TWI663468B - 光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於實現一種圖案之CD精度及座標精度優異之光罩。 於製造具有具備遮光部、半透光部及透光部之轉印用圖案之光罩時，準備於透明基板1上積層半透光膜2、中間膜3及遮光膜4而成之空白光罩，藉由蝕刻將成為遮光部之區域以外之區域之遮光膜4去除之後，形成抗蝕膜6。繼而，對抗蝕膜6進行描繪、顯影而形成抗蝕圖案6a之後，藉由蝕刻將半透光膜2去除。半透光膜2與遮光膜4均包含Cr系材料，於將與透光部及半透光部之各者鄰接之遮光部設為中間遮光部時，於抗蝕圖案形成步驟中，形成具有如下尺寸之開口之抗蝕圖案6a，即，對於與中間遮光部鄰接之透光部之設計尺寸A(μm)，於與中間遮光部鄰接之邊緣側，每單側增加裕度α(μm)。

Description

光罩之製造方法、光罩、及顯示裝置之製造方法
本發明係關於一種用以製造電子器件之光罩、尤其是適合用於製造以液晶或有機EL(electroluminescence，電致發光)為代表之顯示裝置(平板顯示器)之光罩及其製造方法、以及使用該光罩之顯示裝置之製造方法。
於專利文獻1中記載有如下方法，即，使用具備半透光層、蝕刻終止層、及遮光層之遮罩基底，藉由抑制遮光層之側蝕而製作圖案化精度較高之半色調光罩。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2011-164200號公報
[發明所欲解決之問題] 已知有如下光罩，即，於透明基板上不僅形成遮光膜而且形成半透光膜，並藉由對各膜實施所期望之圖案化而形成轉印用圖案而成。該光罩與所謂之二元光罩相比，於圖案之轉印時發揮附加之功能，因此，被較多地利用。例如，所謂之多階光罩(有時亦被稱為灰色調光罩或半色調光罩)由於能夠形成可在顯示裝置等之製造中使用於複數次蝕刻製程之抗蝕圖案，故而減少所需光罩之片數，對生產效率之提昇有用。 另一方面，於顯示裝置之製造中，使用具備基於最終欲獲得之電子器件之設計而應用各種光學膜(遮光膜、半透光膜等)形成之轉印用圖案的光罩。又，作為電子器件，對搭載於智慧型手機或平板終端等之液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置要求畫面較亮、省電性能優異、動作速度較快，不僅如此，而且要求高解像度、廣視角等較高之畫質。因此，有對用於上述用途之光罩之轉印用圖案產生更微細化、高密度化之要求之傾向。 顯示裝置等電子器件一般藉由形成有圖案之複數個薄膜(層：Layer)之積層而立體地形成。因此，要求該等複數個層之各者之座標精度之提昇、及圖案尺寸(CD，Critical Dimension(臨界尺寸))之精度提昇。若該等精度不遍及光罩面內維持得較高，則產生無法於已完成之電子器件中保證正確之動作之不良情況。另一方面，各層中之圖案之構造有日益微細化、高密度化之傾向。因此，有各層之CD精度及座標精度之要求日益嚴格之傾向。 又，於應用於液晶顯示裝置之彩色濾光片中，為了實現更亮之顯示畫面，而存在使黑矩陣(BM，black matrix)或感光性間隔件(PS，photo spacer)之配置面積更小之趨勢。又，亦要求同時形成主間隔件與副間隔件之類之高度不同之感光性間隔件等效率更高地形成具有複雜構造之顯示裝置。此種情況亦成為強烈要求於光罩之轉印用圖案中提昇CD精度及座標精度(位置精度)之背景。 專利文獻1所記載之光罩係藉由對積層有透光層、半透光層及遮光層之遮罩基底使用光微影法進行圖案化而製造。於該情形時，若半透光層與遮光層由蝕刻選擇性較低之材料形成，則對遮光層進行蝕刻時半透光層亦被蝕刻。因此，為了防止該情況，而必須於半透光層與遮光層之間積層蝕刻終止層。但是，即便於該情形時，於對半透光層進行蝕刻時位於其上層之遮光層亦被側蝕，因此，遮光層之尺寸變小。其結果，問題在於，於將最終所獲得之光罩設置於曝光裝置進行曝光時，入射至光罩之曝光之光透過本來應被遮蔽之區域，而導致圖案化精度降低。 針對如上所述之問題，於專利文獻1所記載之發明中，將半透光層、蝕刻終止層、及遮光層之光學密度之和設為3.0以上，將遮光層之層厚設為特定範圍，將半透光層之光學密度用作遮光部所需之光學密度之一部分。 此外，作為光罩所需之性能，重要的是確保對遮光部要求之遮光性，另一方面，重要的是轉印用圖案中包含之遮光部或半透光部之尺寸(CD：Critical Dimension)精度、進而座標精度亦滿足規格，如上所述，該規格亦存在日益嚴格之趨勢。關於該方面，於專利文獻1所記載之方法中，遮光層之蝕刻必須進行2次。又，於第2次之蝕刻中，位於下層之半透光層之側面成為露出狀態，因此，有自該部分進行側蝕而半透光層之圖案尺寸變小之風險。 鑒於如上所述之情況，本發明者對用以獲得較高之CD精度及座標精度之優異之光罩及其製造方法進行銳意研究，從而完成了本發明。 本發明之主要目的在於提供一種抑制使圖案之CD精度及座標精度變差之因素而具有優異之圖案精度的光罩及其製造方法、以及顯示裝置之製造方法。 [解決問題之技術手段] (第1態樣) 本發明之第1態樣係一種光罩之製造方法，其特徵在於： 其係具有轉印用圖案之光罩之製造方法，該轉印用圖案係藉由將形成於透明基板上之遮光膜及半透光膜分別圖案化而形成，且具備遮光部、半透光部、及透光部， 上述轉印用圖案包含與上述透光部及上述半透光部之各者鄰接之上述遮光部， 該光罩之製造方法具有如下步驟： 準備於上述透明基板上積層半透光膜、中間膜、及遮光膜而成之空白光罩； 遮光部形成步驟，其係藉由蝕刻將成為上述遮光部之區域以外之區域之遮光膜去除而形成上述遮光部； 於形成有上述遮光部之上述透明基板上形成抗蝕膜； 抗蝕圖案形成步驟，其係對上述抗蝕膜進行描繪及顯影，形成至少於上述透光部之區域具有開口之抗蝕圖案；及 半透光膜蝕刻步驟，其係藉由蝕刻將自上述抗蝕圖案露出之半透光膜去除而形成透光部； 上述半透光膜與遮光膜包含可藉由相同之蝕刻劑進行蝕刻之材料，且 於將與上述透光部及上述半透光部之各者鄰接之上述遮光部設為中間遮光部時， 於上述抗蝕圖案形成步驟中，形成具有如下尺寸之開口之抗蝕圖案，即，對於與上述中間遮光部鄰接之上述透光部之設計尺寸A(μm)，於與上述中間遮光部鄰接之邊緣側，每單側增加裕度α(μm)。 (第2態樣) 本發明之第2態樣如上述第1態樣之光罩之製造方法，其特徵在於： 於上述遮光部形成步驟中進行上述遮光膜之蝕刻之後，進行上述中間膜之蝕刻。 (第3態樣) 本發明之第3態樣如上述第1或第2態樣之光罩之製造方法，其中 上述半透光膜與上述遮光膜係對於相同蝕刻劑之蝕刻所需時間之比為1：3～1：20。 (第4態樣) 本發明之第4態樣如上述第1至第3態樣中任一態樣之光罩之製造方法，其特徵在於： 於上述轉印用圖案中，於上述中間遮光部之鄰接於上述透光部之邊緣側，形成有與鄰接於上述半透光部之邊緣側相比上述遮光膜之膜厚較小之凹部。 (第5態樣) 本發明之第5態樣如上述第1至第4態樣中任一態樣之光罩之製造方法，其特徵在於： 於上述空白光罩中，上述半透光膜與上述遮光膜之膜厚比為1：2.5～1：20。 (第6態樣) 本發明之第6態樣如上述第1至第5態樣中任一態樣之光罩之製造方法，其中 於上述空白光罩中，將上述半透光膜、上述中間膜及上述遮光膜積層之狀態下之光學密度(OD)為2.5～7.5。 (第7態樣) 本發明之第7態樣如上述第1至第6態樣中任一態樣之光罩之製造方法，其特徵在於： 於上述空白光罩中，於上述遮光膜之表層具有反射控制層。 (第8態樣) 本發明之第8態樣如上述第1至第7態樣中任一態樣之光罩之製造方法，其特徵在於： 上述轉印用圖案具有鄰接於上述遮光部而被包圍之透光部。 (第9態樣) 本發明之第9態樣如上述第1至第8態樣中任一態樣之光罩之製造方法，其特徵在於： 上述轉印用圖案具有鄰接於上述半透光部而被包圍之透光部。 (第10態樣) 本發明之第10態樣係一種光罩，其特徵在於： 其係具有轉印用圖案者，該轉印用圖案係藉由將形成於透明基板上之遮光膜及半透光膜分別圖案化而形成，且具備遮光部、半透光部、及透光部， 上述轉印用圖案包含與上述透光部及上述半透光部之各者鄰接之上述遮光部， 於上述遮光部，於上述透明基板上形成半透光膜、中間膜、及遮光膜， 於上述半透光部，於上述透明基板上形成上述半透光膜、或上述半透光膜與中間膜， 於上述透光部，上述透明基板之表面露出， 上述遮光膜與上述半透光膜包含可藉由相同之蝕刻劑進行蝕刻之材料，且 於將與上述透光部及上述半透光部之各者鄰接之上述遮光部設為中間遮光部時， 於上述中間遮光部，於鄰接於上述透光部之邊緣側，形成有與鄰接於上述半透光部之邊緣側相比上述遮光膜之膜厚較小之凹部。 (第11態樣) 本發明之第11態樣如上述第10態樣之光罩，其特徵在於： 上述凹部之深度為50～200 Å。 (第12態樣) 本發明之第12態樣如上述第10或第11態樣之光罩，其特徵在於： 上述中間遮光部之上述凹部之對於曝光之光代表波長之反射率較上述空白光罩之上述遮光膜表面之反射率大。 (第13態樣) 本發明之第13態樣如上述第10至第12態樣中任一態樣之光罩，其中 上述轉印用圖案具有鄰接於上述遮光部而被包圍之透光部。 (第14態樣) 本發明之第14態樣如上述第10至第13態樣中任一態樣之光罩，其中 上述轉印用圖案具有鄰接於上述半透光部而被包圍之透光部。 (第15態樣) 本發明之第15態樣係一種顯示裝置之製造方法，其具有如下步驟： 準備如上述第10至第14態樣中任一態樣之光罩；及 使用曝光裝置，將上述光罩所具備之轉印用圖案轉印至被轉印體上。 [發明之效果] 根據本發明，可獲得抑制使圖案之CD精度及座標精度變差之因素而具有優異之圖案精度的光罩。
＜光罩之概略構成＞ 圖1係表示本發明之實施形態之光罩之一構成例的圖，(a)係俯視圖，(b)係(a)之X1-X1剖視圖。 圖示之光罩係具有轉印用圖案之光罩，該轉印用圖案係藉由將形成於透明基板1上之半透光膜2及遮光膜4分別圖案化而形成，且具備透光部11、半透光部12及遮光部14。該光罩所具有之轉印用圖案具有透光部11與遮光部14鄰接之部分、透光部11與半透光部12鄰接之部分、及半透光部12與遮光部14鄰接之部分。具體而言，該轉印用圖案具有鄰接於遮光部14而被夾住或被包圍之透光部11，又，具有鄰接於半透光部12而被夾住或被包圍之透光部11。該轉印用圖案進而具有鄰接於遮光部14而被夾住或被包圍之半透光部12。又，該轉印用圖案包含與透光部11及半透光部12之兩者分別鄰接之遮光部14，此處，將該遮光部14稱為中間遮光部14。 再者，圖示之光罩只是例示，當然，基於實際之設計之光罩設計未必與此相同。 如下所述，於形成轉印用圖案時應用濕式蝕刻之情形時，半透光部、遮光部之邊緣分別具有半透光膜、遮光膜之被濕式蝕刻側面。又，若應用乾式蝕刻，則該等邊緣具有被乾式蝕刻側面。 ＜光罩之製造方法＞ 本發明之光罩之製造方法之特徵在於具有如下步驟： 準備於上述透明基板上積層半透光膜、中間膜、及遮光膜而成之空白光罩； 遮光部形成步驟，其係藉由蝕刻將成為上述遮光部之區域以外之區域之遮光膜去除而形成上述遮光部； 於形成有上述遮光部之上述透明基板上形成抗蝕膜； 抗蝕圖案形成步驟，其係對上述抗蝕膜進行描繪及顯影，形成至少於上述透光部之區域具有開口之抗蝕圖案；及 半透光膜蝕刻步驟，其係藉由蝕刻將自上述抗蝕圖案露出之半透光膜去除而形成透光部； 上述半透光膜與遮光膜包含可藉由相同之蝕刻劑進行蝕刻之材料，且 於將與上述透光部及上述半透光部之各者鄰接之上述遮光部設為中間遮光部時， 於上述抗蝕圖案形成步驟中，形成具有如下尺寸之開口之抗蝕圖案，即，對於與上述中間遮光部鄰接之上述透光部之設計尺寸A(μm)，於與上述中間遮光部鄰接之邊緣側，每單側增加裕度α(μm)。 以下，利用圖2及圖3對此種光罩之製造方法進行說明。 (準備空白光罩之步驟) 首先，如圖2(a)所示，準備於透明基板1上積層半透光膜2、中間膜3、及遮光膜4而成之空白光罩。 透明基板1係石英玻璃等相對於使用光罩進行曝光時照射至光罩之曝光之光(主要包含i光線、h光線、g光線之曝光之光)實質上透明的基板。作為用於顯示裝置製造用之光罩之透明基板，較佳為主表面為一邊300～1500 mm左右之四邊形且厚度為5～13 mm左右者。 於透明基板1之一主表面成膜有半透光膜2。半透光膜2係以相對於上述曝光之光而言較佳為具有5～60%之透光率之方式調整膜質及膜厚所得的光學膜。半透光膜2之膜厚根據所期望之透光率而變化，大致可設為10～400 Å之範圍。相對於上述曝光之光而言，半透光膜2之更佳之透光率為10～50%。 半透光膜2之材料例如可設為含有Cr(鉻)、Ta(鉭)、Zr(鋯)、Si(矽)、Mo(鉬)等之膜，可自該等之化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物、碳氮氧化物等)中選擇合適者。半透光膜2之材料尤其可較佳地使用Cr之化合物。 作為其他之半透光膜材料，可使用Si之化合物(SiON等)、或過渡金屬矽化物(MoSi等)或其化合物。作為過渡金屬矽化物之化合物，可列舉氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氮氧化物等，較佳為例示MoSi之氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氮氧化物等。 作為半透光膜2之成膜方法，可使用公知之方法、例如濺鍍法等。 於本實施形態之空白光罩，於半透光膜2上成膜有中間膜3。中間膜3可設為蝕刻終止膜。即，於半透光膜2與遮光膜4為可藉由相同之蝕刻劑(例如蝕刻液)進行蝕刻之膜之情形時，可於該等膜之間介置中間膜3而具有使蝕刻停止之功能。再者，較佳為於中間膜3為發揮其他功能之膜之情形時亦同時發揮蝕刻終止膜之功能。即，較佳為構成為中間膜3相對於半透光膜2或遮光膜4之蝕刻劑具有耐受性。上述其他功能可列舉發揮導電性或絕緣性等電氣作用者、調整光之透過性或反射性等光學作用者等。 中間膜3之膜厚例如可設為100～200 Å。若為該範圍之膜厚，則對於蝕刻終止作用而言足夠。中間膜3之膜厚較理想為設定為去除中間膜3之步驟之時間不使生產效率降低之程度。 又，於中間膜3上形成有遮光膜4。遮光膜4之材料可設為含有Cr、Ta、Zr、Si、Mo等之膜，可自該等之單體或化合物(氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氮化物、碳氮氧化物等)中選擇合適者。遮光膜4之材料尤其可較佳地使用Cr或Cr之化合物。 作為遮光膜4之材料，進而可使用過渡金屬矽化物(MoSi等)或其化合物。作為過渡金屬矽化物之化合物，可列舉氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氮氧化物等，較佳為例示MoSi之氧化物、氮化物、氮氧化物、碳氮氧化物等。 該遮光膜4亦與上述半透光膜2同樣，可利用濺鍍法等公知之方法成膜。 又，遮光膜4較佳為於其表層(與透明基板1側為相反側之表層)具有反射控制層。反射控制層較佳為可設為防止光之反射之抗反射膜。又，關於反射控制層之厚度，例如若將遮光膜4整體之厚度設為1000～2000 Å、更佳為1100～1800 Å，則反射控制層可設為佔據遮光膜4之表層部分之100～400 Å、更佳為120～300 Å。反射控制層包含與遮光膜4共通之膜成分，可藉由在成膜遮光膜時使其膜成分之一部分(例如，氧、氮、碳等添加成分)於表層部分變化等而形成。 又，半透光膜2與遮光膜4包含可藉由相同之蝕刻劑進行蝕刻之材料。較佳為半透光膜2與遮光膜4均含有相同之材料。具體而言，為半透光膜2與遮光膜4含有相同之金屬或者均含有Si之情形等。例如，較佳為半透光膜2與遮光膜4均為含有Cr之膜之情形、或者為均含有同一金屬M之金屬矽化物MxSi或其化合物之情形等。 另一方面，中間膜3包含相對於半透光膜2及遮光膜4之蝕刻劑具有耐受性之材料。例如，於半透光膜2及遮光膜4均為含有Cr之膜之情形時，中間膜3可設為含有Ta、Si、Mo等之膜。又，於半透光膜2及遮光膜4均為含有Si之膜之情形時，中間膜3可設為含有Cr之膜。 以下，列舉半透光膜2與遮光膜4均為含有Cr之膜且中間膜3為含有MoSi之膜的情形為例進行說明。 半透光膜2與遮光膜4可藉由相同之蝕刻劑進行蝕刻，但對於相同蝕刻劑之蝕刻所需時間互不相同。於該情形時，較佳為半透光膜2之蝕刻所需時間與遮光膜4相比更短。例如，若以半透光膜2之蝕刻所需時間HT與遮光膜4之蝕刻所需時間OT之比進行規定，則HT：OT可設為較佳為1：3～1：20、更佳為1：5～1：10。 膜之蝕刻所需時間係指對象區域之膜之蝕刻開始後至該膜消失為止所需之時間。膜之蝕刻所需時間可根據蝕刻速率及膜厚進行調整。蝕刻速率係指藉由蝕刻劑進行蝕刻時之每單位時間之蝕刻量。蝕刻速率由構成各膜之素材之組成或膜質所決定。 於本實施形態中，對膜之蝕刻採用濕式蝕刻。於該情形時，濕式蝕刻中使用之蝕刻液成為蝕刻劑。相對於相同之蝕刻液而言，半透光膜2與遮光膜4之蝕刻速率可相同，亦可不同。例如，即便半透光膜2與遮光膜4為含有共通之金屬之膜，藉由使其他成分(例如，氧、氮、碳等成分)不同，亦能夠使對於共通之蝕刻液之蝕刻速率產生差。若半透光膜2之蝕刻速率HR與遮光膜4之蝕刻速率OR相同或者大於遮光膜4之蝕刻速率OR，則容易調整上述蝕刻所需時間之比，因而更佳。例如，OR：HR可設為1：1～1：5。另一方面，即便於根據膜材料之選擇而蝕刻速率之比(蝕刻選擇比)未必成為OR≦HR之情形時，亦能夠藉由膜厚之調整而滿足上述所需時間之比，因此，可有效地應用本發明。例如，OR：HR可為1：0.7～1：1.4，進而可為1：0.7～1：0.9。 又，遮光膜4係具有確實之遮光性者，其膜厚較佳為大於半透光膜2之膜厚。若以半透光膜2之膜厚HA與遮光膜4之膜厚OA之比進行規定，則HA：OA可設為較佳為1：2.5～1：20、更佳為1：10～1：20。可於該範圍內將半透光膜2之透過率調整為期望值。 又，將上述半透光膜2、中間膜3及遮光膜4之3層膜積層之狀態下之OD(光學密度)較佳為可設為2.5～7.5，更佳為可設為3.5～5。遮光膜4更佳為以單膜計具有3.5～5之OD。 藉由如上述般選擇膜素材與膜厚，可將半透光膜2與遮光膜4之蝕刻所需時間設為恰當之範圍。而且，如下所述，可進一步提昇CD精度。 本態樣之空白光罩亦可為除上述以外還形成有其他膜或者預先形成有標記圖案等圖案之光罩用基板或光罩中間體。 再者，本實施形態之空白光罩可設為藉由將上述3層膜積層，進而於最表面以覆蓋遮光膜4之狀態塗佈抗蝕劑而形成有抗蝕膜(第1抗蝕膜)5者(圖2(a))。抗蝕膜5例如較佳為光阻劑。抗蝕膜5可為正型光阻劑，亦可為負型光阻劑。以下，列舉抗蝕膜5為正型光阻劑之情形為例進行說明。 (第1抗蝕圖案形成步驟) 於該步驟中，如圖2(b)所示，藉由將抗蝕膜5圖案化而形成第1抗蝕圖案5a。形成第1抗蝕圖案5a時，首先，使用描繪裝置對上述附有抗蝕膜之空白光罩進行第1描繪。作為用於描繪之描繪裝置，可使用例如電子描繪裝置或雷射描繪裝置。於本實施形態中，設為使用雷射描繪裝置。 於第1描繪中，使用特定之圖案資料對抗蝕膜5進行遮光部形成用之圖案描繪。繼而，藉由將抗蝕膜5顯影而形成第1抗蝕圖案5a。第1抗蝕圖案5a係覆蓋成為遮光部14之區域之遮光膜4且使成為透光部11及半透光部12之區域之遮光膜4露出者。即，於該步驟中，藉由將成為遮光部14之區域除外而去除抗蝕膜5，而形成第1抗蝕圖案5a。 (遮光膜蝕刻步驟) 繼而，如圖2(c)所示，以第1抗蝕圖案5a為遮罩對遮光膜4進行蝕刻，藉此形成遮光膜4之圖案(以下，亦稱為「遮光膜圖案4」)。此處，由於第1抗蝕圖案5a覆蓋成為遮光部14之區域，故而藉由將該第1抗蝕圖案5a用作遮罩，而可藉由蝕刻將成為遮光部14之區域以外之區域之遮光膜4去除。於該階段，成為遮光部14之區域實質上劃定。即，藉由蝕刻而形成之遮光膜圖案4實質上形成為遮光部14。因此，該步驟相當於遮光部形成步驟。遮光膜4之蝕刻係於作為蝕刻終止膜發揮功能之中間膜3之部位停止。因此，該步驟中被蝕刻之膜僅為遮光膜4。再者，亦可於該步驟中應用乾式蝕刻，但此處，設為使用濕式蝕刻。於該情形時，可使用公知之Cr用蝕刻劑。 附帶而言，濕式蝕刻具有各向同性蝕刻之性質，因此，有藉由濕式蝕刻所形成之遮光膜圖案4之側面略微被側蝕而圖案尺寸(CD)變化之情形。因此，較佳為預先進行用於補償因側蝕所致之圖案尺寸(CD)之變化之圖案資料加工。即，較佳為預先以針對設為目標之遮光部14之尺寸B(μm)而每單側邊緣增大β(μm)的方式對描繪用之圖案資料進行加工，根據該加工後之圖案資料對抗蝕膜5進行描繪。藉此，即便於與鄰接於遮光部14之透光部11或半透光部12之邊緣部分，遮光膜圖案4之側面因側蝕而後退β(μm)，亦能夠按照設為目標之遮光部14之尺寸B形成遮光膜圖案4。再者，成為加工裕度寬度之β(μm)例如較小為0.01≦β≦0.05，又，由於可預先藉由實驗等而掌握，故而不會使光罩之CD精度變差。附帶而言，每單側邊緣為β(μm)係指針對一個鄰接部調整β(μm)之尺寸。因此，於特定寬度之遮光部14之兩側之邊緣產生上述側蝕之情形時，藉由將該遮光部14之尺寸設為B+2β而對描繪用之圖案資料進行加工即可。 (第1抗蝕圖案去除步驟) 繼而，如圖2(d)所示，完成上述遮光膜4之蝕刻之後，藉由抗蝕劑剝離等將第1抗蝕圖案5a去除。再者，第1抗蝕圖案5a之去除亦可不於該階段進行而於圖2(e)所示之步驟之後進行。 (中間膜蝕刻步驟) 繼而，如圖2(e)所示，藉由對在上述遮光膜蝕刻步驟中設為蝕刻終止膜之中間膜3進行蝕刻而形成中間膜3之圖案。於該情形時，將蝕刻液更換成適於中間膜3者。繼而，至少以遮光膜圖案4為遮罩而對中間膜3進行蝕刻。於本實施形態中，可使用公知之含有氫氟酸之蝕刻劑。 再者，中間膜3之蝕刻亦可不於該階段進行而於圖3(b)所示之步驟之後進行。於該情形時，最終形成之半透光部12之曝光之光之透光率由半透光膜2與中間膜3之積層膜決定。因此，較佳為預先調整半透光膜2與中間膜3之透光率而使曝光之光之透光率於其等之積層膜為5～60%。 (第2抗蝕膜形成步驟) 繼而，如圖3(a)所示，於透明基板1上之整面形成抗蝕膜(第2抗蝕膜)6。藉此，如上述般圖案化之遮光膜4、藉由中間膜3之蝕刻而露出之半透光膜2由抗蝕膜6覆蓋。抗蝕膜6與上述抗蝕膜5同樣，可藉由正型光阻劑而形成。 (第2抗蝕圖案形成步驟) 繼而，如圖3(b)所示，藉由將抗蝕膜6圖案化而形成第2抗蝕圖案6a。具體而言，使用與上述抗蝕膜5之情形相同之描繪裝置對抗蝕膜6進行第2描繪之後，進行顯影，藉此形成第2抗蝕圖案6a。該第2抗蝕圖案6a係於成為透光部11之區域具有開口，另一方面，至少覆蓋成為半透光部12之區域。 此時，較佳為於應用於第2描繪之圖案資料中導入用於補償與第1描繪之對準偏移之裕度。例如，於鄰接於成為上述中間遮光部14之區域之透光部11之目標尺寸(設計尺寸)為A(μm)時，較佳為預先以形成具有於該透光部11之遮光部14側之邊緣而每單側增加裕度α(μm)所得之尺寸之開口之抗蝕圖案6a的方式，對應用於第2描繪之圖案資料進行加工。於該情形時，裕度α之值可根據因描繪步驟(尤其是2次描繪)引起之對準偏移之上限值而決定。具體而言，裕度α之值較佳為以0.5≦α之條件設定。又，裕度α之上限值較佳為相對於鄰接之中間遮光部14之目標尺寸B(μm)以α≦(B-0.5)之條件設定。 又，於與上述中間遮光部14鄰接之半透光部12之目標尺寸為C(μm)時，較佳為預先以形成於該半透光部12之遮光部14側之邊緣而每單側增加裕度γ(μm)所得之尺寸之抗蝕圖案6a的方式，對應用於第2描繪之圖案資料進行加工。於該情形時，裕度γ之值較佳為以0.5≦γ之條件設定。又，裕度γ之值較佳為相對於鄰接之中間遮光部14之目標尺寸B(μm)以γ≦(B-0.5)之條件設定。 又，關於裕度α、γ之各值，除上述條件以外，例如，亦可更簡便地以0.5≦α≦1.0或0.5≦γ≦1.0之條件設定。 (半透光膜蝕刻步驟) 繼而，如圖3(c)所示，對半透光膜2進行蝕刻。具體而言，再次使用Cr用之蝕刻劑，對半透光膜2進行濕式蝕刻。此時，可使用與上述遮光膜4之蝕刻劑相同之Cr系膜用之蝕刻劑。藉此，藉由蝕刻將自第2抗蝕圖案6a露出之半透光膜2去除。即，藉由蝕刻將透明基板1上之半透光膜2去除，藉此，透明基板1之一部分露出，該露出部分形成為透光部11。再者，於未在上述中間膜蝕刻步驟中進行中間膜3之蝕刻之情形時，於本步驟中進行半透光膜2之蝕刻之前，藉由蝕刻將露出之中間膜3去除。 此處，半透光膜2與遮光膜4較佳為對於相同蝕刻劑之蝕刻所需時間設定為如下。即，較佳為半透光膜2之蝕刻所需時間HT(sec)設定為與遮光膜4之蝕刻所需時間OT(sec)相比足夠短。例如，若以半透光膜2之蝕刻所需時間HT與遮光膜4之蝕刻所需時間OT之比進行規定，則較理想為以HT：OT較佳為1：3～1：20、更佳為1：5～1：10之方式設定各者之蝕刻所需時間。 藉由如此般設定半透光膜2之蝕刻所需時間HT與遮光膜4之蝕刻所需時間OT之關係，可於半透光膜2之蝕刻步驟中抑制遮光膜4之露出部分之遮光膜4之損傷。但是，遮光膜4之上表面之表層由於一部分未由抗蝕圖案6a覆蓋而露出，故而有該部分會因蝕刻而受到損傷，而膜厚與成膜時相比略微減少之情形。因此，較理想為預先調整遮光膜4之遮光性(光學密度：OD)，以即便於因蝕刻而受到損傷之遮光膜4之部分亦能夠保持足以作為遮光部14之遮光性。具體而言，可將遮光膜4之成膜時(空白光罩之階段)之光學密度(OD)設為較佳為2.5～7.5、更佳為3.5～5，進而較佳為遮光膜4單獨設為3.5～5。 又，於遮光膜4之表層存在反射控制層之情形時，有該反射控制層局部受到損傷之情形。因此，會產生與最初(空白光罩之階段)之表面反射率不同之情形。例如，若成膜時之遮光膜4之表面反射率(相對於描繪光)為10～15%，則有可能受到蝕刻之損傷之部分之反射率上升15～20%左右。因此，於抑制因蝕刻之損傷引起之反射率之上升之方面，較佳為將反射控制層之層厚設為100～400 Å。再者，反射控制層之功能一般設為具有對於描繪時之描繪光之反射控制功能、及對於光罩使用時之曝光之光之反射控制功能。但是，由發明者之研究確認到，就較高地維持圖案之CD精度之用意而言，前者之功能所產生之效果更大，實質上不產生因上述損傷所致之曝光時之弊端。 再者，藉由如上述般考慮半透光膜2與遮光膜4之蝕刻時間比，而可使於遮光膜4之側面產生之側蝕極少。因此，遮光部之尺寸實質上不變化。關於該方面，與上述圖2(c)之步驟中所提及之情形同樣。實質上不變化係指即便於產生變化之情形時，亦為0.1 μm以下、更佳為0.05 μm以下。於該情形時，為了進一步減小因遮光膜4之側面之微小損傷所致之尺寸變化，亦可對上述裕度β附加進一步之裕度等預先藉由圖案資料之加工而進行補償。尺寸變化量可預先進行推算，因此，即便進行圖案資料之加工，亦確保最終之圖案之尺寸精度。又，亦可藉由使遮光膜4之組成於膜厚方向變化而使自側面進行之蝕刻之影響較自表面進行之蝕刻之影響小。 (第2抗蝕圖案去除步驟) 繼而，如圖3(d)所示，完成上述半透光膜2之蝕刻之後，藉由抗蝕劑剝離等將第2抗蝕圖案6a去除。 藉由以上步驟，完成本發明之實施形態之光罩(圖1)。於該光罩之製造方法中，於1個蝕刻步驟中成為藉由蝕刻而去除之對象之膜均為1個，不存在於1個蝕刻步驟中將2個以上之膜連續地藉由相同之蝕刻液而蝕刻去除的情況。 ＜光罩之詳細構成＞ 如圖1所示，本發明之實施形態之光罩所具備之轉印用圖案具備遮光部14、半透光部12、及透光部11，且包含與透光部11及半透光部12之各者鄰接之遮光部14。 遮光部14係由形成於透明基板1上之半透光膜2、中間膜3、及遮光膜4所構成。半透光部12係由形成於透明基板1上之半透光膜2所構成。但是，半透光部12亦會有如上述製造方法中所說明般由形成於透明基板1上之半透光膜2與中間膜3之積層膜構成的情形。透光部11係藉由透明基板1之表面局部露出而構成。 但是，將與透光部11及半透光部12之各者鄰接之遮光部14設為中間遮光部14時，於該中間遮光部14，於鄰接於透光部11之邊緣側形成有與鄰接於半透光部12之邊緣側相比遮光膜4之膜厚較小之區域(以下，稱為「凹部」)4a。該凹部4a係於上述半透光膜蝕刻步驟中形成。即，凹部4a係構成中間遮光部14之遮光膜4之表面因蝕刻劑而局部損傷而膜厚減少的部分。因此，於遮光膜4之表面形成因相對之膜厚差而產生之階差4b，以該階差4b為邊界，於與透光部11鄰接之邊緣側形成凹部4a。凹部4a係沿著遮光部14之透光部11側之邊緣以固定寬度α1(μm)形成。此處記述之α1係對應於為了應對上述對準偏移而導入之裕度α，最終形成於光罩之凹部4a之寬度(實際尺寸)。該α1較佳為0.2≦α1。又，以遮光膜4之最表面為基準之凹部4a之深度E可設為較佳為50～200 Å、更佳為70～150 Å。又，因凹部4a之存在而膜厚減少之遮光膜4之光學密度(OD)較佳為單獨具有3以上之遮光性。又，若將對應於作為應對因上述側蝕引起之尺寸變化所導入之裕度β而最終形成於光罩之中間遮光部14之尺寸設為B1(μm)，則該尺寸B1較佳為設為α1≦(B1-0.2)。 又，於空白光罩中在遮光膜4之表層形成有反射控制層之情形時，因由凹部4a引起之遮光膜4之膜厚減少而導致反射控制層之光學功能降低。因此，中間遮光部14之凹部4a之對於曝光之光代表波長之反射率變得較空白光罩之遮光膜4表面之反射率大。 半透光部12之曝光之透光率較佳為5～60%左右，更佳為10～50%。此處記述之曝光之光可設為包含i光線、h光線、g光線之寬波長光源所產生者、或選擇性地使用其中之任一種者。上述曝光之光透過率設為對於i光線、h光線、g光線中之任一者之代表波長之透過率。又，半透光膜2於i光線～g光線之波長區域之透光率之偏差(將對於i光線之透過率設為Ti且將對於g光線之透過率設為Tg時，Ti與Tg之差之絕對值)較佳為1～8%。 又，半透光部12所具有之曝光之光之相位偏移量較佳為90度以下，更佳為5～60度。該情形時之相位偏移量亦設為相對於上述選擇波長者。 又，作為半透光部12所具有之曝光之光之相位偏移量，亦可設為150～210度。於該情形時，半透光部12藉由使曝光之光之相位反轉而有助於利用光之干涉之解像性提昇或焦點深度之增大。 於本發明之實施形態之光罩中具有於半透光膜2上形成中間膜(蝕刻終止膜)3而成之半透光部12的情形時，於其等之積層膜具有上述光學特性。但是，較佳為將半透光膜2上之中間膜3去除。即，較佳為半透光膜2單獨滿足上述光學特性。 ＜顯示裝置之製造方法＞ 本發明之實施形態之光罩用於製造顯示裝置時。於該情形時，顯示裝置之製造方法具有準備上述光罩之步驟、及使用曝光裝置將上述光罩所具備之轉印用圖案轉印至被轉印體上之步驟。 ＜參考例＞ 圖4係表示參考例之光罩之一構成例之圖，(a)係俯視圖，(b)係(a)之X2-X2剖視圖。 圖示之光罩係具有轉印用圖案之光罩，該轉印用圖案係藉由將形成於透明基板51上之半透光膜52及遮光膜54分別圖案化而形成，且具備透光部61、半透光部62及遮光部64。該光罩所具有之轉印用圖案具有透光部61與遮光部64鄰接之部分、透光部61與半透光部62鄰接之部分、及半透光部62與遮光部64鄰接之部分。 以下，對參考例之光罩之製造方法進行說明。 (準備空白光罩之步驟) 首先，如圖5(a)所示，準備於透明基板51上積層半透光膜52、中間膜53、及遮光膜54而成之空白光罩。預先於該空白光罩以覆蓋遮光膜54之方式形成抗蝕膜(第1抗蝕膜)55。 (抗蝕圖案形成步驟) 繼而，如圖5(b)所示，藉由將抗蝕膜55圖案化而形成第1抗蝕圖案55a。形成第1抗蝕圖案55a時，首先，使用描繪裝置對上述附有抗蝕膜之空白光罩進行第1描繪，繼而進行顯影，藉此形成第1抗蝕圖案55a。 (遮光膜之第1蝕刻步驟) 繼而，如圖5(c)所示，藉由以第1抗蝕圖案55a為遮罩對遮光膜54進行蝕刻，而形成遮光膜54之圖案(第1遮光膜圖案)。遮光膜54之蝕刻係使用Cr用之蝕刻劑。 (中間膜之第1蝕刻步驟) 繼而，如圖5(d)所示，更換蝕刻劑而對中間膜53進行蝕刻。 (半透光膜蝕刻步驟) 繼而，如圖5(e)所示，再次將蝕刻劑更換為Cr用之蝕刻劑而對半透光膜52進行蝕刻，藉此形成成為透光部61(圖4)之部分(開口)。 (第1抗蝕圖案去除步驟) 繼而，如圖5(f)所示，藉由抗蝕劑剝離等將第1抗蝕圖案55a去除。 (第2抗蝕膜形成步驟) 繼而，如圖6(a)所示，於透明基板51上之整面形成抗蝕膜(第2抗蝕膜)56。藉此，如上述般圖案化之遮光膜54被抗蝕膜56覆蓋。 (第2抗蝕圖案形成步驟) 繼而，如圖6(b)所示，藉由將抗蝕膜56圖案化而形成第2抗蝕圖案56a。具體而言，使用與上述抗蝕膜55之情形相同之描繪裝置對抗蝕膜56進行第2描繪之後，進行顯影，藉此形成第2抗蝕圖案56a。第2抗蝕圖案56a係藉由在下一步驟中以第2抗蝕圖案56a為遮罩將遮光膜54進一步圖案化，而劃分遮光部61與半透光部62之區域。 (遮光膜之第2蝕刻步驟) 繼而，如圖6(c)所示，以第2抗蝕圖案56a為遮罩而對露出之部分之遮光膜54進行蝕刻，藉此形成遮光膜54之圖案(第2遮光膜圖案)。遮光膜54之蝕刻係使用Cr用之蝕刻劑。於該蝕刻步驟中用作遮罩之第2抗蝕圖案56a會於與上述圖5(b)～(f)之過程中形成之圖案之間相互產生對準偏移，但無法完全防止該對準偏移。因此，成為使半透光部62與遮光部64之CD精度或座標精度變差之因素。 又，於遮光膜54之蝕刻中，半透光膜52之側面成為露出狀態，因此，自此處進行側蝕。因此，規定半透光部62之邊緣之半透光膜52之側面後退尺寸δ。因此，為了補償該尺寸變化，必須於上述圖5(b)之第1描繪之階段將第1抗蝕圖案55a之開口尺寸設為相較透光部61之目標尺寸D(參照圖4)減去後退量所得之尺寸。即，如圖5(b)所示，關於目標尺寸D之開口，必須以按照(D-2δ)之尺寸形成第1抗蝕圖案55a之方式對描繪用之圖案資料進行加工。 (中間膜之第2蝕刻步驟) 繼而，如圖6(d)所示，藉由蝕刻將於第2抗蝕圖案56a之開口部分露出之中間膜53去除。 (第2抗蝕圖案去除步驟) 繼而，如圖6(e)所示，藉由抗蝕劑剝離等將第2抗蝕圖案56a去除。藉此，完成上述圖4所示之光罩。 利用以上之製造方法獲得之光罩如上所述，有因2次描繪之相互間產生之對準偏移而導致半透光部62與遮光部64之CD精度及座標精度變差的傾向。進而，於上述圖6(c)之步驟中於半透光膜52之側面產生之側蝕之影響亦變大。多數情形時，因遮光膜54之膜厚相對較大等原因而導致遮光膜54之蝕刻所需時間與半透光膜52之蝕刻所需時間相比相當地長。如此一來，於在上述圖6(c)之步驟中對遮光膜54進行蝕刻之期間，半透光膜52之側面被大面積側蝕。因此，擔心如下不良情況，即，規定半透光部62之邊緣之半透光膜52之側蝕寬度(後退寬度)變大，並且面內之CD偏差擴大。即，僅藉由上述描繪用之圖案資料之加工，無法補償因側蝕引起之CD精度變差。 另一方面，於使用液晶或有機EL之顯示裝置之製造中，微細化之圖案、及對層間之重疊造成較大影響之CD精度與座標精度之要求極高。可認為對於此種要求而言，本發明之實施形態之光罩之製造方法、及藉由該製造方法所獲得之光罩之意義非常大。 確認到利用本發明之實施形態之製造方法所製造之多階光罩之遮光部14(圖1)之尺寸精度極高。其原因在於，於上述實施形態之製造方法中，不需要如參考例般之遮光膜之第2蝕刻步驟(伴隨半透光膜之側蝕之遮光膜之長時間之蝕刻)，除此以外，遮光部之尺寸藉由第1描繪而實質上劃定。於該第1描繪時，較佳為可使用於表層具有反射控制層之遮光膜進行。 再者，於不損及本發明之效果之範圍內，除半透光膜2及遮光膜4以外，亦可進一步設置光學膜或功能膜(蝕刻終止膜等)。 又，本發明之光罩並不特別限制用途。又，本發明之光罩可為能夠於使用該光罩最終欲獲得之電子器件之製造過程中進行複數次蝕刻製程的所謂多階光罩，又，亦可為使解像度或焦點深度有利之半色調型相位偏移光罩。 又，本發明之光罩如上所述具備包含透光部11、半透光部12及遮光部14之轉印用圖案。於將該光罩用作多階光罩之情形時，藉由通過該光罩對被轉印體上之光阻膜進行曝光而將光罩之轉印用圖案轉印至被轉印體。其結果，可藉由將經圖案轉印之光阻膜顯影而以1次曝光形成具有特定之立體形狀之抗蝕圖案。即，藉由使透過構成轉印用圖案之透光部11及半透光部12之曝光量互不相同，而於被轉印體上形成抗蝕劑殘膜量互不相同之部分，藉此，可形成具有階差之抗蝕圖案。此種多階光罩主要有利地利用於顯示裝置之製造。其原因在於，多階光罩由於具有相當於2片光罩之功能，故而於顯示裝置之生產效率或成本方面優點較大。 如此，本發明之光罩可較佳地用於使用作為LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)用或FPD(Flat Panel Display，平板顯示器)用而眾所周知之曝光裝置之曝光。作為此種曝光裝置，使用投影曝光裝置，該投影曝光裝置例如使用包含i光線、h光線、g光線之曝光之光，且具有數值孔徑(NA：Numerical Aperture)為0.08～0.15、同調因子(σ)為0.7～0.9左右之等倍光學系統。當然，本發明之光罩(多階光罩)亦可用作接近式曝光用之光罩。 本發明之光罩尤其用於製造包含液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等之顯示裝置而較佳。又，本發明之光罩可用於形成該等顯示裝置之各種部位(接觸孔、薄膜電晶體之S(Source，源極)/D(Drain，汲極)層、彩色濾光片之感光性間隔件用層等)。又，本發明之光罩尤其可較佳地應用於具有包含鄰接於遮光部而被包圍之透光部之轉印用圖案者、或具有包含鄰接於半透光部而被包圍之透光部之轉印用圖案者。進而，亦可應用於具有具備鄰接於遮光部而被包圍之半透光部之轉印用圖案者。 又，本發明之光罩可於發揮本發明之作用效果之範圍內具有追加之膜或膜圖案。例如，亦可於透明基板之正面(轉印用圖案面)側或背面側配置光學濾光片膜或導電膜、絕緣膜或抗反射膜等。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧半透光膜
3‧‧‧中間膜
4‧‧‧遮光膜
4a‧‧‧凹部
4b‧‧‧階差
5‧‧‧抗蝕膜(第1抗蝕膜)
5a‧‧‧第1抗蝕圖案
6‧‧‧抗蝕膜(第2抗蝕膜)
6a‧‧‧第2抗蝕圖案
11‧‧‧透光部
12‧‧‧半透光部
14‧‧‧遮光部
51‧‧‧透明基板
52‧‧‧半透光膜
53‧‧‧中間膜
54‧‧‧遮光膜
55‧‧‧抗蝕膜
55a‧‧‧第1抗蝕圖案
56‧‧‧抗蝕膜
56a‧‧‧第2抗蝕圖案
61‧‧‧透光部
62‧‧‧半透光部
64‧‧‧遮光部
A‧‧‧設計尺寸
B‧‧‧尺寸
C‧‧‧目標尺寸
D‧‧‧目標尺寸
E‧‧‧深度
圖1係表示本發明之實施形態之光罩之一構成例之圖，(a)係俯視圖，(b)係(a)之X1-X1剖視圖。 圖2(a)～(e)係說明本發明之實施形態之光罩之製造方法之一例的圖(其一)。 圖3(a)～(d)係說明本發明之實施形態之光罩之製造方法之一例的圖(其二)。 圖4係表示參考例之光罩之一構成例之圖，(a)係俯視圖，(b)係(a)之X2-X2剖視圖。 圖5(a)～(f)係說明參考例之光罩之製造方法之圖(其一)。 圖6(a)～(e)係說明參考例之光罩之製造方法之圖(其二)。

Claims (20)

  1. 一種光罩之製造方法，其特徵在於：其係具有轉印用圖案之光罩之製造方法，該轉印用圖案係藉由將形成於透明基板上之遮光膜及半透光膜分別圖案化而形成，且具備遮光部、半透光部、及透光部，上述轉印用圖案包含與上述透光部及上述半透光部之各者鄰接之上述遮光部，該光罩之製造方法具有如下步驟：準備於上述透明基板上積層半透光膜、中間膜、及遮光膜而成之空白光罩；遮光部形成步驟，其係藉由蝕刻將成為上述遮光部之區域以外之區域之遮光膜去除而形成上述遮光部；於形成有上述遮光部之上述透明基板上形成抗蝕膜；抗蝕圖案形成步驟，其係對上述抗蝕膜進行描繪及顯影，形成至少於上述透光部之區域具有開口之抗蝕圖案；及半透光膜蝕刻步驟，其係藉由蝕刻將自上述抗蝕圖案露出之半透光膜去除而形成透光部；於上述空白光罩中，上述半透光膜與上述遮光膜之膜厚比為1：2.5~1：20；上述半透光膜與遮光膜包含可藉由相同之蝕刻劑進行蝕刻之材料，且於將與上述透光部及上述半透光部之各者鄰接之上述遮光部設為中間遮光部時，於上述抗蝕圖案形成步驟中，形成具有如下尺寸之開口之抗蝕圖案，即，對於與上述中間遮光部鄰接之上述透光部之設計尺寸A(μm)，於與上述中間遮光部鄰接之邊緣側，每單側增加裕度α(μm)。
  2. 如請求項1之光罩之製造方法，其中於上述遮光部形成步驟中進行上述遮光膜之蝕刻之後，進行上述中間膜之蝕刻。
  3. 如請求項1之光罩之製造方法，其中上述半透光膜與上述遮光膜對於相同蝕刻劑之蝕刻所需時間之比為1：3~1：20。
  4. 如請求項1之光罩之製造方法，其中於上述轉印用圖案中，於上述中間遮光部之鄰接於上述透光部之邊緣側，形成有與鄰接於上述半透光部之邊緣側相比上述遮光膜之膜厚較小之凹部。
  5. 如請求項4之光罩，其中上述凹部之深度為50~200Å。
  6. 如請求項4之光罩，其中上述中間遮光部之上述凹部之對於曝光之光代表波長之反射率較上述空白光罩之上述遮光膜表面之反射率大。
  7. 如請求項1之光罩之製造方法，其中於上述空白光罩中，將上述半透光膜、上述中間膜及上述遮光膜積層之狀態下之光學密度(OD)為2.5~7.5。
  8. 如請求項1之光罩之製造方法，其中於上述空白光罩中，於上述遮光膜之表層具有反射控制層。
  9. 如請求項1之光罩之製造方法，其中上述半透光膜及上述遮光膜之蝕刻為濕式蝕刻。
  10. 如請求項1之光罩之製造方法，其中上述半透光膜及上述遮光膜含有Cr或Cr之化合物。
  11. 如請求項1之光罩之製造方法，其中上述半透光膜及上述遮光膜含有金屬矽化物MxSi或其化合物。
  12. 如請求項1之光罩之製造方法，其中上述中間膜相對於上述半透光膜及上述遮光膜之蝕刻劑具有耐受性。
  13. 如請求項1至12中任一項之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案具有鄰接於上述遮光部而被包圍之透光部。
  14. 如請求項1至12中任一項之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案具有鄰接於上述半透光部而被包圍之透光部。
  15. 如請求項1至12中任一項之光罩之製造方法，其中上述轉印用圖案為顯示裝置製造用。
  16. 一種光罩，其特徵在於：其係具有轉印用圖案者，該轉印用圖案係藉由將形成於透明基板上之遮光膜及半透光膜分別圖案化而形成，且具備遮光部、半透光部、及透光部，上述轉印用圖案包含與上述透光部及上述半透光部之各者鄰接之上述遮光部，於上述遮光部，於上述透明基板上形成半透光膜、中間膜、及遮光膜，於上述半透光部，於上述透明基板上形成上述半透光膜、或上述半透光膜與中間膜，於上述透光部，上述透明基板之表面露出，上述遮光膜與上述半透光膜包含可藉由相同之蝕刻劑進行蝕刻之材料，且於將與上述透光部及上述半透光部之各者鄰接之上述遮光部設為中間遮光部時，於上述中間遮光部，於鄰接於上述透光部之邊緣側，形成有與鄰接於上述半透光部之邊緣側相比上述遮光膜之膜厚較小之凹部，上述凹部之深度為50~200Å。
  17. 如請求項16之光罩，其中上述中間遮光部之上述凹部之對於曝光之光代表波長之反射率較上述遮光膜表面之反射率大。
  18. 如請求項16或17之光罩，其中上述轉印用圖案具有鄰接於上述遮光部而被包圍之透光部。
  19. 如請求項16或17之光罩，其中上述轉印用圖案具有鄰接於上述半透光部而被包圍之透光部。
  20. 一種顯示裝置之製造方法，其具有如下步驟：準備如請求項16或17之光罩；及使用曝光裝置，將上述光罩所具備之轉印用圖案轉印至被轉印體上。
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