JPH0567068B2 - - Google Patents
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- JPH0567068B2 JPH0567068B2 JP6171587A JP6171587A JPH0567068B2 JP H0567068 B2 JPH0567068 B2 JP H0567068B2 JP 6171587 A JP6171587 A JP 6171587A JP 6171587 A JP6171587 A JP 6171587A JP H0567068 B2 JPH0567068 B2 JP H0567068B2
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- JP
- Japan
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- film
- semiconductor device
- siloxane polymer
- polymer film
- organic siloxane
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 18
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に多層配線の層
間絶縁膜に有機シロキサン系ポリマー膜を有する
半導体装置に関する。
間絶縁膜に有機シロキサン系ポリマー膜を有する
半導体装置に関する。
従来、この種の半導体装置は、有機シロキサン
系ポリマー膜もしくは有機シロキサン系ポリマー
膜と他の無機絶縁膜との多層構造を多層配線の層
関絶縁膜とすることにより層間絶縁膜を平坦化す
る構成となつていた。
系ポリマー膜もしくは有機シロキサン系ポリマー
膜と他の無機絶縁膜との多層構造を多層配線の層
関絶縁膜とすることにより層間絶縁膜を平坦化す
る構成となつていた。
しかしながら、有機シロキサン系ポリマー膜
は、その上層に形成される無機絶縁膜やAl配線
等の金属膜との密着性が悪く、この密着性を改善
するために、O2プラズマにより有機シロキサン
系ポリマー膜の有機成分を解離させ低炭素含有に
する方法がとられていた。
は、その上層に形成される無機絶縁膜やAl配線
等の金属膜との密着性が悪く、この密着性を改善
するために、O2プラズマにより有機シロキサン
系ポリマー膜の有機成分を解離させ低炭素含有に
する方法がとられていた。
上述した従来の半導体装置は、多層配線の層間
絶縁膜に有機シロキサン系ポリマー膜を有する構
成となつているので、この有機シロキサン系ポリ
マー膜はその上層の無機絶縁膜や金属膜との密着
性が悪いという欠点がある。
絶縁膜に有機シロキサン系ポリマー膜を有する構
成となつているので、この有機シロキサン系ポリ
マー膜はその上層の無機絶縁膜や金属膜との密着
性が悪いという欠点がある。
また、密着性改善のためO2プラズマにより有
機シロキサン系ポリマー膜中の有機成分を解離し
低炭素含有率にする方法は、有機シロキサン系ポ
リマー膜全体の有機成分が一様に解離するため、
膜質が劣化し、クラツク等が発生するという欠点
がある。
機シロキサン系ポリマー膜中の有機成分を解離し
低炭素含有率にする方法は、有機シロキサン系ポ
リマー膜全体の有機成分が一様に解離するため、
膜質が劣化し、クラツク等が発生するという欠点
がある。
本発明の目的は、上層の無機絶縁膜や金属膜と
の密着性がよく、かつ膜質の劣化やクラツクの発
生等を防止し信頼性の高い半導体装置を提供する
ことにある。
の密着性がよく、かつ膜質の劣化やクラツクの発
生等を防止し信頼性の高い半導体装置を提供する
ことにある。
本発明の半導体装置は、多層配線の層間絶縁膜
が、有機シロキサン系ポリマー膜もしくは該有機
シロキサン系ポリマー膜と他の無機絶縁膜との多
数構造からなる半導体装置において、該有機シロ
キサン系ポリマー膜の膜表面から特定の深さまで
の深査含有率を該特定の深さより深い部分の２分
の１より小さい値にして構成される。
が、有機シロキサン系ポリマー膜もしくは該有機
シロキサン系ポリマー膜と他の無機絶縁膜との多
数構造からなる半導体装置において、該有機シロ
キサン系ポリマー膜の膜表面から特定の深さまで
の深査含有率を該特定の深さより深い部分の２分
の１より小さい値にして構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図ａ〜ｃはそれぞれ本発明の第１の実施例
を説明するための製造工程順に示した半導体装置
の断面図である。
を説明するための製造工程順に示した半導体装置
の断面図である。
まず、第１図ａに示すように、半導体基板１上
に形成された絶縁膜２上に厚さ1.0μｍの第１のAl
配線３を形成した後、全表面に有機シロキサン系
ポリマー溶液を塗布・焼成して、Al配線３上の
膜厚が約3000Åとなるように有機シロキサン系ポ
リマー膜４を形成する。
に形成された絶縁膜２上に厚さ1.0μｍの第１のAl
配線３を形成した後、全表面に有機シロキサン系
ポリマー溶液を塗布・焼成して、Al配線３上の
膜厚が約3000Åとなるように有機シロキサン系ポ
リマー膜４を形成する。
次に、第１図のｂに示すように、圧力0.1Torr
以下のO2プラズマ中で450℃、60秒間熱処理を施
すことにより、膜表面から約1000Åの深さまで、
炭素濃度が減少して初期値の約20％となつた低炭
素含有率層５を形成する。
以下のO2プラズマ中で450℃、60秒間熱処理を施
すことにより、膜表面から約1000Åの深さまで、
炭素濃度が減少して初期値の約20％となつた低炭
素含有率層５を形成する。
次に、第１図ｃに示すように、この全面にプラ
ズマ窒化ケイ素膜６を約5000Å成長させ、所定の
Al配線３上を開孔し第２のAl配線７を形成する
構造となつている。
ズマ窒化ケイ素膜６を約5000Å成長させ、所定の
Al配線３上を開孔し第２のAl配線７を形成する
構造となつている。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
この実施例は有機シロキサン系ポリマー膜４a
と低炭素含有率層のみで層間絶縁膜を形成してい
る他は第１の実施例と同様の構造及び製造工程を
有している。
と低炭素含有率層のみで層間絶縁膜を形成してい
る他は第１の実施例と同様の構造及び製造工程を
有している。
これら実施例においては、有機シロキサン系ポ
リマー膜４，４aの膜表面の近傍のみを有機成分
を解離して低炭素含有率にしているので、膜質の
劣化やクラツクの発生はなく、かつ上層の無機絶
縁膜やAl配線との密着性が向上する。
リマー膜４，４aの膜表面の近傍のみを有機成分
を解離して低炭素含有率にしているので、膜質の
劣化やクラツクの発生はなく、かつ上層の無機絶
縁膜やAl配線との密着性が向上する。
以上説明したように本発明は、有機シロキサン
系ポリマー膜の膜表面近傍のみを有機成分を解離
し低炭素含有率にすることにより、膜質の劣化や
クラツクの発生なしに上層の無機絶縁膜やAl配
線との密着性を向上させることができ、信頼性の
向上をはかることができる効果がある。
系ポリマー膜の膜表面近傍のみを有機成分を解離
し低炭素含有率にすることにより、膜質の劣化や
クラツクの発生なしに上層の無機絶縁膜やAl配
線との密着性を向上させることができ、信頼性の
向上をはかることができる効果がある。
第１図はa〜ｃはそれぞれ本発明の第１の実施
例を説明するための製造工程順に示した半導体装
置の断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示
す断面図である。 １……半導体基板、２……絶縁膜、３……Al
配線、４，４a……有機シロキサン系ポリマー膜、
５，５a……低炭素含有率層、６……プラズマ窒
化ケイ素膜、７，７a……Al配線。
例を説明するための製造工程順に示した半導体装
置の断面図、第２図は本発明の第２の実施例を示
す断面図である。 １……半導体基板、２……絶縁膜、３……Al
配線、４，４a……有機シロキサン系ポリマー膜、
５，５a……低炭素含有率層、６……プラズマ窒
化ケイ素膜、７，７a……Al配線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 多層配線の層間絶縁膜が、有機シロキサン系
ポリマー膜もしくは該有機キロキサン系ポリマー
膜と他の無機絶縁膜との多層構造からなる半導体
装置において、該有機シロキサン系ポリマー膜の
膜表面から特定の深さまでの炭素含有率を該特定
の深さより深い部分の２分の１より小さい値にし
たことを特徴とする半導体装置。 ２ 有機シロキサン系ポリマー膜の膜表面から特
定の深さまでの厚さを2000Åより小さい値にした
特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6171587A JPS63226946A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6171587A JPS63226946A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226946A JPS63226946A (ja) | 1988-09-21 |
| JPH0567068B2 true JPH0567068B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=13179200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6171587A Granted JPS63226946A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226946A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2518435B2 (ja) * | 1990-01-29 | 1996-07-24 | ヤマハ株式会社 | 多層配線形成法 |
| JP2003068847A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着力測定方法、積層膜及び半導体素子 |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP6171587A patent/JPS63226946A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63226946A (ja) | 1988-09-21 |
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Legal Events
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