JP6139826B2 - フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 - Google Patents
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Description
透明基板上に形成された、少なくとも半透光膜がパターニングされることにより形成された、透光部と半透光部を含む転写用パターンをもつフォトマスクであって、前記透光部は、5μm以下の幅で透明基板が露出してなり、
前記半透光部は、前記透光部を囲んで、前記透明基板上に形成された半透光膜によってなり、
前記半透光膜は、露光光の代表波長に対する透過率が2〜60%、位相シフト量が90°以下であることを特徴とする、フォトマスクが提供される。
透明基板上に形成した半透光膜と遮光膜がパターニングされることにより形成された、透光部と半透光部と遮光部を含む転写パターンをもつフォトマスクであって、
前記透光部は、5μm以下の幅で透明基板が露出してなり、
前記半透光部は、前記透光部を囲んで、前記透明基板上に形成された半透光膜によってなり、
前記遮光部は、前記半透光部を囲んで、前記透明基板上に形成された少なくとも遮光膜によってなり、
前記半透光膜は、露光光の代表波長に対する透過率が2〜60%、位相シフト量が90°以下であることを特徴とする、フォトマスクが提供される。
前記半透光部は、前記透光部を囲んで前記透光部のエッジに沿って一定幅に形成され、かつ、前記幅は、露光装置の解像限界以下であることを特徴とする、形態2に記載のフォトマスクが提供される。
前記転写用パターンは、被転写体上に3μm未満の径をもつホールを形成するためのホールパターンであることを特徴とする、形態1〜3のいずれかに記載のフォトマスクが提供される。
形態1〜4のいずれかに記載のフォトマスクを用い、露光装置によって、前記転写用パターンを被転写体上に転写することを特徴とする、パターン転写方法が提供される。
形態1〜4のいずれかに記載のフォトマスクを用い、露光装置によって、前記転写用パターンを被転写体上のレジスト膜に転写する、パターン転写方法であって、
前記レジスト膜が現像後に形成するレジストパターンの側面形状を、傾斜角40°以上とすることを特徴とする、パターン転写方法が提供される。
形態5又は6に記載のパターン転写方法を用いることを特徴とする、フラットパネルディスプレイの製造方法が提供される。
透明基板上に形成された、少なくとも半透光膜がパターニングされることにより形成された、透光部と半透光部を含む転写用パターンをもつフォトマスクであって、
前記透光部は、5μm以下の幅で透明基板が露出してなり、
前記半透光部は、前記透光部を囲んで、前記透明基板上に形成された半透光膜によってなり、
前記半透光膜は、露光光の代表波長に対する透過率が2〜60%、位相シフト量が90°以下であることを特徴とする(形態1)。
透明基板上に形成した半透光膜と遮光膜がパターニングされることにより形成された、透光部と半透光部と遮光部を含む転写パターンをもつフォトマスクであって、
前記透光部は、5μm以下の幅で透明基板が露出してなり、
前記半透光部は、前記透光部を囲んで、前記透明基板上に形成された半透光膜によってなり、
前記遮光部は、前記半透光部を囲んで、前記透明基板上に形成された少なくとも遮光膜によってなり、
前記半透光膜は、露光光の代表波長に対する透過率が2〜60%、位相シフト量が90°以下であることを特徴とする(形態2)。
図3(a)、(b)において、本形態1のフォトマスク1の透明基板10としては、表面を研磨した石英ガラス基板などが用いられる。大きさは特に制限されず、当該マスク1を用いて露光する基板(例えばフラットパネルディスプレイ用基板など)に応じて適宜選定される。例えば一辺300mm以上の矩形基板が用いられる。
図4(a)〜(c)において、本形態2のフォトマスク2の透明基板10については形態1と同様である。本形態2のフォトマスク2は、透光部11と半透光部21に加えて遮光部31を有する。露光光を透過する透光部11においては、透明基板10が露出している。半透光部21は、透明基板10上に半透光膜20が形成されてなり、この半透光膜20は単層でもよく、複数層の積層により成るものであっても良い。この半透光膜20は、露光光に含まれる代表波長の光に対して、2〜60%の透過率をもち、かつ、前記代表波長に対して、90°以下の位相シフト作用を有する点は上記と同じである。
尚、半透光膜20の透過率とは、透明基板10の、前記代表波長による透過率を100%とした場合の、半透光膜20の透過率である。
尚、本発明のフォトマスクは、被転写体上に形成される転写像が2階調となる用途に有利に用いられる。すなわち、いわゆる多段階のレジスト残膜値を得ようとする、3階調以上の多階調フォトマスクとは異なる機能をもつ。
また、本発明のフォトマスクにおいては、半透光部は、該半透光部が遮光部であった場合(形態2においては、遮光部の一部であった場合)に比較して、透光部を透過する光強度曲線のピークを上昇させる機能をもつ。このため、本発明のフォトマスクは、被転写体上に3μm未満のホールパターンを形成するときに、特に有利である。
次に、本発明のフォトマスクの製造方法の実施形態について、図5〜図8を参照しつつ説明する。
図3(b)に示すフォトマスク1の製造方法1について、図5(a)〜(d)を参照しつつ説明する。
次に、図4(b)に示すフォトマスク2の製造方法2について、図6(a)〜(g)を参照しつつ説明する。
次に、図4(c)に示すフォトマスク2の製造方法3について、図7(a)〜(g)を参照しつつ説明する。
次に、図4(b)に示すフォトマスク2の製造方法4について、図8(a)〜(f)を参照しつつ説明する。
本発明は更に、当該フォトマスクを用いた転写方法を含む。本発明のフォトマスクを用いた転写は、露光装置の照射光量を増加させずに(或いは減少させつつ)、微細パターンの転写が可能となる作用効果をもち、省エネルギー、或いは露光時間の短縮、生産効率の向上に著しいメリットをもたらす。
まず、比較例、実施例1、実施例2の各フォトマスクの構成について、図9(a)〜(c)を参照しつつ説明する。図9(a)〜(c)は、それぞれ転写用パターンをホールパターンとしたフォトマスクの比較例(バイナリマスク3)、実施例1(透過補助マスク1)、実施例2(透過補助マスク2)のマスクイメージを示すものである。
比較例、実施例1、実施例2のホールパターンをもつフォトマスクをそれぞれ、露光装置により露光したときの光学シミュレーションを行った。光学シミュレーション条件は、露光装置のNAを0.085、σを0.9、照射光源の強度がi線、h線、g線を含むブロード光であり、強度比をg線:h線:i線=1:0.8:0.95とした。本光学シミュレーションでは、図9(d)に示す評価項目A〜Cを評価した。以下、評価項目A〜Cについて説明する。
図9(d)の説明図は、ホールパターンをもつフォトマスクによって形成されるレジストパターンの断面形状を示すものである。図中の黒塗りの部分がエッチングマスクとなるレジストパターンであり、その間の白抜きの部分がホールHに対応するレジストパターン上の抜きパターンである。
本光学シミュレーションにおけるレジスト傾斜角は、図9(d)の説明図に示す黒塗りのレジストパターンのうち、白抜きの部分(抜きパターン)との境界部の傾斜角である。このレジスト傾斜角は、被転写体を水平に載置したとき、被転写体の面に対して垂直である場合の傾斜角(90°)を最大として表現する。製造工程における安定性を重視すれば、レジスト傾斜角は大きいほど好ましい。レジスト傾斜角が大きいほど、このレジストパターンをエッチングマスクとして使用する場合の径や幅の変動を小さく抑えられるからである。また、用途に応じた所望の傾斜角を形成したい場合には、目標傾斜角が正確に得られることが望ましい。
レジスト膜の初期膜厚(1.5μm)に対する減膜量を示す。図9(d)の説明図に示す黒塗りのレジストパターンのレジスト膜減りは、小さいほど好ましい。レジスト膜減りが大きい場合は、このレジストパターンを用いてドライエッチングを行うときに、特に深刻となりうる。
比較例、実施例1、実施例2の各フォトマスクについて、上記評価項目A〜Cのシミュレーション結果を図10に示す。図10は、比較例、実施例1、実施例2のシミュレーション結果を比較するものであり、図10(a)は照射光量、図10(b)はレジスト傾斜角、図10(c)はレジスト膜減りを示すグラフである。
10 透明基板
11 透光部
20 半透光膜
21 半透光部
21A 第1半透光部
21B 第2半透光部
30 遮光膜
31 遮光部
40、50、60、70 レジスト膜
41、51、61、71 レジストパターン
H ホール(透光部)
Claims (10)
- 透明基板上に形成した半透光膜と遮光膜がパターニングされることにより形成された、透光部と半透光部と遮光部を含む転写用パターンをもつ、フラットパネルディスプレイ製造用のフォトマスクであって、
前記透光部は、5μm以下の幅で透明基板が露出してなり、
前記半透光部は、前記透明基板上に半透光膜が形成されてなり、かつ、前記透光部のエッジに沿って前記透光部を囲み、露光装置の解像限界以下の一定幅に形成されるとともに、対向する位置に形成された前記半透光部は、互いに対称に、同一幅に形成され、
前記遮光部は、露光光に対する光学濃度ODが3以上であって、前記透明基板上に前記半透光膜と前記遮光膜が積層されてなり、前記半透光部を囲んで形成され、
前記半透光膜は、露光光の代表波長に対する透過率が30〜50%、位相シフト量が90°以下であることを特徴とする、フォトマスク。 - 前記半透光部の幅は、0.1〜1μmであることを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスク。
- 対向する位置に形成された前記半透光部は、互いの幅の差が、0.1μm以内であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスク。
- 対向する位置に形成された前記半透光部は、互いの幅の差が、0.05μm以内であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のフォトマスク。
- 前記転写用パターンは、被転写体上に3μm以下の径をもつホールを形成するためのホールパターンであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 被転写体上に2階調の転写像を形成するための、請求項1〜5のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のフォトマスクを用い、露光装置によって、前記転写用パターンを被転写体上に転写することを特徴とする、パターン転写方法。
- 前記露光装置は、i線、h線、及びg線を含む光源、及び開口数NAが、0.06〜0.14の光学条件を有するものである、請求項7に記載のパターン転写方法。
- 前記露光装置によって、前記転写用パターンを被転写体上のレジスト膜に転写するパターン転写方法であって、前記レジスト膜が現像後に形成するレジストパターンの側面形状を、傾斜角40°以上とすることを特徴とする、請求項7又は8に記載のパターン転写方法。
- 請求項7〜9のいずれか1項に記載のパターン転写方法を用いることを特徴とする、フラットパネルディスプレイの製造方法。
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