KR970003748A - 반도체 소자 제조시 불량분석을 위한 디프로세싱 방법 - Google Patents

반도체 소자 제조시 불량분석을 위한 디프로세싱 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판에 디파인(define)되어 있는 폴리실리콘 콘택을 통해 오픈성 여부와 디파인 상태를 직접 확인 할 수 있는 반도체 소자 제조시 불량분석을 디프로세싱 방법에 관한 것으로, 보호막 및 이중금속배선막을 디프로세싱에 의해 제거하는 단계; 절연막 식각용액을 사용하여 기판으로부터 두번째 위치하는 층간절연막 상부에 형성된 절연막을 제거하는 단계; 플라즈마 식각으로 비트라인을 구성하고 있는 폴리실리콘막과 전하저장 전극을 구성하고 있는 폴리실리콘막을 식각하는 단계; 절연막 식각용액을 사용하여 잔존해 있는 절연막을 모두 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자 제조시 불량분석을 위한 디프로세싱 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 불량분석을 위한 디프로세싱 과정을 나타내는 단면도, 제3도는 본 발명에 따른 불량분석 상태를 나타내는 평면도.

Claims (3)

  1. 디램 셀 제조공정 중 폴리실리콘 콘택에서 발생한 불량을 분석하기 위한 디프로세싱 방법에 있어서, 보호막 및 이중금속배선막을 디프로세싱에 의해 제거하는 제1단계; 절연막 식각용액을 사용하여 기판으로부터 두번째 위치하는 층간절연막 상부에 형성된 절연막을 제거하는 제2단계; 플라즈마 식각으로 비트라인을 구성하고 있는 폴리실리콘막과 전하저장전극을 구성하고 있는 폴리실리콘막을 식각하는 제3단계; 및 절연막 식각용액을 사용하여 잔존해 있는 절연막을 모두 제거하는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시 불량분석을 위한 디프로세싱 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막 식각용액은 HF용액인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시 불량분석을 위한 디프로세싱 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘막은 콘택부위만을 남겨두고 식각되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조시 불량분석을 위한 디프로세싱 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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