KR950019941A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로서, 디램셀의 셀영역과 주변회로 영역의 경계 부분에서 상기 셀영역에 형성되어 있는 캐패시터에 의해 생기는 단차진 측벽에 절연스페이서를 형성하는 공정을 추가하여 셀영역과 주변회로영역간의 단차에 의한 경사각을 감소시켰으므로, 후속 금속공정시 금속층의 식각 공정마진 및 촛점심도 마진이 증가되어 소자의 신뢰성 및 공정수율이 증가되는 이점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 반도체소자의 셀영역과 주변회로영역의 경계 부분에서의 단면도,
제2도는 본발명에 따른 반도체소자의 셀영역과 주변회로영역의 경계 부분에서의 단면도,
Claims (2)
- 반도체기판의 일측 셀영역과 타측의 주변회로영역간에 단차가 형성되어 있는 반도체소자의 제조방법에 있어서, 상기 반도체 기판의 셀영역과 주변회로영역의 경계부분에서 단차진 측벽에 절연스페이서를 형성하는 공정을 추가로 구비하여 후속 금속배선 공정시의 식각 공정마진을 향상시킬 수 있는 반도체소자의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연스페이서를 산화막또는 질화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031892A KR950019941A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체소자의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031892A KR950019941A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체소자의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950019941A true KR950019941A (ko) | 1995-07-24 |
Family
ID=66853816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930031892A KR950019941A (ko) | 1993-12-31 | 1993-12-31 | 반도체소자의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950019941A (ko) |
-
1993
- 1993-12-31 KR KR1019930031892A patent/KR950019941A/ko not_active Application Discontinuation
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