KR980005539A - 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 있어서, SOG막을 이용하여 콘택홀형성시의 절연막의 평탄화를 이룩할 수 있게 되어, 레지스트막의 형성 및 식각공정이 용이해짐과 더불어 3단계의 식각공정을 통하여 소정의 나팔 형태의 콘택홀을 형성함으로써 금속 배선의 콘택에서의 스텝 커버리지를 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 트랜지스터가 구비된 반도체 기판 상부에 제1절연막을 형성하는 단계; 제1절연막 상부에 SOG막을 형성하는 단계; 제1절연막의 소정 부분이 노출되도록 SOG막을 에치백하는 단계; 결과물 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 제2절연막 상부의 콘택홀 예정 영역에 소정의 패턴화된 레지스트막을 형성하는 단계; 레지스트막을 식각 마스크로하여 하부의 제2절연막을 건식식각하는 단계; 레지스트막을 식각 마스크로하여 SOG막 및 제1절연막을 습식식각하는 단계; 레지스트막을 식각 마스크로하여 제1절연막의 잔재를 건식식각하여 콘택홀을 형성 하는 단계; 및, 레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도는 내지 제2e도는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성방법을 나타낸 공정 단면도.
Claims (2)
- 트랜지스터가 구비된 반도체 기판 상부에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 제1절연막 상부에 SOG막을 형성 하는 단계; 상기 제1절연막의 소정 부분이 노출되도록 상기 SOG막을 에치백하는 단계; 상기 결과를 상부에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막 상부의 콘택홀 예정 영역에 소정의 패턴화된 레지스트막을 형성하는 단계; 상기 레지스트막을 식각 마스크로하여 하부의 상기 제2절연막을 건식식각하는 단계; 상기 레지스트막을 식각 마스크로하여 상기 SOG막 및 제1절연막을 습식식각하는 단계; 상기 레지스트막을 식각 마스크로하여 상기 제1절연막의 잔재를 건식식각하여 콘택홀을 형성하는 단계; 및, 상기 레지스트막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 습식식각시 상기 SOG막의 식각속도가 상기 제1절연막의 식각속도보다 빠른 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960024498A KR980005539A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019960024498A KR980005539A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR980005539A true KR980005539A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240359
Family Applications (1)
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KR1019960024498A KR980005539A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR980005539A (ko) |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024498A patent/KR980005539A/ko not_active Application Discontinuation
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