のｓｏｇ層形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11274152A (ja) |
| KR (1) | KR100248159B1 (ja) |
| TW (1) | TW434809B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302396A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| CN115662903A (zh) * | 2022-11-14 | 2023-01-31 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 半导体器件的制作方法以及半导体器件 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100780617B1 (ko) * | 2006-06-29 | 2007-11-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조방법 |
-
1997
- 1997-12-26 KR KR1019970074106A patent/KR100248159B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-06-26 TW TW087110367A patent/TW434809B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-12-24 JP JP10367025A patent/JPH11274152A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006302396A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US7662264B2 (en) | 2005-04-19 | 2010-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for producing magnetic recording medium |
| CN115662903A (zh) * | 2022-11-14 | 2023-01-31 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 半导体器件的制作方法以及半导体器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100248159B1 (ko) | 2000-03-15 |
| KR19990054301A (ko) | 1999-07-15 |
| TW434809B (en) | 2001-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW322465B (en) | Technique for the removal of residual spin-on-glass (SOG) after full SOG etchback | |
| JP3248492B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100870616B1 (ko) | 트랜치 절연 영역 형성 방법 | |
| US6140024A (en) | Remote plasma nitridation for contact etch stop | |
| KR101298859B1 (ko) | 저온 결합 방법 및 결합된 구조 | |
| US8703005B2 (en) | Methods for removing dielectric materials | |
| JP3619597B2 (ja) | 半導体装置の絶縁膜形成方法 | |
| JP2004179614A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100499171B1 (ko) | 스핀온글래스에 의한 산화실리콘막의 형성방법 | |
| JP2004518283A (ja) | トレンチの充填方法 | |
| JP3250518B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0770534B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0964037A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US6432843B1 (en) | Methods of manufacturing integrated circuit devices in which a spin on glass insulation layer is dissolved so as to recess the spin on glass insulation layer from the upper surface of a pattern | |
| JP4901221B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10303295A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002033478A (ja) | 半導体素子のゲート電極形成方法 | |
| JPS63117423A (ja) | 二酸化シリコンのエツチング方法 | |
| JPH11274152A (ja) | 半導体装置のｓｏｇ層形成方法 | |
| JP3159253B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100593673B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 소자 분리막 제조 방법 | |
| US20070254491A1 (en) | Protective layer for a low k dielectric film and methods of forming the same | |
| JPH11150179A (ja) | 溝分離型半導体装置の製造方法 | |
| JP3402937B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20080029151A (ko) | 반도체 장치의 절연막 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050218 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050311 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050414 |