JP2010078923A5

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Info

Publication number: JP2010078923A5
Application number: JP2008247271A
Authority: JP
Filing date: 2008-09-26
Publication date: 2011-10-13
Anticipated expiration: 2028-09-26

Claims

透光性基板上に、露光光の一部を透過する半透光膜と露光光を遮光する遮光膜をこの順で有し、前記半透光膜と前記遮光膜にそれぞれパターニングが施されることにより、露光光を透過する透光部、露光光を一部透過する半透光部、露光光を遮光する遮光部が形成された多階調フォトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、
前記半透光膜は、透光性基板側から下層と上層がこの順に積層した積層膜からなり、
前記下層は、ｉ線〜ｇ線の波長帯域にわたる露光光に対する透過率変化量が上層に比べて相対的に小さく、かつ、所定の透過率を得るために必要な膜厚が上層に比べて相対的に薄く、
前記上層は、ｉ線〜ｇ線の波長帯域にわたる露光光に対する透過率変化量が下層に比べて相対的に大きく、かつ、所定の透過率を得るために必要な膜厚が下層に比べて相対的に厚いことを特徴とするフォトマスクブランク。
前記上層の膜厚は、前記下層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１記載のフォトマスクブランク。
前記下層は、ｉ線〜ｇ線の波長帯域に亘る透過率変化量を抑制する機能を有する膜であり、
前記上層は、膜厚を調整することによって、前記積層膜からなる半透光膜を透過する露光光の透過率を所望の値に調整することを特徴とする請求項１又は２に記載のフォトマスクブランク。
前記積層膜からなる半透光膜は、ｉ線〜ｇ線の波長帯域に亘る露光光に対する透過率変化量が、２．０％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記下層は、シート抵抗値が前記上層よりも小さいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載のフォトマスクブランク。
前記下層は、シート抵抗が０．５５ｋΩ／□以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
透光性基板上に、
クロムと窒素を含む材料からなる下層と、モリブデンとシリコンを含む材料又はモリブデンとシリコンと窒素を含む材料からなる上層と、をこの順で積層してなる半透光膜の積層膜と、
クロムを含む材料からなる遮光膜と、
をこの順で積層してなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
透光性基板上に、露光光の一部を透過する半透光膜と露光光を遮光する遮光膜をこの順で有し、前記半透光膜と前記遮光膜にそれぞれパターニングが施されることにより、露光光を透過する透光部、露光光を一部透過する半透光部、露光光を遮光する遮光部が形成された多階調フォトマスクであって、
前記半透光膜は、透光性基板側から下層と上層がこの順に積層した積層膜からなり、
前記下層は、ｉ線〜ｇ線の波長帯域にわたる露光光に対する透過率変化量が上層に比べて相対的に小さく、かつ、所定の透過率を得るために必要な膜厚が上層に比べて相対的に薄く、
前記上層は、ｉ線〜ｇ線の波長帯域にわたる露光光に対する透過率変化量が下層に比べて相対的に大きく、かつ、所定の透過率を得るために必要な膜厚が下層に比べて相対的に厚いことを特徴とする多階調フォトマスク。
前記上層の膜厚は、前記下層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項８記載の多階調フォトマスク。
前記下層は、ｉ線〜ｇ線の波長帯域に亘る透過率変化量を抑制する機能を有する膜であり、
前記上層は、膜厚を調整することによって、前記積層膜からなる半透光膜を透過する露光光の透過率を所望の値に調整することを特徴とする請求項８又は９に記載の多階調フォトマスク。
前記積層膜からなる半透光膜は、ｉ線〜ｇ線の波長帯域に亘る露光光に対する透過率変化量が、２．０％以下であることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の多階調フォトマスク。
前記下層は、シート抵抗値が前記上層よりも小さいことを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の多階調フォトマスク。
前記下層は、シート抵抗が０．５５ｋΩ／□以下であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載の多階調フォトマスク。
前記半透光部は、透光性基板上に、前記積層構造の半透光膜で構成される半透光部が形成されてなることを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の多階調フォトマスク。
前記半透光部は、露光光の透過率の異なる第１の半透光部と第２の半透光部を有し、前記第１の半透光部は、透光性基板上に、前記積層構造の半透光膜の下層膜のみで構成される半透光部が形成されてなり、前記第２の半透光部は、透光性基板上に、前記積層構造の半透光膜の下層膜及び上層膜の積層膜で構成される半透光部が形成されてなることを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の多階調フォトマスク。
請求項８〜１５のいずれかに記載の多階調フォトマスクを用い、ｉ線〜ｇ線の波長帯域に亘る露光光によって、フォトマスクに形成された多階調パターンを被転写体上に転写する工程を含む、パターン転写方法。