JPS62221120A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62221120A JPS62221120A JP6645086A JP6645086A JPS62221120A JP S62221120 A JPS62221120 A JP S62221120A JP 6645086 A JP6645086 A JP 6645086A JP 6645086 A JP6645086 A JP 6645086A JP S62221120 A JPS62221120 A JP S62221120A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体基板上に形成され、所定のパターンに形成された
配線膜と基板間の段差を埋めるために用いるシリコン（
Ｓｉ）原子を含む有機化合物膜（スピンオングラス膜、
以下ＳＯＧ膜と称する。）を塗布後、熱処理し、次いで
窒素ガスプラズマの雰囲気で処理することで、後の工程
でこのｓｏＧ膜を酸素プラズマに曝した時に変質して剥
離しない状態にする。
配線膜と基板間の段差を埋めるために用いるシリコン（
Ｓｉ）原子を含む有機化合物膜（スピンオングラス膜、
以下ＳＯＧ膜と称する。）を塗布後、熱処理し、次いで
窒素ガスプラズマの雰囲気で処理することで、後の工程
でこのｓｏＧ膜を酸素プラズマに曝した時に変質して剥
離しない状態にする。
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体装置は益々高密度に形成するこ
とが要求され、そのために半導体素子間を接続する配線
膜を絶縁膜を介して多層構造に形成する配線構造が採ら
れるように成っている。
とが要求され、そのために半導体素子間を接続する配線
膜を絶縁膜を介して多層構造に形成する配線構造が採ら
れるように成っている。
このような多層配線構造の半導体装置を形成する際の従
来の工程を第２図を用いて説明する。
来の工程を第２図を用いて説明する。
まず第２図に示すように、例えばトランジスタのエミッ
タ領域等の半導体素子形成領域１を形成したＳｉ基板２
に、該素子形成領域１上が開口された二酸化シリコン（
ＳｉＯ２）等の絶縁膜３を化学蒸着（ＣＶＤ）法等を用
いて形成する。
タ領域等の半導体素子形成領域１を形成したＳｉ基板２
に、該素子形成領域１上が開口された二酸化シリコン（
ＳｉＯ２）等の絶縁膜３を化学蒸着（ＣＶＤ）法等を用
いて形成する。
次いで該絶縁膜３上に所定パターンの第１層のアルミニ
ウム（〜）配線膜４をスパッタ法、プラズマエツチング
法等を用いて形成する。
ウム（〜）配線膜４をスパッタ法、プラズマエツチング
法等を用いて形成する。
更にその上に燐珪酸ガラス膜（ＰＳＧ膜）よりなる眉間
絶縁膜５をＣＶＤ法を用いて形成する。
絶縁膜５をＣＶＤ法を用いて形成する。
次いでその上にＳＯＧ膜６を塗布形成する。
このＳＯＧ膜は、高粘度状の材料でスピナーを用いて配
線膜が形成された基板上に塗布形成することで、〜の配
線膜４に依って生じる基板上の段差が解消され、その表
面が平坦な状態に仕上がり、次いで加熱処理することで
５ｉＯ２１１１ｔｉのような絶縁膜となる。
線膜が形成された基板上に塗布形成することで、〜の配
線膜４に依って生じる基板上の段差が解消され、その表
面が平坦な状態に仕上がり、次いで加熱処理することで
５ｉＯ２１１１ｔｉのような絶縁膜となる。
次いでこのＳＯＧ膜６、ＰＳＧＩＩ５にコンタクトホー
ル７をリアクティブスパッタエツチング（ＲＩ Ｅ）法
を用いて形成し、その上に第２層の〜配線膜８をスパッ
タ法で形成後、ＲＩＥ法を用いて所定のパターンに形成
している。
ル７をリアクティブスパッタエツチング（ＲＩ Ｅ）法
を用いて形成し、その上に第２層の〜配線膜８をスパッ
タ法で形成後、ＲＩＥ法を用いて所定のパターンに形成
している。
また最近では、第２層のＰＳＧＩＩ！Ｊ５を用いる代わ
りに直接ＳＯＧ膜を用いて工程を簡略化することも行わ
れている。
りに直接ＳＯＧ膜を用いて工程を簡略化することも行わ
れている。
ところでコンタクトホール７、および〜の配線膜８を所
定のパターンにＲＩＥ法を用いて形成する際、レジスト
膜をマスクとして用いてエツチングする手法が採られて
おり、後の工程でマスクとして用いたレジスト膜を酸素
プラズマの雰囲気内で灰化する手法が採られており、こ
の酸素プラズマ雰囲気内に基板を曝すと、基板上のＳＯ
Ｇ膜６が変質してクラック等を発生して剥離しやすくな
る不都合を生じる。
定のパターンにＲＩＥ法を用いて形成する際、レジスト
膜をマスクとして用いてエツチングする手法が採られて
おり、後の工程でマスクとして用いたレジスト膜を酸素
プラズマの雰囲気内で灰化する手法が採られており、こ
の酸素プラズマ雰囲気内に基板を曝すと、基板上のＳＯ
Ｇ膜６が変質してクラック等を発生して剥離しやすくな
る不都合を生じる。
本発明は上記した問題点を解決し、マスクとして用いた
レジスト膜を酸素プラ′ズマ雰囲気内で灰化処理して除
去する際に、基板上の有機化合物膜が変質しないように
した半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
レジスト膜を酸素プラ′ズマ雰囲気内で灰化処理して除
去する際に、基板上の有機化合物膜が変質しないように
した半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
本発明の半導体装置の製造方法は、所定パターンに形成
された配線膜を有する基板上にシリコン原子を含む有機
化合物膜を塗布後、この有機化合物膜を熱処理し、次い
でこの有機化合物膜を窒素ガスプラズマの雰囲気で処理
する工程を含む。
された配線膜を有する基板上にシリコン原子を含む有機
化合物膜を塗布後、この有機化合物膜を熱処理し、次い
でこの有機化合物膜を窒素ガスプラズマの雰囲気で処理
する工程を含む。
本発明の半導体装置の製造方法は、Ｓｉ原子を含む有機
化合物膜を有する基板を窒素ガスプラズマの雰囲気内に
曝し、その膜の表面にＳｉの窒素化合物膜を形成するこ
とで、後の工程で酸素プラズマにこの有機化合物膜を曝
した時にも変質しないようにする。
化合物膜を有する基板を窒素ガスプラズマの雰囲気内に
曝し、その膜の表面にＳｉの窒素化合物膜を形成するこ
とで、後の工程で酸素プラズマにこの有機化合物膜を曝
した時にも変質しないようにする。
以下、図面を用いながら本発明の一実施例につき詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明の方法に用いる装置の概略図である。
前記したように配線膜を形成した基板上に、ＳＯＧ膜を
塗布後、このＳＯＧ膜を窒素ガス雰囲気内で４５０℃の
温度で０．５〜１．０時間熱処理する。
塗布後、このＳＯＧ膜を窒素ガス雰囲気内で４５０℃の
温度で０．５〜１．０時間熱処理する。
次いで第１図に示すように、反応容器ｌｌ内に熱処理し
た５ＯＧＢＩＡを有する基板１２を基板設置台１３に設
置し、反応容器１１内を排気管１４に連なる排気ポンプ
（図示せず）を用いて容器内が１０−’ ｔｏｒｒの真
空度に成る迄排気する。
た５ＯＧＢＩＡを有する基板１２を基板設置台１３に設
置し、反応容器１１内を排気管１４に連なる排気ポンプ
（図示せず）を用いて容器内が１０−’ ｔｏｒｒの真
空度に成る迄排気する。
次いでガス導入管１５より窒素ガスを容器内が０．０３
ｔｏｒｒの真空度に成るまで導入し、基板設置台１３と
電極１６間に出力が４００Ｗで発振周波数が１３．５６
ＭＩＩＺの高周波電源１７を用いて高周波電力を印加し
て、導入された窒素ガスを、前記電極１６と基板設置台
１３間に生じる電界を用いてプラズマ状となし、このプ
ラズマ状の窒素ガスを用いて前記したＳＯＧ膜を叩く。
ｔｏｒｒの真空度に成るまで導入し、基板設置台１３と
電極１６間に出力が４００Ｗで発振周波数が１３．５６
ＭＩＩＺの高周波電源１７を用いて高周波電力を印加し
て、導入された窒素ガスを、前記電極１６と基板設置台
１３間に生じる電界を用いてプラズマ状となし、このプ
ラズマ状の窒素ガスを用いて前記したＳＯＧ膜を叩く。
するとＳＯＧ膜の表面に窒素原子が打ち込まれた状態に
なり、その５ＯＧｌｉの一部は窒素化合物となり、後の
工程で酸素プラズマの雰囲気内に曝した場合でも変質し
て剥離することが無くなる。
なり、その５ＯＧｌｉの一部は窒素化合物となり、後の
工程で酸素プラズマの雰囲気内に曝した場合でも変質し
て剥離することが無くなる。
また本発明の方法によれば、このように処理した５ＯＧ
Ｉｌｌ上に常圧ＣＶＤ法でＰＳＧ膜を形成する場合、こ
のＰＳＧＩＩを大気圧の状態でＣＶＤ法で形成する際、
反応容器内に大気中の酸素ガスが混入した状態でも５Ｏ
ＧＩ！ｆｆが変質しなくなる。
Ｉｌｌ上に常圧ＣＶＤ法でＰＳＧ膜を形成する場合、こ
のＰＳＧＩＩを大気圧の状態でＣＶＤ法で形成する際、
反応容器内に大気中の酸素ガスが混入した状態でも５Ｏ
ＧＩ！ｆｆが変質しなくなる。
以上述べたように本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、ＳＯＧ膜の表面が後の工程で酸素ガスプラズマに曝
した場合にも変質しなくなり、高信頼度の半導体装置が
得られる効果がある。
ば、ＳＯＧ膜の表面が後の工程で酸素ガスプラズマに曝
した場合にも変質しなくなり、高信頼度の半導体装置が
得られる効果がある。
第１図は本発明の方法に用いる装置の概略図、第２図は
多層配線構造の半導体装置を示す断面図である。 図に於いて、 １１は反応容器、１２は基板、１３は基板設置台、１４
は排気管、１５はガス導入管、１６は電極、１７は高周
波電源を示す。 本発明のか法１；用いろ装置の晟略同 第 １ｒ１：Ｊ 多１断り噛Ｕ莢鷹光し計重する手禅イ本装置−のオｍ置
目２第 ２図
多層配線構造の半導体装置を示す断面図である。 図に於いて、 １１は反応容器、１２は基板、１３は基板設置台、１４
は排気管、１５はガス導入管、１６は電極、１７は高周
波電源を示す。 本発明のか法１；用いろ装置の晟略同 第 １ｒ１：Ｊ 多１断り噛Ｕ莢鷹光し計重する手禅イ本装置−のオｍ置
目２第 ２図
Claims (1)
- 所定パターンに形成された配線膜を有する基板（１２）
上にシリコン原子を含む有機化合物膜を塗布後、該有機
化合物膜を熱処理し、次いで該有機化合物膜を窒素ガス
プラズマの雰囲気で処理する工程を含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6645086A JPS62221120A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6645086A JPS62221120A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221120A true JPS62221120A (ja) | 1987-09-29 |
Family
ID=13316118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6645086A Pending JPS62221120A (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62221120A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106948A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5393702A (en) * | 1993-07-06 | 1995-02-28 | United Microelectronics Corporation | Via sidewall SOG nitridation for via filling |
| US5567658A (en) * | 1994-09-01 | 1996-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for minimizing peeling at the surface of spin-on glasses |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP6645086A patent/JPS62221120A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02106948A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5393702A (en) * | 1993-07-06 | 1995-02-28 | United Microelectronics Corporation | Via sidewall SOG nitridation for via filling |
| US5567658A (en) * | 1994-09-01 | 1996-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for minimizing peeling at the surface of spin-on glasses |
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