KR970077184A - 반도체소자의 콘택홀 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 콘택홀 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 워드라인 및 제1내부절연막을 형성하고 상기 워드라인과 제1내부절연막 측벽에 절연막 스페이서를 형성한 다음, 전체표면상부에 제2내부절연막인 질화막을 일정두께 형성하고 그 상부를 평탄화시키는 평탄화층을 형성한 다음, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 평탄화층을 식각하여 상기 제2내부절연막을 노출시키는 콘택홀을 형성하되, 종래의 C4F8와 Ar 가스에 수소를 함유하는 가스가 첨가된 식각가스를 이용하여 실시함으로써 종래의 평탄화층 식각공정시 발생되는 C-C계 폴리머보다 결합력이 약한 C-H계 플리머를 더 많이 발생시켜 식각멈춤현상을 방지하고 과도식각으로인한 하부층 손상을 방지하여 접합누설전류의 증가가 없는 콘택홀을 형성함으로써 반도체 소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.

Description

반도체소자의 콘택홀 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 실시예에 반도체소자의 콘택홀 형성방법을 도시한 단면도.

Claims (8)

  1. 반도체기판 상부에 워드라인 및 제1내부절연막을 형성하고 상기 워드라인과 제1내부절연막 측벽에 절연막 스페이서를 형성한 다음, 전체표면상부에 제2내부절연막인 질화막을 일정두께 형성하고 그 상부를 평탄화시키는 평탄화층을 형성한 다음, 콘택마스크를 이용한 식각공정으로 상기 평탄화층을 식각하여 상기 제2내부절연막을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 있어서, 상기 평탄화층 식각공정은 C4F8와 Ar 가스에 수소를 함유하는 가스가 첨가된 식각가스를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택홀 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 수소를 함유하는 가스는 CH3F 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 콘택홀 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 수소를 함유하는 가스는 C2H2가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 콘택홀 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 수소를 함유하는 가스는 CH2F2가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 콘택홀 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 수소를 함유하는 가스는 CHF3가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 콘택홀 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 평탄화층 식각공정은 소오스파워 1000∼3000와트, 바이어스 파워 500∼2000와트, C4F8와 Ar 가스유량을 각각 5∼30 SCCM과 0∼500 SCCM으로 하고 수소를 함유하는 가스로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 콘택홀 형성방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수소를 함유하는 가수는 가스유량을 0∼30 SCCM으로 하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 콘택홀 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 평탄화층 식각공정은 평탄화층과 제2내부절연막의 식각 선택비를 50∼200으로 하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자용 콘택홀 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960014113A 1996-05-01 1996-05-01 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 KR100244793B1 (ko)

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