JPH0258353A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0258353A JPH0258353A JP21020388A JP21020388A JPH0258353A JP H0258353 A JPH0258353 A JP H0258353A JP 21020388 A JP21020388 A JP 21020388A JP 21020388 A JP21020388 A JP 21020388A JP H0258353 A JPH0258353 A JP H0258353A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置、特に多層構造の導電層を有する
半導体装置の眉間絶縁の改良に関するものである。
半導体装置の眉間絶縁の改良に関するものである。
第３図は従来のこの種半導体装置における眉間絶縁の構
造を示す模式断面図である。この図において（１）は図
示しない半導体素子等を含む半導体基板、＋２１はこの
半導体基板上に配設され、基板内の半導体素子等に接続
される導電層で、例えばアルミニウム合金や高融点金属
シリサイド等の金属をスパッタリング法によって半導体
基板（１）上に蒸着して導電膜を形成すると共に、通常
の転写技術分用いて導電股上に所望のレジストパターン
ご形成し、その後、反応性イオンエツヂング等でエツチ
ングしてレジスｌ−を除去することにより形成されるも
のである。（３）はシリコン酸化膜等の眉間絶縁層で、
導電層口がアルミニラｌい合金の場合には、シラン（Ｓ
ｉｔ４４）と亜酸化窒素（Ｎ２０）を反応ガスとして用
いるプラズマＣＶＤ法によって形成されることが多い。
造を示す模式断面図である。この図において（１）は図
示しない半導体素子等を含む半導体基板、＋２１はこの
半導体基板上に配設され、基板内の半導体素子等に接続
される導電層で、例えばアルミニウム合金や高融点金属
シリサイド等の金属をスパッタリング法によって半導体
基板（１）上に蒸着して導電膜を形成すると共に、通常
の転写技術分用いて導電股上に所望のレジストパターン
ご形成し、その後、反応性イオンエツヂング等でエツチ
ングしてレジスｌ−を除去することにより形成されるも
のである。（３）はシリコン酸化膜等の眉間絶縁層で、
導電層口がアルミニラｌい合金の場合には、シラン（Ｓ
ｉｔ４４）と亜酸化窒素（Ｎ２０）を反応ガスとして用
いるプラズマＣＶＤ法によって形成されることが多い。
なお、図には示していないが眉間絶縁層（３）の上面に
は半導体基板内の半導体素子等に接続される他の導電層
が配設され、上述した導電層（２１と共に多層導電層を
構成しているものである。
は半導体基板内の半導体素子等に接続される他の導電層
が配設され、上述した導電層（２１と共に多層導電層を
構成しているものである。
このようにｉ成された半導体装直において、アラズマＣ
ＶＤ法によって形成されるシリコン酸化膜は段差被覆性
が悪い、即ち半導体基板状に複数の導電層＋２１が設け
られた場合、導電層の上面と、各導電層に挟まれた半導
体基板面との間に段差が生じ、ＩＮに各導電層に挟まれ
た半導体基板面上のシリコン酸化膜の厚さが導電層の上
面に形成されるシリコン酸化１１ｉの厚さより薄くなる
傾向があるため、半導体装置の微細化の進展に伴い、導
電層（ａの間隔が小さくなる場合には、第３図に示すよ
うに、導電層間においてシリコン酸化膜に空洞（７１）
が生じることがあり、半導体装置の信頼性劣化の原因と
なっている。
ＶＤ法によって形成されるシリコン酸化膜は段差被覆性
が悪い、即ち半導体基板状に複数の導電層＋２１が設け
られた場合、導電層の上面と、各導電層に挟まれた半導
体基板面との間に段差が生じ、ＩＮに各導電層に挟まれ
た半導体基板面上のシリコン酸化膜の厚さが導電層の上
面に形成されるシリコン酸化１１ｉの厚さより薄くなる
傾向があるため、半導体装置の微細化の進展に伴い、導
電層（ａの間隔が小さくなる場合には、第３図に示すよ
うに、導電層間においてシリコン酸化膜に空洞（７１）
が生じることがあり、半導体装置の信頼性劣化の原因と
なっている。
一方、上述した眉間絶縁層（３）は有機シラン（代表曲
なものにテトラエトキシシラン（ＴＥ０１）；Ｓ ｉ
（ＯＣ２）＋ ５） ４がある）を反応ガスとした常圧
ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によりシ
リコン酸化膜やリンガラス膜として形成することが可能
である。とりわけＴＥ０１とオゾン（Ｏｌ）を用いた常
圧ＣＶＤ法によれば段差被覆性が陵れており、第２図に
模式的に示すように、各導電層［２１に挟まれた半導体
基板面の部分が非常に平坦なシリコン酸化膜（５１を得
ることができる。
なものにテトラエトキシシラン（ＴＥ０１）；Ｓ ｉ
（ＯＣ２）＋ ５） ４がある）を反応ガスとした常圧
ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等によりシ
リコン酸化膜やリンガラス膜として形成することが可能
である。とりわけＴＥ０１とオゾン（Ｏｌ）を用いた常
圧ＣＶＤ法によれば段差被覆性が陵れており、第２図に
模式的に示すように、各導電層［２１に挟まれた半導体
基板面の部分が非常に平坦なシリコン酸化膜（５１を得
ることができる。
その他の構成は第３図の場合と同様であるため説明を省
略する。
略する。
このように構成された半導体装ｌにおいて、有機シラン
を用いて形成したシリコン酸化Ｌ”（５１はクラック耐
性に問題があり、上述の常圧ＣＶＤ法によって形成した
場合には４５０°Ｃ１数時間程度の熱処理でクラックが
発生するという欠点がある。そして、このクラックはシ
リコン酸化膜ｆ５１の厚さが厚くなるほど発生しやすく
、又、導電層（２１と接している場合には特に発生しや
すい。
を用いて形成したシリコン酸化Ｌ”（５１はクラック耐
性に問題があり、上述の常圧ＣＶＤ法によって形成した
場合には４５０°Ｃ１数時間程度の熱処理でクラックが
発生するという欠点がある。そして、このクラックはシ
リコン酸化膜ｆ５１の厚さが厚くなるほど発生しやすく
、又、導電層（２１と接している場合には特に発生しや
すい。
従来の半導体装置は以上のように構成されているため、
シランを反応ガスとして含むＣＶＤ法によって形成され
たシリコン酸化膜（３）はクラック耐性に関しては問題
がないが、段差被覆性が悪いという問題点があり、有機
シランを反応ガスとして含むＣＶＤ法によって形成され
たシリコン酸化膜（５１は段差被覆性が良好であるがク
ラック耐性が劣るという問題点がある。
シランを反応ガスとして含むＣＶＤ法によって形成され
たシリコン酸化膜（３）はクラック耐性に関しては問題
がないが、段差被覆性が悪いという問題点があり、有機
シランを反応ガスとして含むＣＶＤ法によって形成され
たシリコン酸化膜（５１は段差被覆性が良好であるがク
ラック耐性が劣るという問題点がある。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、クラック耐性及び段差被覆性が共に良好な層
間絶縁層を備えた半導体装置を提供しようとするもので
ある。
たもので、クラック耐性及び段差被覆性が共に良好な層
間絶縁層を備えた半導体装置を提供しようとするもので
ある。
この発明に係る半導体装置は、シランを反応ガスとして
含むＣＶＤ法によって形成された第１の絶縁層と、有機
シランを反応ガスとして含むＣＶＤ法によって形成され
た第２の絶縁層とから眉間絶縁層を形成し、第１の絶縁
層を半導体基板側に配設するようにしたものである。
含むＣＶＤ法によって形成された第１の絶縁層と、有機
シランを反応ガスとして含むＣＶＤ法によって形成され
た第２の絶縁層とから眉間絶縁層を形成し、第１の絶縁
層を半導体基板側に配設するようにしたものである。
この発明によれば、眉間絶縁層のうち、クラック耐性に
問題のない第１の絶縁層によって半導体基板及び導電層
を覆い、その上面を第２の絶縁層によって覆うようにし
ているため、第２の絶縁層は導Ｔ、層に接触することが
なく、従って良好なりラック耐性が期待できることに加
えて、優れた段差彼Ｎ性をも利用することができるもの
である。
問題のない第１の絶縁層によって半導体基板及び導電層
を覆い、その上面を第２の絶縁層によって覆うようにし
ているため、第２の絶縁層は導Ｔ、層に接触することが
なく、従って良好なりラック耐性が期待できることに加
えて、優れた段差彼Ｎ性をも利用することができるもの
である。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
ＵＡにおいて（１）は、図示しないｆ−導体素子等を含
む半導体基板、（２）はこの半導体基板上に、従来と同
様な方法によって厚さ０，６〔μｍ〕に形成されたアル
ミニウム合金の導電層、（６）はシラン（ＳｔＨａ）と
亜酸化窒素（Ｎ２０）を反応ガスとして用いるプラズマ
ＣＶＤ法によって厚さ０，２〔）１ｍ〕に形成された第
１の絶縁層、（刀は」二記第１の絶縁層の上面に有機シ
ラン（ＴＥ０１）を反応ガスとして用いる常圧ＣＶＤ法
によって厚さ０．６〔μｍ〕に形成された第２の絶縁層
で、上記第１の絶縁層と共に居間絶縁層を形成している
。
ＵＡにおいて（１）は、図示しないｆ−導体素子等を含
む半導体基板、（２）はこの半導体基板上に、従来と同
様な方法によって厚さ０，６〔μｍ〕に形成されたアル
ミニウム合金の導電層、（６）はシラン（ＳｔＨａ）と
亜酸化窒素（Ｎ２０）を反応ガスとして用いるプラズマ
ＣＶＤ法によって厚さ０，２〔）１ｍ〕に形成された第
１の絶縁層、（刀は」二記第１の絶縁層の上面に有機シ
ラン（ＴＥ０１）を反応ガスとして用いる常圧ＣＶＤ法
によって厚さ０．６〔μｍ〕に形成された第２の絶縁層
で、上記第１の絶縁層と共に居間絶縁層を形成している
。
なお、第２の絶縁層の上面に更に他の導電層が配設され
るが第１図ではこれを省略している。
るが第１図ではこれを省略している。
この構成は、層間絶縁層を第１及び第２の絶縁層の組合
せという形で構成し、導電層（至）に直接接触する側に
、クラック耐性に問題のない第１の絶縁層（６）を配設
し、クラック耐性に多少の問題はあるが段差７Ｉ！、贋
作の良好な第２の絶縁層（７を導電層（２１と直接接触
しない形で配設するようにしたものである。この実施例
について４５０℃、１０時間の熱処理３行ったところ、
クラックの発生は観察されなかった。従って、クラック
耐性に関しては実使用上、問題のないレベルと言えるが
、絶縁層上面の平坦性については、まだ、十分と言える
らのではないなめ、更に平坦性が要求される場合には、
」二連の眉間絶縁層の上面に例えば塗布ガラス層を形成
したり、エッチバック法による平坦化と行う必要がある
。
せという形で構成し、導電層（至）に直接接触する側に
、クラック耐性に問題のない第１の絶縁層（６）を配設
し、クラック耐性に多少の問題はあるが段差７Ｉ！、贋
作の良好な第２の絶縁層（７を導電層（２１と直接接触
しない形で配設するようにしたものである。この実施例
について４５０℃、１０時間の熱処理３行ったところ、
クラックの発生は観察されなかった。従って、クラック
耐性に関しては実使用上、問題のないレベルと言えるが
、絶縁層上面の平坦性については、まだ、十分と言える
らのではないなめ、更に平坦性が要求される場合には、
」二連の眉間絶縁層の上面に例えば塗布ガラス層を形成
したり、エッチバック法による平坦化と行う必要がある
。
以上の説明では、導電層（２１としてアルミニウム？ｒ
’ｋを用いた例を示したが、タングステンやタングス
テンシリサイド等の導電材ｆ−＋を用いてもよい。
’ｋを用いた例を示したが、タングステンやタングス
テンシリサイド等の導電材ｆ−＋を用いてもよい。
また、シラン系の反応ガスを用いた絶縁層の形成力法と
してプラズマＣＶＤ法を挙げたが、これは他のＣＶＤ法
によっても同様な効果を期待することができる。更に、
有機シランとしてＴＥ０１とＯ３を用いた常圧ＣＶＤ法
によりシリコン酸化膜を形成する例を示したが、リンガ
ラス等の他の絶縁膜を形成してもよく、更にまたＴＥ０
１とＯ２を用いた減圧ＣＶＤ法によって形成してもよく
、有機シランを用いたＣＶＤ法であれば、いずれの方法
によっても同様な効果が期待できるものである。
してプラズマＣＶＤ法を挙げたが、これは他のＣＶＤ法
によっても同様な効果を期待することができる。更に、
有機シランとしてＴＥ０１とＯ３を用いた常圧ＣＶＤ法
によりシリコン酸化膜を形成する例を示したが、リンガ
ラス等の他の絶縁膜を形成してもよく、更にまたＴＥ０
１とＯ２を用いた減圧ＣＶＤ法によって形成してもよく
、有機シランを用いたＣＶＤ法であれば、いずれの方法
によっても同様な効果が期待できるものである。
以上のように、この発明によればシランを反応ガスとし
て含むＣＶＤ法によって形成された第１の絶縁層と、有
機シランを反応ガスとして含むＣＶＤ法によって形成さ
れた第２の絶縁層とから層間絶縁層を形成すると共に、
第１の絶縁層を半導体基板側に配設するようにしたため
、クラック耐性及び段差被覆性が共に優れた半導体装置
を１ｒ５ることができるものである。
て含むＣＶＤ法によって形成された第１の絶縁層と、有
機シランを反応ガスとして含むＣＶＤ法によって形成さ
れた第２の絶縁層とから層間絶縁層を形成すると共に、
第１の絶縁層を半導体基板側に配設するようにしたため
、クラック耐性及び段差被覆性が共に優れた半導体装置
を１ｒ５ることができるものである。
第１図はこの発明の一実施例を示す模式断面図、第２図
及び第３図は従来の半導体装置を示す模式断面図である
０図において（１）は半導体基板、（２）は導電層、［
３１ｆ５１はシリコン酸化膜、（２）は空洞、（６）は
第１の絶縁層、（７）は第２の絶縁層である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示ず。
及び第３図は従来の半導体装置を示す模式断面図である
０図において（１）は半導体基板、（２）は導電層、［
３１ｆ５１はシリコン酸化膜、（２）は空洞、（６）は
第１の絶縁層、（７）は第２の絶縁層である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示ず。
Claims (1)
- 半導体素子等を含む半導体基板上に、上記半導体素子等
に接続される導電層を多層配置し、各導電層間に絶縁層
を設けたものにおいて、シランを反応ガスとして含む気
相成長法（以下ＣＶＤ法と言う）により形成された第１
の絶縁層と、有機シランを反応ガスとして含むＣＶＤ法
により形成された第２の絶縁層とから上記絶縁層を構成
すると共に、上記第１の絶縁層を上記半導体基板側に配
設したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21020388A JPH0258353A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21020388A JPH0258353A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258353A true JPH0258353A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16585500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21020388A Pending JPH0258353A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258353A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0434936A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH04233225A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-08-21 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 集積回路の製造方法 |
| JPH04266028A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-09-22 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路の製造方法 |
| JP2008122548A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Meidensha Corp | 光パイプ内蔵型ｌａｎコネクタ用遮光板の形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01185945A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01239940A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP21020388A patent/JPH0258353A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01185945A (ja) * | 1988-01-21 | 1989-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH01239940A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
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| JPH04266028A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-09-22 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 半導体集積回路の製造方法 |
| JP2008122548A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Meidensha Corp | 光パイプ内蔵型ｌａｎコネクタ用遮光板の形成方法 |
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