KR960042856A - 필드 에미터 어레이(field emitter array) 제작방법 - Google Patents

필드 에미터 어레이(field emitter array) 제작방법 Download PDF

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KR960042856A
KR960042856A KR1019950012732A KR19950012732A KR960042856A KR 960042856 A KR960042856 A KR 960042856A KR 1019950012732 A KR1019950012732 A KR 1019950012732A KR 19950012732 A KR19950012732 A KR 19950012732A KR 960042856 A KR960042856 A KR 960042856A
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KR
South Korea
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gate electrode
insulator
forming
tip
mask pattern
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Application number
KR1019950012732A
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Inventor
최영환
Original Assignee
김준성
사단법인 고등기술연구원 연구조합
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Abstract

본 발명에 따른 필드 에미터는 마스크 패턴을 형성한 후 건식 또는 습식식각만을 사용하여 제조하므로 열산화법을 사용하지 않기 때문에 공정이 단순화될 뿐만 아니라 열처리에 의한 팁의 손상을 막을 수 있으며, 필드 에미터를 제작하는데 필요한 시간을 단축할 수 있고, 게이트 전극 및 절연체를 증착시키는 방법에 제약을 받지 않기 때문에 성능이 뛰어난 소자를 제조할 수 있다.

Description

필드 에미터 어레이(field emitter array) 제작방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2F도는 본 발명에 따른 필드 에미터의 제조공정으로 순차적으로 각각 나타낸 정단면도, 제3A도 내지 제3F도는 본 발명에 따른 필드 에미터의 또 다른 제조공정을 순차적으로 각각 나타낸 정단면도.

Claims (4)

  1. 기판 상부에 제1포토레지스트를 형성하여 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스트 패턴이 형성된 기판을 건식 또는 습식식각 방법으로 식각하여 팁을 형성하는 단계와, 상기 완성된 팁 상부에 절연체, 게이트 전극을 순차적으로 증착하는 단계와, 상기 게이트 전극 상부에 제2포토레지스트를 형성하여 게이트 전극이 노출되도록 패턴을 형성하는 단계와, 상기 노출된 게이트 전극과 게이트 전극 하부의 절연체를 식각하여 팁이 노출되도록 하는 단계와, 상기 게이트 전극 상부의 제2포토레지스트를 제거하는 단계를 포함한 필드 에미터 어레이 제작방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연체 및 게이트 전극을 화학증착법, 플라즈마 증착법, 스퍼터링 증착법 또는 이온 플레이팅법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 필드 에미터 어레이 제작방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판의 재료로 실리콘, 실리콘 이외의 반도체 재료, 금속(metal) 또는 실리사이드(silicide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 필드 에미터 어레이 제작방법.
  4. 기판 상부에 제1포토레지스트를 형성하여 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴이 형성된 기판을 건식 또는 습식식각 방법으로 식각하여 팁을 형성하는 단계와, 상기 팁이 형성된 기판 상부에 절연체를 증착한 후, 상기 상부에 제2포토레지스트를 형성하여 팁 상부에 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 절연체와 마스크 패턴 상부에 게이트 전극을 증착하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 리프트 오프로 제거하여 팁 상부의 절연체가 노출되도록 하는 단계와, 상기 마스크 패턴 하부의 절연체를 팁이 노출되도록 식각하는 단계를 포함하는 필드 에미터 어레이 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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