KR19990061111A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 산화질화막을 반사방지막으로 사용하는 경우에 상기 반사방지막 표면의 N-H 결합을 제거하는 공정을 실시한 다음, 감광막을 형성하여 상기 N-H 결합에 의한 풋팅 현상이 발생하는 것을 방지함으로써 리소그래피 공정 및 식각공정에 영향을 미치지 않고, 그에 따른 반도체소자의 특성 및 수율을 향상시키는 기술이다.
Description
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 리소그래피(lithography) 공정중 크리티칼 디멘젼(critical demension, 이하 CD 라 함)을 최적화하기 위하여 실리사이드(silicide)층 위에 N-H 결합을 최소화한 반사방지막(anti-reflective coating layer)을 형성함으로써 리소그래피 및 식각공정에 영향을 미치지 않고 반도체소자의 성능을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체제조 공정의 리소그래피 공정은 노광마스크의 광차단막 패턴 밀도에 따라 이를 통과하는 빛의 회절 정도 및 근접 패턴을 통과한 빛과의 간섭 등에 의해 동일한 크기의 패턴에서도 실제 웨이퍼에 형성되는 패턴의 크기가 달라지는 현상이 발생한다.
상기와 같은 문제점을 개선하기 위하여 반사방지막을 사용하고 있으며, 상기 반사방지막은 증착 조건 등의 방법에 의하여 굴절율(refractive index)의 실수(n) 및 허수(k), 반사율(reflectance, R) 등과 같은 광학 상수값을 얻을 수 있는 실리콘 옥시나이트라이드(silicon oxynitride, SiOxNy) 막이 사용되고 있으며, 주로 플라즈마 화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor deposition, 이하 PE-CVD 라 함)방법으로 형성한다.
상기 PE-CVD 방법을 이용하여 반사방지막을 형성하는 경우 분위기가스로 질소가스를 사용하기 때문에 상당한 양의 N-H 결합의 함량은 불가피하며 이를 최소화하기 위하여 분위기 가스로 헬륨을 쓰기도 하지만 옥시나이트라이드의 반응 가스로 SiH4, NH3및 N2O 를 쓰기 때문에 반사방지막의 N-H 결합의 포함은 불가피하다. 상기 N-H 결합과 감광막과의 반응에 의하여 NH3등이 생성되고, 이로 인하여 리소그래피 공정시 풋팅(footing) 등의 현상이 발생하고, 따라서 식각공정시 정확한 패턴닝이 되지 않아 CD 조절이 어렵게 되어 반도체소자의 특성이 열악하였다.
상기와 같이 종래기술에 따른 반도체소자의 제조방법은, 산화질화막을 반사방지막으로 사용하는 경우에 상기 반사방지막에 N-H 결합이 포함되어 있어 리소그래피 공정시 사용되는 감광막과 반응하여 풋팅(footing) 등의 현상이 발생되고, 그로 인하여 식각공정시 CD 조절이 되지 않아 반도체소자의 악영향을 미치는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 반사방지막 표면의 N-H 결합을 최소화시키는 공정을 실시한 다음, 감광막을 형성함으로써 상기 N-H 결합에 의한 풋팅현상이 발생하는 것을 방지하고, 소자 특성 및 수율을 향상시키는 반도체소자의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이상의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은,
웨이퍼 상의 피식각층 상부에 산화질화막을 사용하여 반사방지막을 형성하는 공정과,
상기 반사방지막의 표면에 N-H 결합을 제거하는 공정과,
상기 구조 상부에 감광막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 도시되어 있지는 않지만 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법에 관하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 웨이퍼 상부에 피식각층을 형성하고, 상기 피식각층 상부에 반사방지막을 형성한다. 상기 반사방지막은 실리콘 나이트라이드막을 사용하여 형성한다.
다음, 상기 반사방지막 상부에 소정 두께의 산화막을 형성하여 감광막과 반응하는 반사방지막 표면의 N-H 결합을 제거한다.
한편, 상기 반사방지막 상부에 산화막을 형성하는 공정 대신 상기 반사방지막 상부를 산소 플라즈마 처리할 수 있다.
또한, 상기 반사방지막 표면을 식각처리하여 N-H 결합을 제거할 수 있다. 이때, 상기 N-H 결합은 식각속도가 옥시나이트라이드 보다 빠르기 때문에 상기와 같은 방법이 가능하다.
그 다음, 상기 산화막 상부에 감광막을 형성한다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은, 반사방지막 표면의 N-H 결합을 제거하는 공정을 실시한 다음, 감광막을 형성하여 상기 N-H 결합에 의한 풋팅 현상이 발생하는 것을 방지함으로써 리소그래피 공정 및 식각공정에 영향을 미치지 않고, 그에 따른 반도체소자의 특성 및 수율을 향상시키는 이점이 있다.
Claims (3)
- 웨이퍼 상의 피식각층 상부에 산화질화막을 사용하여 반사방지막을 형성하는 공정과,상기 반사방지막의 표면에 N-H 결합을 제거하는 공정과,상기 구조 상부에 감광막을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 반사방지막의 표면에 N-H 결합을 제거하는 공정은 상기 반사방지막 상부에 산화막을 형성하거나, 산소 플라즈마 처리하거나, 상기 반사방지막을 소정 두께 식각하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 식각공정은 상기 반사방지막과 반사방지막 표면의 N-H 결합의 식각선택비를 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019970081365A KR19990061111A (ko) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | 반도체 소자의 제조방법 |
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| KR1019970081365A KR19990061111A (ko) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | 반도체 소자의 제조방법 |
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| KR19990061111A true KR19990061111A (ko) | 1999-07-26 |
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ID=66182119
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019970081365A KR19990061111A (ko) | 1997-12-31 | 1997-12-31 | 반도체 소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19990061111A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6503177B2 (en) | 2001-03-24 | 2003-01-07 | Hl Corporation | Pogo stick |
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-
1997
- 1997-12-31 KR KR1019970081365A patent/KR19990061111A/ko not_active Application Discontinuation
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