KR930005119A - 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법 - Google Patents
반도체 장치의 접촉플러그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)~(C)도는 이 발명에 따른 접촉플러그 제조공정도이다.
Claims (12)
- 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법에 있어서, 소정기판의 상부에 제1 절연막을 형성하고 제1 절연막의 소정부분에 접촉구를 형성하는 공정과, 상기 제 1 절열막의 상부 및 접촉구에 도전층을 형성한후 접촉구 상부에 도전층을 제외한 제1절연막 상부의 도전층을 제거하여 도전막대를 형성하는 공정파, 상기 제1절연막 및 도전막대의 전표면에 제2 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2 절연막의 상부를 식각하여 상기 도전막대의 상부을 노출시키는 공정으로 이루어지는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판을 반도체 또는 금속중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판으로 반도체를 사용할 경우 확산영역을 형성하는 공정이 추가되는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1창에 있어서, 상기 도전층을 금속으로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층을 Al, Ti, Ta, W 및 Mo 또는 그 합금중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2절연막을 각각 동질 또는 이질의 재료로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막을 산화규소나 질화규소중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막을 BPSG, PSG, USG 및 BSG등 유리재질 절연물질 중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 절연막을 2000Å 이하의 두께로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막을 산화규소나 질화규소중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막을 BPSG, PSG, USG 및 BSG등 유리재질 절연물질 중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막을 식각공정을 에치백 공정으로 행하는 반도체 장치의 접촉플러그 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR0181961B1 KR0181961B1 (ko) | 1999-04-15 |
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR0181961B1 (ko) |
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1991
- 1991-08-28 KR KR1019910014939A patent/KR0181961B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0181961B1 (ko) | 1999-04-15 |
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