KR980005539A - 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속 배선 형성방법 Download PDF

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KR980005539A
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이성한
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서, SOG막을 이용하여 콘택홀형성시의 절연막의 평탄화를 이룩할 수 있게 되어, 레지스트막의 형성 및 식각공정이 용이해짐과 더불어 3단계의 식각공정을 통하여 소정의 나팔 형태의 콘택홀을 형성함으로써 금속 배선의 콘택에서의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 트랜지스터가 구비된 반도체 기판 상부에 제1절연막을 형성하는 단계; 제1절연막 상부에 SOG막을 형성하는 단계; 제1절연막의 소정 부분이 노출되도록 SOG막을 에치백하는 단계; 결과물 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 제2절연막 상부의 콘택홀 예정 영역에 소정의 패턴화된 레지스트막을 형성하는 단계; 레지스트막을 식각 마스크로하여 하부의 제2절연막을 건식식각하는 단계; 레지스트막을 식각 마스크로하여 SOG막 및 제1절연막을 습식식각하는 단계; 레지스트막을 식각 마스크로하여 제1절연막의 잔재를 건식식각하여 콘택홀을 형성 하는 단계; 및, 레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 금속 배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 내지 제2e도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성방법을 나타낸 공정 단면도.

Claims (2)

  1. 트랜지스터가 구비된 반도체 기판 상부에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상부에 SOG막을 형성 하는 단계; 상기 제1절연막의 소정 부분이 노출되도록 상기 SOG막을 에치백하는 단계; 상기 결과를 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 상부의 콘택홀 예정 영역에 소정의 패턴화된 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 레지스트막을 식각 마스크로하여 하부의 상기 제2절연막을 건식식각하는 단계; 상기 레지스트막을 식각 마스크로하여 상기 SOG막 및 제1절연막을 습식식각하는 단계; 상기 레지스트막을 식각 마스크로하여 상기 제1절연막의 잔재를 건식식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 및, 상기 레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 습식식각시 상기 SOG막의 식각속도가 상기 제1절연막의 식각속도보다 빠른 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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