JP2008185970A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 被加工膜上に、複数のホールパターンが密集した密集ホールパターンを有するマスク層を第１のポジ型フォトレジストにより形成する工程と、
   前記第１のポジ型フォトレジストによる前記マスク層を固化させる工程と、
   前記密集ホールパターンの複数の前記ホールパターンの各々を埋め込むように前記第１のポジ型フォトレジストによる前記マスク層上に第２のポジ型フォトレジストを形成する工程と、
   前記第２のポジ型フォトレジストに、前記密集ホールパターンの前記ホールパターンに一致する仮想格子を備えるハーフトーン位相シフトマスクを用いて前記密集ホールパターンの前記ホールパターンにあたる箇所のいずれかに暗点像を投影し露光する工程と、
   露光された前記第２のポジ型フォトレジストを現像することにより、前記第２のポジ型フォトレジストの前記暗点像部分に形成されるドットパターンを前記マスク層の複数の前記ホールパターンのいずれかの内部に残す工程と、
   前記マスク層と前記第２のポジ型フォトレジストに形成された前記ドットパターンとをマスクとして、前記被加工膜をパターニングする工程とを備えた、パターンの形成方法。
2. 前記ハーフトーン位相シフト膜の光透過率が１５％以上２５％以下であり、
   前記ドットパターン部に形成される前記ハーフトーン位相シフト膜の開口部の寸法が、露光光の波長λ／開口数ＮＡを１とした計測で０．２６以上０．４５以下であることを特徴とする、請求項１に記載のパターンの形成方法。
3. 前記第１のポジ型フォトレジストに前記密集ホールパターンを形成するための露光は、ハーフトーン位相シフトマスクを用いて行われることを特徴とする、請求項１または２に記載のパターンの形成方法。
4. 前記第１のポジ型フォトレジストに前記密集ホールパターンを形成するための露光は、変形照明を用いて行われることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のパターンの形成方法。
5. 前記変形照明は、クロスポール照明および４重極照明のいずれかであることを特徴とする、請求項４に記載のパターンの形成方法。
6. 前記第２のポジ型フォトレジストに前記ドットパターンを形成するための露光は、変形照明を用いて行われることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のパターンの形成方法。
7. 前記変形照明は、クロスポール照明であることを特徴とする、請求項６に記載のパターンの形成方法。
8. 請求項１〜７のいずれかのパターン形成方法により電子デバイスを製造することを特徴とする、電子デバイスの製造方法。
9. 請求項８に記載の方法により製造されることを特徴とする、電子デバイス。
10. 被加工膜を有し、かつ前記被加工膜には、平面視において複数の縦線と複数の横線とが交差する格子を仮想したときに、前記複数の縦線と前記複数の横線とが交差する複数の交点のうち任意の交点にホールパターンが形成されていることを特徴とする、請求項９に記載の電子デバイス。