KR930018650A - 마스크(Mask)의 제조방법 - Google Patents

마스크(Mask)의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930018650A
KR930018650A KR1019920002813A KR920002813A KR930018650A KR 930018650 A KR930018650 A KR 930018650A KR 1019920002813 A KR1019920002813 A KR 1019920002813A KR 920002813 A KR920002813 A KR 920002813A KR 930018650 A KR930018650 A KR 930018650A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
organic compound
mask
silicide
mask layer
range
Prior art date
Application number
KR1019920002813A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940007445B1 (ko
Inventor
김웅천
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019920002813A priority Critical patent/KR940007445B1/ko
Publication of KR930018650A publication Critical patent/KR930018650A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940007445B1 publication Critical patent/KR940007445B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명은 실리레이션(Silylation) 프로세스를 이용한 마스크 제조방법에 관한 것으로, 유리기판상에 형성된 마스크층상에 실리레이션이 가능한 유기화합물을 도포하고, 선택적으로 노광 및 실리레이션 시킨 후, 실리레이션이 되지 않은 부분을 현상시키고, 현상된 부위 아래의 마스크층을 식각 시키고, 잔존하는 유기화합물을 제거하는 것을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명에 의하면 서브마이크론 수준의 미세패턴을 지닌 마스크를 제조할 수 있으며 한 종류의 레지스트를 사용하여 다크 필드(Dark-field)형 및 크리어 필드(Clear-field)형 마스크를 제조할 수 있다.

Description

마스크(Mask)의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (a)~(c)는 본 발명에 의한 마스크의 제조과정을 나타낸 도면.

Claims (8)

  1. 유리기판상에 형성된 마스크층상에 실리레이션(Silylation)이 가능한 유기화합물을 도포시키는 제1공정과, 상기 유기화합물을 선택적으로 노광 및 실리레이션 시키는 제2공정과, 실리레이션 되지 않은 부분의 상기 유기화합물을 현상시키고, 현상된 부분 아래의 상기 마스크층을 식각시키고, 잔존하는 상기 유기화합물을 제거시키는 제3공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기화합물은 포지티브형 레지스트이며, 상기 실리레이션되지 않은 부분은 비 노광부인 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 실리레이션은 120~140℃범위내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 유기화합물은 네가티브형 레지스트이며, 상기 실리레이션되지 않은 부분은 노광부인 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 실리레이션은 90~110℃범위내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2공정의 노광은 전자빔 노광방식에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상지 제2공정의 실리레이션 시간은 3~4분 범위내에서 수행되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제3공정의 현상은 건식법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920002813A 1992-02-24 1992-02-24 마스크(Mask)의 제조방법 KR940007445B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920002813A KR940007445B1 (ko) 1992-02-24 1992-02-24 마스크(Mask)의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920002813A KR940007445B1 (ko) 1992-02-24 1992-02-24 마스크(Mask)의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930018650A true KR930018650A (ko) 1993-09-22
KR940007445B1 KR940007445B1 (ko) 1994-08-18

Family

ID=19329424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920002813A KR940007445B1 (ko) 1992-02-24 1992-02-24 마스크(Mask)의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR940007445B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR940007445B1 (ko) 1994-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60106229T2 (de) Ozon-verstärktes silylierungsverfahren zur erhöhung des ätzwiderstands von dünnen resistschichten
KR960005864A (ko) 미세패턴 형성방법
KR930018650A (ko) 마스크(Mask)의 제조방법
KR930018661A (ko) 콘택트홀의 형성방법
GB2291982A (en) Photo masks
JPS57183030A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5694353A (en) Micropattern forming method
KR0125315B1 (ko) 다층 레지스트 미세패턴 형성방법
KR950004397A (ko) 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법
KR910001460A (ko) 포토레지스트의 측벽 프로파일 개선 방법
KR930001301A (ko) 반도체 패턴 형성방법
KR910005101A (ko) 레지스트패턴 형성방법
KR0137618B1 (ko) 포토레지스트 패턴 형성방법
JPH08203821A (ja) パターン形成方法
KR940012060A (ko) 감광막 패턴 형성방법
KR970016754A (ko) 반도체 장치용 마스크 제조방법
KR940018992A (ko) 마스크롬의 셀 코딩방법
KR940016804A (ko) 반도체 소자의 캐패시터 형성 방법
KR920001248A (ko) O₂/He 플라즈마를 이용한 실리레이티드 포토레지스트(silylated photoresist)의 RIE 건식현상공정
KR930006861A (ko) 다층레지스트를 이용한 패턴형성방법
KR970018041A (ko) 반도체 소자의 미세 콘택홀 형성 방법
KR940004725A (ko) 단차완화 마스크를 이용한 콘택홀 형성방법
KR940004747A (ko) 레지스트 패턴형성방법
KR980003885A (ko) 감광막 패턴 제조방법
JPH05291103A (ja) レジストパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020708

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee