KR940009765A - 미세패턴 형성방법 - Google Patents

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KR940009765A
KR940009765A KR1019920019352A KR920019352A KR940009765A KR 940009765 A KR940009765 A KR 940009765A KR 1019920019352 A KR1019920019352 A KR 1019920019352A KR 920019352 A KR920019352 A KR 920019352A KR 940009765 A KR940009765 A KR 940009765A
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복철규
김근영
이일호
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김주용
현대전자산업 주식회사
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 고집적반도체 소자의 미세패턴 형성방법에 관한 것으로, 실리레이션 반응에 대한 활성기를 갖는 레지스트를 기판상에 도포하고, 레지스트 표면에 실리레이션 반응으로 실리콘을 주입시킨후, 원자외선이나 전자선에 노광시켜 노광지역의 실리콘 주입층을 형성시켜 제거하고, 비노광 지역의 실리콘 주입층만 남김으로써 산소플라즈마 처리에 의해 포지티브 레지스트 패턴이 형성되도록 하는 공정기술이다.

Description

미세패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명에 의해 미세패턴을 형성하는 단계를 도시한 단면도로서,
제2A도는 기판상에 레지스트를 도포한 상태의 단면도,
제2B도는 레지스트 표면에 실리콘을 주임시킨 상태의 단면도,
제2C도는 마스크를 사용하여 노광시킨 상태의 단면도,
제2D도는 현상공정을 거친 상태의 단면도,
제2E도는 산소 플라즈마 처리에 의해 패턴이 형성된 상태의 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체소자의 미세패턴 형성방법에 있어서, 기판상부에 실리레이션 반응에 대한 활성기를 갖는 레지스트를 도포하는 단계와, 상기 레지스트를 소프트 베이크시킨후, 실리레이션 반응으로 레지스트 표면에 실리콘을 주입하는 단계와, 마스크를 레지스트 상부에 올려 놓고 레지스트 일정두께를 노광시키는 단계와, 노광된 레지스트 부분을 현상공정으로 제거하여 상부 레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 산소 플라즈마 식각공정으로 실리콘이 주입된 레지스트 상부 패턴은 옥사이드화되어 마스크로 이용되고, 이 마스크가 없는 부분의 레지스트는 제거되어 수직 프로파일을 갖는 레지스트 패턴을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 활성기를 갖는 레지스트 분자구조내에 -OH기나 -NH2기나 -NH-기를 가지고 있는 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 활성기를 갖는 레지스트는 폴리비닐페놀 고분자 물질인 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 레지스트의 일정두께를 노광시킬 때, 레지스트 표면에 주입된 실리콘 깊이보다 조금 더 깊게 노광시키는 것을 특징으로 하는 미세패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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