JP2009048186A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009048186A5
JP2009048186A5 JP2008190353A JP2008190353A JP2009048186A5 JP 2009048186 A5 JP2009048186 A5 JP 2009048186A5 JP 2008190353 A JP2008190353 A JP 2008190353A JP 2008190353 A JP2008190353 A JP 2008190353A JP 2009048186 A5 JP2009048186 A5 JP 2009048186A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semi
light
pattern
transparent
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008190353A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5363767B2 (ja
JP2009048186A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008190353A priority Critical patent/JP5363767B2/ja
Priority claimed from JP2008190353A external-priority patent/JP5363767B2/ja
Publication of JP2009048186A publication Critical patent/JP2009048186A/ja
Publication of JP2009048186A5 publication Critical patent/JP2009048186A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5363767B2 publication Critical patent/JP5363767B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (15)

  1. 透光部、遮光部及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定のパターンを有し、エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対して、所定の露光条件下における透過光により前記所定のパターンを転写させ、前記レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなる所定形状のレジストパターンとなすフォトマスクの製造方法において、
    前記所定の露光条件を模した露光条件を露光手段により再現し、所定のテストパターンが形成されたテストマスクを用いたテスト露光を行い、このテストマスクの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得る工程と、
    前記透過光パターンデータに基づいて、前記所定の露光条件下における前記所定のテストパターンの実効透過率を得る工程と、
    前記所定のテストパターンの実効透過率に基づいて、前記所定の露光条件下において前記レジスト膜を所定形状のレジストパターンとすることができる前記フォトマスクのパターンの形状、前記半透光部を含む領域に形成する膜の素材、または、前記半透光部を含む領域の膜厚を決定する工程と
    を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
  2. 前記テストマスクは、遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンを備え、
    前記フォトマスクの半透光部のパターン形状、該半透光部を含む領域に形成する膜の素材、または、該領域の膜厚の決定は、前記複数のテストパターンにより得られた複数の透過光パターンデータより、前記半透光部特性と、この半透光部の特性に対応する実効透過率との相関を把握し、把握された相関に基づいて行うことを特徴とする請求項1記載のフォトマスク製造方法。
  3. 前記フォトマスクの所定のパターンに含まれる該半透光部は、透明基板上に半透光膜が形成されてなることを特徴とする請求項1、または、請求項2記載のフォトマスクの製造方法。
  4. 前記フォトマスクにおいて、半透光部及び遮光部においては、透明基板上に半透光膜が形成されており、遮光部においては、前記半透光膜上に遮光膜が形成されていることを特徴とする請求項3記載のフォトマスクの製造方法。
  5. 前記フォトマスクにおいて、遮光部においては、透明基板上に遮光膜が形成されるとともに、この遮光膜上に半透光膜が形成されており、半透光部においては、透明基板上に半透光膜が形成されていることを特徴とする請求項3記載のフォトマスクの製造方法。
  6. 前記半透光部の実効透過率は、前記半透光膜の固有の透過率より小さいことを特徴とする請求項3記載のフォトマスクの製造方法。
  7. 前記フォトマスクが液晶装置の薄膜トランジスタ製造用のフォトマスクであることを特徴とする請求項1、または、請求項2記載のフォトマスクの製造方法。
  8. 請求項1、または、請求項2記載のフォトマスクの製造方法によって製造されたフォトマスクを用いて、前記レジスト膜に前記所定の露光条件による露光を行うことを特徴とするパターン転写方法。
  9. 透光部、遮光部及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定のパターンを有し、エッチング加工がなされる被加工層上に形成されたレジスト膜に対して、所定の露光条件下における透過光により前記所定のパターンを転写させ、前記レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなる所定形状のレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、
    前記半透光部の透過率として所定の透過率値を有し、該透過率値は、前記転写パターンを、前記露光条件を近似露光条件下において露光し、得られた実効透過率を基に決定されたものであることを特徴とするフォトマスク。
  10. 前記透明基板上に半透光膜が形成された部分を含む半透光部を有し、該半透光部の透過率値は、前記半透光膜の固有の透過率より小さいことを特徴とする請求項9記載のフォトマスク。
  11. 遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、所定の露光条件を再現する露光手段を用いてテスト露光を行い、
    これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得て、
    この透過光パターンデータに基づき、前記複数のテストパターンの半透光部の実効透過率を得て、
    前記半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列したことを特徴とする半透過部の実効透過率のデータベース。
  12. 遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、複数の露光条件を設定し、これら複数の露光条件を適用してテスト露光を行い、
    これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて複数の透過光パターンデータを得て、
    これら透過光パターンデータに基づいて前記複数の露光条件下における前記テストパターンの半透光部の実効透過率を得て、
    前記露光条件と、前記半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列したことを特徴とする半透過部の実効透過率のデータベース。
  13. 透光部、遮光部、及び露光光の一部を透過する半透光部を含む所定の転写パターンを有するフォトマスクにおいて、
    請求項11、または、請求項12記載のデータベースに基づいて、前記半透光部が所望の実効透過率を有するように、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性を決定したものであることを特徴とするフォトマスク。
  14. 遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、所定の露光条件を再現する露光手段を用いてテスト露光を行い、これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて透過光パターンデータを得て、この透過光パターンデータに基づき、前記複数のテストパターンの半透光部の実効透過率を得て、前記半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列することによってあらかじめ作成されたデータベースに基づいて、
    前記半透光部が所望の実効透過率を有するように、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性を決定することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
  15. 遮光部、透光部及び半透光部を有し、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性が異なる複数のテストパターンに対して、複数の露光条件を設定し、これら複数の露光条件を適用してテスト露光を行い、これらテストパターンの透過光パターンを撮像手段により取得し、取得された透過光パターンに基づいて複数の透過光パターンデータを得て、これら透過光パターンデータに基づいて前記複数の露光条件下における前記テストパターンの半透光部の実効透過率を得て、前記露光条件と、前記半透光部の特性と、これに対応する実効透過率とを、一定の規則にしたがって配列することによってあらかじめ作成されたデータベースに基づいて、
    前記半透光部が所望の実効透過率を有するように、半透光部のパターン形状、または、該半透光部を形成する膜の素材、あるいは、膜厚のいずれかの半透光部特性を決定することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
JP2008190353A 2007-07-23 2008-07-23 フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及びデータベース Active JP5363767B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008190353A JP5363767B2 (ja) 2007-07-23 2008-07-23 フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及びデータベース

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007191487 2007-07-23
JP2007191487 2007-07-23
JP2008190353A JP5363767B2 (ja) 2007-07-23 2008-07-23 フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及びデータベース

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2009048186A JP2009048186A (ja) 2009-03-05
JP2009048186A5 true JP2009048186A5 (ja) 2011-08-11
JP5363767B2 JP5363767B2 (ja) 2013-12-11

Family

ID=40462633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008190353A Active JP5363767B2 (ja) 2007-07-23 2008-07-23 フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及びデータベース

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5363767B2 (ja)
KR (1) KR101071454B1 (ja)
CN (1) CN101382729B (ja)
TW (1) TWI446105B (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI428688B (zh) * 2009-07-29 2014-03-01 Hoya Corp Method for manufacturing multi - modal mask and pattern transfer method
JP2012047732A (ja) * 2010-07-30 2012-03-08 Hoya Corp 透過率測定装置、フォトマスクの透過率検査装置、透過率検査方法、フォトマスク製造方法、パターン転写方法、フォトマスク製品
JP5866912B2 (ja) * 2011-09-16 2016-02-24 凸版印刷株式会社 パターンの描画条件導出方法及びパターン描画装置
CN102944971B (zh) * 2012-11-21 2015-03-18 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版及光刻材料的曝光检测方法
CN105988285B (zh) * 2015-01-30 2019-09-27 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测试掩模版以及测试方法
CN104765245A (zh) * 2015-04-10 2015-07-08 深圳市华星光电技术有限公司 一种灰色调掩膜及其制作方法
KR102687968B1 (ko) * 2018-11-06 2024-07-25 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
CN111352294B (zh) * 2020-03-23 2021-10-22 昆山国显光电有限公司 掩模版、显示面板及掩模版的制备方法
JP6993530B1 (ja) 2020-12-25 2022-01-13 株式会社エスケーエレクトロニクス フォトマスク、フォトマスクの製造方法、表示装置の製造方法
CN114488703B (zh) * 2021-12-10 2024-04-12 武汉新芯集成电路制造有限公司 刻蚀方案的确定方法、测试掩模板以及刻蚀系统

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04328548A (ja) * 1991-04-26 1992-11-17 Nikon Corp フォトマスクの検査方法および装置
JP2530081B2 (ja) * 1992-01-09 1996-09-04 株式会社東芝 マスク検査装置
JP3085264B2 (ja) * 1997-11-10 2000-09-04 日本電気株式会社 フォトマスクならびにその製造方法
JP2000181048A (ja) * 1998-12-16 2000-06-30 Sharp Corp フォトマスクおよびその製造方法、並びにそれを用いた露光方法
JP2002174604A (ja) * 2000-09-29 2002-06-21 Hoya Corp グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにフォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP2003043665A (ja) * 2001-08-02 2003-02-13 Sony Corp フォトマスクの製造方法
JP4021235B2 (ja) * 2002-04-16 2007-12-12 Hoya株式会社 グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにフォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP4064144B2 (ja) * 2002-04-16 2008-03-19 Hoya株式会社 グレートーンマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置、並びにフォトマスクの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP3993125B2 (ja) * 2003-04-01 2007-10-17 Hoya株式会社 グレートーンマスクの欠陥修正方法
JP4294359B2 (ja) * 2003-04-08 2009-07-08 Hoya株式会社 グレートーンマスクの欠陥修正方法
JP3875648B2 (ja) * 2003-04-08 2007-01-31 Hoya株式会社 グレートーンマスクの欠陥検査方法
JP4393290B2 (ja) * 2003-06-30 2010-01-06 Hoya株式会社 グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法
US7524593B2 (en) * 2005-08-12 2009-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure mask
KR20080037702A (ko) * 2005-09-21 2008-04-30 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 계조를 갖는 포토마스크 및 그 제조 방법
CN101346664B (zh) * 2005-12-26 2011-12-14 Hoya株式会社 掩模坯料及光掩模
JP5064116B2 (ja) * 2007-05-30 2012-10-31 Hoya株式会社 フォトマスクの検査方法、フォトマスクの製造方法及び電子部品の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009048186A5 (ja)
TWI431411B (zh) 光罩、光罩之製造方法、圖案轉印方法及液晶顯示裝置之製作方法
JP2008282046A5 (ja)
KR101375006B1 (ko) 포토마스크 및 그 제조 방법
TW201214021A (en) Multi-tone photomask, method of manufacturing a multi-tone photomask, and pattern transfer method
JP2009042753A5 (ja)
TWI480679B (zh) 多灰階光罩、多灰階光罩之製造方法、圖案轉印方法及薄膜電晶體之製造方法
JP2013134435A5 (ja)
JP5336226B2 (ja) 多階調フォトマスクの製造方法
JP2007535694A5 (ja)
KR20110083583A (ko) 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법, 및 박막 트랜지스터의 제조 방법
JP2006267262A5 (ja)
JP2006133785A5 (ja)
JP2010198103A5 (ja)
JP2015212720A5 (ja)
JP2009086380A (ja) グレートーンマスクブランク、グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにパターン転写方法
JP5185154B2 (ja) 多階調フォトマスクの検査方法
JP5108551B2 (ja) 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法
US20110072402A1 (en) Photomask designing method and photomask designing program
JP4615032B2 (ja) 多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
KR101343256B1 (ko) 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR101171432B1 (ko) 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법, 및 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR101140103B1 (ko) 다계조 포토마스크의 제조 방법 및 패턴 전사 방법
KR20110012798A (ko) 포토레지스트 선정을 위한 시뮬레이션 방법
JP2010078923A5 (ja)