KR930005119A - 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법 - Google Patents
반도체 장치의 접촉플러그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930005119A KR930005119A KR1019910014939A KR910014939A KR930005119A KR 930005119 A KR930005119 A KR 930005119A KR 1019910014939 A KR1019910014939 A KR 1019910014939A KR 910014939 A KR910014939 A KR 910014939A KR 930005119 A KR930005119 A KR 930005119A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor device
- insulating
- contact plug
- insulating film
- forming
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)~(C)도는 이 발명에 따른 접촉플러그 제조공정도이다.
Claims (12)
- 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법에 있어서, 소정기판의 상부에 제1 절연막을 형성하고 제1 절연막의 소정부분에 접촉구를 형성하는 공정과, 상기 제 1 절열막의 상부 및 접촉구에 도전층을 형성한후 접촉구 상부에 도전층을 제외한 제1절연막 상부의 도전층을 제거하여 도전막대를 형성하는 공정파, 상기 제1절연막 및 도전막대의 전표면에 제2 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2 절연막의 상부를 식각하여 상기 도전막대의 상부을 노출시키는 공정으로 이루어지는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판을 반도체 또는 금속중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판으로 반도체를 사용할 경우 확산영역을 형성하는 공정이 추가되는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1창에 있어서, 상기 도전층을 금속으로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층을 Al, Ti, Ta, W 및 Mo 또는 그 합금중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2절연막을 각각 동질 또는 이질의 재료로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막을 산화규소나 질화규소중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막을 BPSG, PSG, USG 및 BSG등 유리재질 절연물질 중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 절연막을 2000Å 이하의 두께로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막을 산화규소나 질화규소중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막을 BPSG, PSG, USG 및 BSG등 유리재질 절연물질 중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막을 식각공정을 에치백 공정으로 행하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910014939A KR0181961B1 (ko) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910014939A KR0181961B1 (ko) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930005119A true KR930005119A (ko) | 1993-03-23 |
| KR0181961B1 KR0181961B1 (ko) | 1999-04-15 |
Family
ID=19319249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910014939A KR0181961B1 (ko) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0181961B1 (ko) |
-
1991
- 1991-08-28 KR KR1019910014939A patent/KR0181961B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0181961B1 (ko) | 1999-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950034678A (ko) | 집적 회로내에 전도성 접속부 형성 방법 및, 그 회로내의 전도성 부재 | |
| KR950034682A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 제조방법 | |
| KR900019155A (ko) | 식각 베리어를 사용한 콘택 형성 방법 | |
| KR920003461A (ko) | 접촉영역 형성방법 및 그를 이용한 반도체장치의 제조방법 | |
| KR930005119A (ko) | 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법 | |
| US3825453A (en) | Method of preventing a chemical reaction between aluminum and silicon dioxide in a semiconductor device | |
| KR950021107A (ko) | 콘택홀 형성방법 | |
| KR950004548A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR930003366A (ko) | 반도체 장치의 소자 분리방법 | |
| KR920020692A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR930020574A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
| KR930001396A (ko) | 금속 배선 제조 방법 | |
| KR960026867A (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR930006901A (ko) | 반도체장치의 금속배선 방법 | |
| KR930003254A (ko) | 반도체 장치의 금속배선 방법 | |
| KR960039285A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR900019151A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR940027100A (ko) | 반도체 소자의 다층배선 형성방법 | |
| KR930005179A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR930017096A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 | |
| KR930003255A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| KR980005474A (ko) | 반도체 소자 제조방법 | |
| KR970013032A (ko) | 고집적 반도체장치의 콘택트 형성방법 | |
| KR890001170A (ko) | 반도체 장치의 폴리사이드 구조 제조방법 | |
| KR920015550A (ko) | 커패시터의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20061128 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |