KR970024012A - 반도체 배선 형성방법(Method of Forming Interconnection Layer in Semiconductor Device) - Google Patents
반도체 배선 형성방법(Method of Forming Interconnection Layer in Semiconductor Device) Download PDFInfo
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Abstract
다층 배선 구조를 가지는 반도체 웨이퍼의 배선막 측면의 자연 산화막을 제거하기 위하여 배선막의 측면을 한정하여, 등방성의 측면 식각 경향이 강하며 폴리 실리콘과 산화막의 선택비가 낮은 SF6가스를 이용하여 배선막 측벽의 자연 산화막을 제거하고, 폴리 실리콘과 자연 산화막의 식각 선택비가 좋으면서 직진성이 강한 Cl2/HCl 나 Cl2/HBr 가스 화학 방법으로 식각하면, 배선막의 측면에 형성된 자연 산화막을 효과적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라 상부 배선막인 폴리 실리콘막과 하부 배선막인 폴리 실리콘막간의 층간 절연막의 평탄화 상태가 불량한 경우에도 배선막의 측면에 스트린거가 남지 않게 되므로써, 반도체 품질과 수율의 향상을 가져오게 된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 및 제2B도는 본 발명에 따른 배선막의 패턴을 형성하는 공정을 설명하기 위한 도면으로, 제2A도는 식각 공정 전의 단면도, 제2B도는 식각 공정 후의 단면도.
Claims (3)
- 실리콘 기판상에 절연 산화막, 하부 배선막으로서 폴리 실리콘막, 실리사이드막을 차례로 형성하는 공정과, 하부 배선막을 포함한 기판상에 층간 절연막을 도포하는 공정과, 상기 층간 절연막상에 상부 배선막으로서 폴리 실리콘막을 형성하는 공정과, 등방성 식각을 실시하여 배선막 측벽의 자연 산화막의 일부가 제거되는 공정과, 이방성 식각을 실시하여 배선막의 측면에 형성되어 있던 폴리실리콘의 스트린거를 모두 제거시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 등방성 식각 공정에서 Cl2/SF6가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선 형성 방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 이방성 식각 공정에서 Cl2/HBr, Cl2가스중 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 배선 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019950037145A KR0163543B1 (ko) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 반도체 배선 형성방법 |
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- 1995-10-25 KR KR1019950037145A patent/KR0163543B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR0163543B1 (ko) | 1999-02-01 |
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