KR930006901A - 반도체장치의 금속배선 방법 - Google Patents
반도체장치의 금속배선 방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체장치의 다층 금속배선에서 하부 금속배선의 힐록방지를 위해 캡금속층 대신 산화규소막 또는 질화규소막 등의 절연층을 하부 금속배선 상부에 rf 스퍼터링 방법으로 형성한 후 열처리한다. 따라서 캡금속층을 형성하지 않으므로 식각공정이 간단하고 후속 접촉수 형성공정시 저주파(460KHz) rf 식각방법으로도 접촉구의 내벽에 Ti 중합체등의 불순물이 생성되지 않아 접촉구의 매몰을 효과적으로 행할 수 있다. 또한 이 발명은 통상의 저주파 rf 식각방법으로 금소배선간의 전기적 접촉을 위한 접촉구를 형성하므로 식각공정에 따른 금속배선 및 충간절연막 표면의 손상르 적게줄수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(A)~(B)도는 이 발명에 따른 일실시예를 나타내는 금속배선 공정도이다.
Claims (17)
- 반도체장치의 제조방법에 있어서, 소정기판의 상부에 제1절연층을 형성한 후 상기 제1절연층의 소정부분을 제거하여 제1접촉구를 형성하는 제1공정과, 상기 제1접촉구가 매몰되도록 제1금속층을 형성한 후 금속배선을 제외한 제1금속층을 제거하는 제2공정과, 상기 구조의 전표면에 제2절연층을 형성한 후 열처리하는 제3공정과, 상기 제2절연층의 상부에 제3절연층을 형성한 후 상기 제3 및 제2절연층의 소정부분을 순차적으로 제거하여 제1금속층이 노출되도록 제2접촉구를 형성하는 제4공정과, 상기 제2젖??촉구가 매몰되도록 제2금속층을 형성한 후 금속배선을 제외한 제2금속층을 제거하는 제5공정과, 상기 구조의 전표면에 보호층을 형성하는 제6공정을 포함하는 반도체 장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판을 반도체 또는 금속층중 어느 하나로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판을 반도체로 사용할 경우 상기 제1접촉구가 형성될 부분에 확산영역을 형성하는 공정이 추가되는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1공정에 있어서 상기 제1절연층을 산화규소 또는 질화규소중 어느하나로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2공정에 있어서 상기 제1금속층을 A1또는 A1합금중 어느 하나로 형성하는 반도체 장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3공정에 있어서 상기 제2절연층을 산화규소 또는 질화규소중 어느 하나로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3공정에 있어서 상기 제2절연층을 300℃이하의 온도에서 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3공정에 있어서 상기 제2절연층을 rf 스퍼터링 방법으로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3공정에 있어서 상기 제2절연층을 300Å 이상의 두께로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3공정에 있어서 상기 열처리 공정??르 300~500℃의 온도에서 행하는 반도체장치의 금속배선방법
- 제1항에 있어서, 상기 제4공정에 있어서 상기 제3절연층을 산화규소 또는 질화규소중 어느하나로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 및 제3절연층을 동지 또는 이질의 재료로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4공정에 있어서 상기 제3절연층을 PECVD 방법으로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제4공정에 있어서 상기 제2접촉구 형성공정을 저주파rf 식각방법으로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6공정에 있어서 상기 제2금속층을 A1, TI,W,Mo,Cr,Pt 또는 그 합금중 어느 하나로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2,3 및 제4공정을 순차적으로 2회 이상 행하는 반도체장치의 금속배선방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제6공정에 있어서 상기 보호층을 BPSG, PSG, BSG 및 USGE등 유리재질 절연물질 또는 TEOS 중 어느 하나로 형성하는 반도체장치의 금속배선방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910015763A KR930006901A (ko) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 반도체장치의 금속배선 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910015763A KR930006901A (ko) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 반도체장치의 금속배선 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930006901A true KR930006901A (ko) | 1993-04-22 |
Family
ID=67433597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910015763A KR930006901A (ko) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 반도체장치의 금속배선 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930006901A (ko) |
-
1991
- 1991-09-10 KR KR1019910015763A patent/KR930006901A/ko not_active Application Discontinuation
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