JPH025551A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH025551A JPH025551A JP15732588A JP15732588A JPH025551A JP H025551 A JPH025551 A JP H025551A JP 15732588 A JP15732588 A JP 15732588A JP 15732588 A JP15732588 A JP 15732588A JP H025551 A JPH025551 A JP H025551A
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- silicon nitride
- polyimide
- nitride film
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路装置の金属多層配線層を絶縁す
る層間膜の構造に関する。
る層間膜の構造に関する。
スピン塗布法によってつけることのできるポリイミド膜
は、成膜時の平坦性が良好なため、従来使用されている
プラズマシリコン窒ｆｔＪに代ゎって次世代の微細設計
のＬＳＩの金属多層配線層間膜として用いるべく検討が
行われている。
は、成膜時の平坦性が良好なため、従来使用されている
プラズマシリコン窒ｆｔＪに代ゎって次世代の微細設計
のＬＳＩの金属多層配線層間膜として用いるべく検討が
行われている。
しかしながら、プラズマシリコン窒化膜に比較して一般
にポリイミド膜は第１層アルミ配線とシリコン基板との
間の層間膜として用いられているリンガラスとの密着性
が小さく、従来より問題となっていた。これを解決する
ために、有機シリコンを配合した構造のポリイミド膜が
あり、かなり密着力が向上し、初期的には問題ないレベ
ルになっている。しかしながら、我々の実験に於いて、
プレッシュークッカーテストによる加速試験で特に下地
基板として高濃度リンを含んだボロンリンガラスとの密
着力が低下する結果を得ている。
にポリイミド膜は第１層アルミ配線とシリコン基板との
間の層間膜として用いられているリンガラスとの密着性
が小さく、従来より問題となっていた。これを解決する
ために、有機シリコンを配合した構造のポリイミド膜が
あり、かなり密着力が向上し、初期的には問題ないレベ
ルになっている。しかしながら、我々の実験に於いて、
プレッシュークッカーテストによる加速試験で特に下地
基板として高濃度リンを含んだボロンリンガラスとの密
着力が低下する結果を得ている。
この理由としては、ポロン・リンガラス中に含まれてい
た水分が加速試験によって脱離しポリイミドとポロン・
リンガラス界面の結合に作用し加水分解によって切断さ
れてしまうものと推定している。
た水分が加速試験によって脱離しポリイミドとポロン・
リンガラス界面の結合に作用し加水分解によって切断さ
れてしまうものと推定している。
本発明の金属多層配線構造の層間絶縁膜は、ポリイミド
膜とポロン・リンガラス層との間に薄いシリコン窒化膜
をつけ、ポロン・リンガラスからの水分の影響を防ぐ手
段を講じている。
膜とポロン・リンガラス層との間に薄いシリコン窒化膜
をつけ、ポロン・リンガラスからの水分の影響を防ぐ手
段を講じている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
第１図（ａ）のように半導体基板１上にポロン・リンガ
ラス２がつけられ、第１層アルミ配線３が形成されてい
る。この様な構造は半導体集積回路では一般的な構造で
ある。第１図（ｂ）の如く、ＳｉＨ，とＮ Ｈｉガスを
導入し３０ｐａ程度の圧力にて、約３００℃の温度下で
、プラズマＣＶＤ法によってシリコン窒化膜４を約１０
００オングストロームの厚さにて付ける。第１図（Ｃ）
のようにポリイミド溶液をスピン塗布し４００℃程度ま
での段階的昇温加熱を行ってポリイミド膜５を成膜Ｌ、
約１００００オングストロームの厚さのポリイミド／シ
リコン窒化膜構造を形成する。
ラス２がつけられ、第１層アルミ配線３が形成されてい
る。この様な構造は半導体集積回路では一般的な構造で
ある。第１図（ｂ）の如く、ＳｉＨ，とＮ Ｈｉガスを
導入し３０ｐａ程度の圧力にて、約３００℃の温度下で
、プラズマＣＶＤ法によってシリコン窒化膜４を約１０
００オングストロームの厚さにて付ける。第１図（Ｃ）
のようにポリイミド溶液をスピン塗布し４００℃程度ま
での段階的昇温加熱を行ってポリイミド膜５を成膜Ｌ、
約１００００オングストロームの厚さのポリイミド／シ
リコン窒化膜構造を形成する。
前述の実施例に於いてはシリコン窒化膜４をプラズマＣ
ＶＤ法によってつげる方法について説明したが、他の方
法と１−では、スパッタリング法を用いて成膜すること
も可能である。この方法はシリコン窒化膜ターゲットを
用い、約０．５ｐａの圧力にてアルゴンガスを導入し、
５００Ｖ程度のＲＦ主電力印加することによってターゲ
ットに対向させた基板に成膜することができる。
ＶＤ法によってつげる方法について説明したが、他の方
法と１−では、スパッタリング法を用いて成膜すること
も可能である。この方法はシリコン窒化膜ターゲットを
用い、約０．５ｐａの圧力にてアルゴンガスを導入し、
５００Ｖ程度のＲＦ主電力印加することによってターゲ
ットに対向させた基板に成膜することができる。
以」二説明１−たＪ二うに本発明は、層間絶縁膜と１゜
てポリイミド膜の下に薄いシリコン窒化膜をつけること
によって下地ポロン・リンガラスと極めて密着力にすぐ
れたものとすることができるため高積積化に耐え得る平
坦性に侵れた金属多層配線構造を実現することが可能に
なる効果がある。
てポリイミド膜の下に薄いシリコン窒化膜をつけること
によって下地ポロン・リンガラスと極めて密着力にすぐ
れたものとすることができるため高積積化に耐え得る平
坦性に侵れた金属多層配線構造を実現することが可能に
なる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・ポロン・リ
ンガラス、３・・・・・・下層アルミ配線、４・・・・
・・シリコン窒化膜、５・・・・・・ポリイミド膜。 代理人 弁理士 内 原 晋
ンガラス、３・・・・・・下層アルミ配線、４・・・・
・・シリコン窒化膜、５・・・・・・ポリイミド膜。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体基板表面にボロンリンガラス膜が形成されてあり
、該ボロンリンガラス膜と、ポリイミド膜との間に薄い
５００〜２０００オングストロームの厚さのシリコン窒
化膜が付けられた構造となっていることを特徴とした半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15732588A JPH025551A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15732588A JPH025551A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025551A true JPH025551A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15647229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15732588A Pending JPH025551A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025551A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139971A (en) * | 1991-06-07 | 1992-08-18 | Intel Corporation | Anneal to decrease moisture absorbance of intermetal dielectrics |
| JPH0517249U (ja) * | 1991-08-20 | 1993-03-05 | アンクラ インターナシヨナル コーポレイシヨン | ラチエツトバツクル |
| JPH0653846U (ja) * | 1992-09-04 | 1994-07-22 | 株式会社ユタカメイク | 荷締機 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287150A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層配線の形成方法 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15732588A patent/JPH025551A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61287150A (ja) * | 1985-06-13 | 1986-12-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多層配線の形成方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5139971A (en) * | 1991-06-07 | 1992-08-18 | Intel Corporation | Anneal to decrease moisture absorbance of intermetal dielectrics |
| JPH0517249U (ja) * | 1991-08-20 | 1993-03-05 | アンクラ インターナシヨナル コーポレイシヨン | ラチエツトバツクル |
| JPH0653846U (ja) * | 1992-09-04 | 1994-07-22 | 株式会社ユタカメイク | 荷締機 |
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