KR970003847A - 반도체 소자의 콘택 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택 제조방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 배선재료로 쓰이는 도핑된 폴리실리콘/실리사이드 구조의 폴리사이드 상부에 콘택홀을 형성한 후, 콘택홀 내로 불순물 플러그 주입을 실시하여 실리사이드의 표면에 존재하는 산화막층을 제거한 후 제2배선층을 형성함으로써 콘택저항을 줄여 콘택특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택 제조 공정도.
Claims (3)
- 반도체 소자의 콘택 제조방법에 있어서, 제1배선층의 상부에 도핑된 폴리실리콘과 실리사이드를 차례로 증착한 후 패터닝을 실시하는 단계와, 상기 폴리실리사이드층을 열처리하여 산화시키는 단계와, 제2배선과의 절연을 위한 절연 산화막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상부에 감광막을 증착한 후 식각하여 콘택 마스크를 형성하는 단계와, 상기 콘택 마스크를 사용하여 하부 절연막을 식각하여 하부면이 폴리실리사이드의 상부에 형성된 산화막이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체 상부에 불순물을 플러그 주입하는 단계와, 상부의 콘택 마스크를 제거하는 단계와, 전체 상부에 금속층을 증착하여 제2배선층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 플러그 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 사용되는 실리사이드로는 W 실리사이드, Ti 실리사이드, Co 실리사이드, Mo 실리사이드, Ta 실리사이드중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물 플러그 주입시, 사용되는 불순물로는 Si, As, P, B, Ge, BF2중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017686A KR970003847A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 반도체 소자의 콘택 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017686A KR970003847A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 반도체 소자의 콘택 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003847A true KR970003847A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66524352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950017686A KR970003847A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 반도체 소자의 콘택 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003847A (ko) |
-
1995
- 1995-06-28 KR KR1019950017686A patent/KR970003847A/ko not_active Application Discontinuation
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