KR980003846A - 실리레이션용 레지스트 패턴 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 실리레이션용 레지스트를 이용하여 레지스트 패턴을 형성할 때 레지스트 패턴의 임계 크기를 일정하게 조절하고, 양호한 프로파일을 얻기 위하여 실리레이션 공정에 이용되는 실리레이션용 물질을 단일-기능과 이중-기능이 서로 일정 비율로 혼합된 실리레이션 물질을 이용하는 것이다.

Description

실리레이션용 레지스트 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명의 실시예에 의해 실리레이션 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도이다.
제5도는 단일-기능을 갖는 실리레이션 물질을 예를들어 도시한 분자 구조식.
제6도는 이중-기능을 갖는 실리레이션 물질을 예를들어 도시한 분자 구조식.

Claims (6)

  1. 레지스트 패턴 형성 방법에 있어서, 하부층 상부에 실리레이션용 레지스트를 도포하는 단계와, 노광 공정으로 상기 레지스트의 일정 부분을 노광하여 노광지역을 형성하는 단계와, 단일-기능과 이중-기능이 서로 일정 비율로 혼합된 실리레이션 물질을 이용한 실리레이션 공정으로 상기 레지스트의 노광지역 또는 비노광지역에 실리콘을 주입하여 실리콘 주입영역을 형성하는 단계와, 산소 플라즈마 식각 공정으로 상기 레지스트를 식각하면 상기 실리콘 주입영역의 표면에는 실리콘 산화막이 형성되어 레지스트에 대한 식각장벽층의 역할을 수행하며 실리콘이 주입되지 않은 레지스트가 식각되어 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 실리레이션용 레지스트 패턴 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단일-기능을 갖는 실리레이션 물질로 DMSDMA, TMDS, TMSDMA, TMSDEA, 또는 헵타 MDS인 것을 특징으로 하는 실리레이션용 레지스트 패턴 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이중-기능을 갖는 실리레이션 물질로 B〔DMA〕DS, B〔DMA〕MS 또는 HMCTS인 것을 특징으로 하는 실리레이션용 레지스트 패턴 형성 방법.
  4. 제1항에 았어서, 상기 단일-기능과 이중-기능이 서로 일정 비율로 혼합된 실리레이션 물질에서 단일-기능의 물질이 10%-90%인 것을 특징으로 하는 실리레이션용 레지스트 패턴 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 단일-기능과 이중-기능이 서로 일정 비율로 혼합된 실리레이션 물질에서 이중-기능의 물질이 10%-90%인 것을 특징으로 하는 실리레이션용 레지스트 패턴 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실리레이션 공정은 기상이나 액상 방법으로 이용하는 것을 특징으로 하는 실리레이션용 레지스트 패턴 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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