JP2006133785A5 - - Google Patents

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Claims (7)

  1. 透明基板と、
    前記透明基板上に形成され、照射される所定波長帯の光を全部透過させる光透過部と、照射される所定波長帯の光を全部遮断させる光遮断部とを有する光遮断層と、
    照射される所定波長帯の光の一部のみを透過させる半透過部と、
    を備えることを特徴とするハーフトーンマスク。
  2. 前記半透過部が、CrxOy、CrxCoy、CrxCoyNz、SixNy、MoxSiyのうちいずれか一つで形成され、照射される光の一部のみを透過させることを特徴とする請求項1に記載のハーフトーンマスク。
  3. 請求項1によるハーフトーンマスクを用いて製造される平板ディスプレイ。
  4. 透明基板上に光遮断層と第1フォトレジストを順に形成し、露光・現像・エッチング工程を順に行って光の透過する光透過部と光を遮断する光遮断部とを前記光遮断層に形成する段階と、
    前記第1フォトレジストを除去する段階と、
    前記光遮断部と光透過部上に第2フォトレジストを形成し、前記光透過部のうち必要部位が外部に露出されるように前記第2フォトレジストを露光及び現像する段階と、
    前記第2フォトレジスト及び外部に露出された前記透明基板上に、照射される所定波長帯の光の一部のみを透過させる半透過層を形成する段階と、
    前記第2フォトレジスト及び前記第2フォトレジスト上に形成された前記半透過層を除去する段階と、
    を備えてなることを特徴とするハーフトーンマスクの製造方法。
  5. 透明基板上に光遮断層と第1フォトレジストを順に形成し、露光・現像・エッチング工程を順に行って光の透過する光透過部と光を遮断する光遮断部とを前記光遮断層に形成する段階と、
    前記第1フォトレジストを除去する段階と、
    前記光遮断部と光透過部上に照射される所定波長帯の光の一部のみを透過させる半透過層を形成する段階と、
    前記半透過層上に第2フォトレジストを形成し、前記半透過層のうち必要部位が外部に露出されるように前記第2フォトレジストを露光及び現像する段階と、
    前記露出された半透過層をエッチングした後、前記第2フォトレジストを除去する段階と、
    を備えてなることを特徴とするハーフトーンマスクの製造方法。
  6. 透明基板上に光遮断層と第1フォトレジストを順に形成し、露光・現像・エッチング工程を順に行って光の透過する光透過部と光を遮断する光遮断部とを前記光遮断層に形成する段階と、
    前記第1フォトレジストと光透過部上に、照射される所定波長帯の光の一部のみを透過させる半透過層を形成する段階と、
    前記第1フォトレジストと前記第1フォトレジスト上に形成された半透過層を除去して前記光遮断部を露出させる段階と、
    前記光遮断部と前記残っている半透過層上に第2フォトレジストを形成し、前記半透過層のうち必要部位が外部に露出されるように前記第2フォトレジストを露光及び現像する段階と、
    前記露出された半透過層をエッチングした後、前記第2フォトレジストを除去する段階と、
    を備えてなることを特徴とするハーフトーンマスクの製造方法。
  7. 前記第2フォトレジストを露光及び現像する前に、前記光遮断層の隅部分に形成された整列マークの位置を把握してレーザービームの照射位置を補正する段階をさらに備えることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項に記載のハーフトーンマスクの製造方法。
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