JP2012003283A5

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Info

Publication number: JP2012003283A5
Application number: JP2011202742A
Authority: JP
Filing date: 2011-09-16
Publication date: 2013-03-07
Anticipated expiration: 2030-02-04

Claims

波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクの製造方法であって、
透光性基板上に薄膜を成膜する工程を含み、
前記薄膜は、炭素を含むターゲット又は炭素を含む雰囲気ガスを用いてスパッタリング成膜することにより形成され、遷移金属（Ｍ）、ケイ素、炭素を含み、遷移金属炭化物、又は遷移金属炭化物及びケイ素炭化物、を有してなり、
前記薄膜は、Ｍ−Ｃ結合を含有することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
前記薄膜は、前記スパッタリング成膜時の前記雰囲気ガスの圧力及び／又は電力を調整して形成されることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
前記薄膜は、前記フォトマスクを作製し、ＡｒＦエキシマレーザーを総照射量３０ｋＪ／ｃｍ ^２となるように連続照射した場合に、薄膜パターンの線幅の太りが２０ｎｍ以下となるように成膜することを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
前記薄膜は、光半透過膜であり、遷移金属とケイ素の原子比が１：１．５〜１：２４であり、炭素の含有量が１〜２０原子％であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
前記薄膜は、遮光膜であり、遷移金属とケイ素の原子比が１：１〜１：２４であり、炭素の含有量が１〜２０原子％であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクの製造方法。
波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
透光性基板上に薄膜を備え、
前記薄膜は、遷移金属（Ｍ）、ケイ素及び炭素を含み、遷移金属炭化物、又は遷移金属炭化物及びケイ素炭化物、を有してなり、
前記薄膜は、Ｍ−Ｃ結合を含有することを特徴とするフォトマスクブランク。
前記薄膜は、光半透過膜であり、遷移金属とケイ素の原子比が１：１．５〜１：２４であり、炭素の含有量が１〜２０原子％であることを特徴とする請求項６に記載のフォトマスクブランク。
前記薄膜は、遮光膜であり、遷移金属とケイ素の原子比が１：１〜１：２４であり、炭素の含有量が１〜２０原子％であることを特徴とする請求項６に記載のフォトマスクブランク。
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクの製造方法によって得られたフォトマスクブランク又は請求項６乃至８のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクにおける前記薄膜を、エッチングによりパターニングする工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクの製造方法によって得られたフォトマスクブランク又は請求項６乃至８のいずれか１項に記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォトマスク。
ＡｒＦエキシマレーザーを総照射量３０ｋＪ／ｃｍ ^２となるように連続照射した場合に、薄膜パターンの線幅の太りが２０ｎｍ以下である請求項１０に記載のフォトマスク。
請求項１０又は１１に記載のフォトマスクを用いて製造される半導体装置の製造方法。