KR980003848A - 반도체 장치의 미세패턴 형성방법 - Google Patents
반도체 장치의 미세패턴 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 장치의 제조방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래의 TLR 공정을 통한 미세 패턴 형성시 그 공정이 복잡하고, 특히 인터레이어로 사용되는 산화막의 증착 및 식각시 결함이 발생하는 등 공정 제어에 어려움이 있었음.
3. 발명의 해결방법의 요지
종래의 TLR 공정을 통한 미세 패턴 형성시 인터레이어로써 사용되던 산화막을 대신하여, 노광빛은 투과하되, 현상 용액에 의해 용해되지 않는 하부 포토레지스트의 현상방지막을 사용하는 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법을 제공하고자함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치의 미세 패턴 형성에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2d도는 본 발명의 일실시예에 따른 TLR 방식의 미세 패턴 형성 공정도.
Claims (7)
- 잔도체 기판상에 기 형성된 패턴 형성층의 미세 패턴 형성방법에 있어서, 상기 패턴 형성층 상부에 하부 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 하부 포토레지스트 상부에 노광빛은 투과시키되, 형상 용액에 의해 용해되지 않는 상기 하부 포토레지스트의 현상방지막을 형성하는 단계; 상기 현상방지막을 상부에 상부 포토레지스트를 형성하는 단계; 상기 상부 포토레지스트 및 하부 포토레지스트의 소정 부위에 노광빛을 조사한 다음, 현상하므로써 상부 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 상부 포토레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 노출된 상기 현상방지막을 제거하는 단계; 상기 하부 포토레지스트의 노광 부위를 현상하여 제거시키므로써 하부포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 상부 포토레지스트와, 상기 현상방지막 및 상기 하부 포토레지스트 패턴을 식각 장벽으로 하여 상기 패턴 형성층을 식각하는 단계, 및 잔류 상부 포토레지스트, 현상방지막 및 상기 하부 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하여 이루어진 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 상부 포토레지스트는 약 4000내지 약 18000인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 현상방지막은 HMDS막 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 현상방지막은 TMDS막 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 현상방지막은 레진(resin)막 인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 패턴 형성 방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 포토레지스트는 상기 상부 포토레지스트에 비해 상기 노광빛에 대한 감도가 높은 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부 포토레지스트는 상기 상부 포토레지스트에 비해 상기 노광빛에 대한 감도가 낮은 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 미세 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026479A KR980003848A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 장치의 미세패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960026479A KR980003848A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 장치의 미세패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980003848A true KR980003848A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960026479A KR980003848A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 반도체 장치의 미세패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980003848A (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292637A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| KR950004910A (ko) * | 1993-07-31 | 1995-02-18 | 배순훈 | 영상 기기의 그림자 상 제거 장치 |
| KR950006347A (ko) * | 1993-08-31 | 1995-03-20 | 배순훈 | 전자렌지의 중량감지장치 |
| KR0170253B1 (ko) * | 1992-11-18 | 1999-03-20 | 김광호 | 실리레이션을 이용한 사진식각방법 |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960026479A patent/KR980003848A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61292637A (ja) * | 1985-06-21 | 1986-12-23 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
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| KR950004910A (ko) * | 1993-07-31 | 1995-02-18 | 배순훈 | 영상 기기의 그림자 상 제거 장치 |
| KR950006347A (ko) * | 1993-08-31 | 1995-03-20 | 배순훈 | 전자렌지의 중량감지장치 |
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