KR970067652A - 반도체소자의 배선막 식각방법 - Google Patents
반도체소자의 배선막 식각방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 배선막 식각방법에 관한 것으로, 배선막용 도전층 식각시에 건식각에 형성되는 펀치스로우(punch through) 방지에 적당하도록 한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자의 배선막 식각방법은 반도체기판위의 하층막위에 형성되는 도전층을 선택적으로 제거하는 방법에 있어서, 상기 하층막과 반도체기판의 노출된 표면위에 도전층을 증착하는 단계; 상기 도전층 위에 절연막을 증착하여 표면을 평탄화시키는 단계; CF4가스를 이용하여 상기 절연막 전체와 상기 도전층을 선택적으로 제거하는 단계; HBr/Cl2/He+O2가스를 이용하여 상기 도전층을 선택적으로 제거하여 패터닝하는 단계; HBr/SF6/He+O2가스를 이용하여 상기 패터닝된 도전층부분을 제외한 나머지 잔류하는 도전층부분을 제거하는 단계를 포함하여 이루어진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 일반적인 반도체소자의 배선막 레이아웃도.
Claims (6)
- 반도체기판위의 하층막위에 형성되는 도전층을 선택적으로 제거하는 방법에 있어서, 상기 하층막과 반도체기판의 노출된 표면위에 도전층을 증착하는 단계; 상기 도전층 위에 절연막을 증착하여 표면을 평탄화시키는 단계; CF4가스를 이용하여 상기 절연막 전체와 상기 도전층을 선택적으로 제거하는 단계; HBr/Cl2/He+O2가스를 이용하여 상기 도전층을 선택적으로 제거하여 패터닝하는 단계; HBr/SF6/He+O2가스를 이용하여 상기 패터닝된 도전층 부분을 제외한 나머지 잔류하는 도전층부분을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선막 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전층은 다결정 실리콘을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선막 식각방법.
- 제1항에 있어서, CF4가스를 이용하는 경우에 절연막과 도전층은 1:1 식각선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선막 식각방법.
- 제1항에 있어서, HBr/Cl2/He+O2가스를 이용하는 경우에 상기 도전층과 하층막은 100:1 이상의 식각선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선막 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 HBr/Cl2/He+O2가스를 이용하여 상기 도전층을 제거하는 경우에 상기 도전층을 상기 하층막 높이까지만 남도록 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선막 식각방법.
- 제1항에 있어서, 상기 HBr/Cl2/He+O2가스를 이용하여 상기 도전층을 제거하는 경우에 상기 하층막들사이에 잔류하는 도전층부분을 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 배선막 식각방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960006566A KR970067652A (ko) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 반도체소자의 배선막 식각방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960006566A KR970067652A (ko) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 반도체소자의 배선막 식각방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970067652A true KR970067652A (ko) | 1997-10-13 |
Family
ID=66215538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960006566A KR970067652A (ko) | 1996-03-12 | 1996-03-12 | 반도체소자의 배선막 식각방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970067652A (ko) |
-
1996
- 1996-03-12 KR KR1019960006566A patent/KR970067652A/ko not_active Application Discontinuation
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