JP2009187032A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 透光性基板上に、透過量を調整する機能を有するグレートーンマスク用半透光性膜を少なくとも有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
   前記マスクブランクは、前記半透光性膜がパターニング処理されてフォトマスクとなされた後、デバイスを製造する際に、複数の波長を含む露光光により露光処理されるフォトマスク用のマスクブランクであり、
   前記半透光性膜は、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、半透光性膜の透過率の変動幅が５％未満の範囲内となるように制御された膜であり、
   前記半透光性膜の透過率を縦軸とし、波長を横軸とした分光透過率線において、ｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、前記分光透過率線の横軸に対する傾きが右上がりである
   ことを特徴とする、ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
2. 透光性基板上に、透過量を調整する機能を有するグレートーンマスク用半透光性膜を少なくとも有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、
   前記マスクブランクは、前記半透光性膜がパターニング処理されてフォトマスクとなされた後、デバイスを製造する際に、複数の波長を含む露光光により露光処理されるフォトマスク用のマスクブランクであり、
   前記半透光性膜は、波長３３０ｎｍ〜４７０ｎｍに渡る波長帯域において、半透光性膜の透過率の変動幅が１０％未満の範囲内となるように制御された膜であり、
   前記半透光性膜の透過率を縦軸とし、波長を横軸とした分光透過率線において、波長３３０ｎｍ〜４７０ｎｍに渡る波長帯域において、前記分光透過率線の横軸に対する傾きが右上がりである
   ことを特徴とする、ＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
3. 前記半透光性膜は、波長３３０ｎｍ〜４７０ｎｍに渡る波長帯域において、半透光性膜の透過率の変動幅が５％未満の範囲内となるように制御された膜であることを特徴とする、請求項２記載のＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランク。
4. 透光性基板上に、透過量を調整する機能を有する半透光性膜を少なくとも有するマスクブランクにおいて、
   前記マスクブランクは、前記半透光性膜がパターニング処理されてフォトマスクとなされた後、デバイスを製造する際に、複数の波長を含む露光光により露光処理されるフォトマスク用のマスクブランクであって、
   前記半透光性膜は、超高圧水銀灯から放射される少なくともｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、半透光性膜の透過率の変動幅が５％未満の範囲内となるように制御された膜であり、
   前記半透光性膜の透過率を縦軸とし、波長を横軸とした分光透過率線において、ｉ線からｇ線に渡る波長帯域において、前記分光透過率線の横軸に対する傾きが右上がりである
   ことを特徴とする、マスクブランク。
5. 前記半透光性膜は、上記要件を満たすべく光学設計され、作製されたクロム窒化膜系の半透光性膜であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマスクブランク。
6. 前記半透光性膜は、上記要件を満たすべく光学設計され、作製されたＭｏＳｉ系の半透光性膜であることを特徴をとする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマスクブランク。
7. 前記半透光性膜は、上記要件を満たすべく光学設計され、作製されたＴａ、Ｗ、Ｍｏ又はＷＳｉを含む材料からなる半透光性膜であることを特徴をとする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のマスクブランク。
8. 請求項１乃至７記載のマスクブランクを用いて製造され、少なくとも半透光性膜パターンを有することを特徴とするＦＰＤデバイスを製造するためのフォトマスク。
9. 請求項１乃至７に記載のマスクブランクを用いて製造されたことを特徴とするフォトマスク。