TW201831986A - 光罩及其製造方法以及曝光方法 - Google Patents

Abstract

一種光罩，包括透明基板、擋光層、至少一個第一濾光圖案與至少一個第二濾光圖案。擋光層設置於透明基板上，且具有交替排列的至少一個第一開口與至少一個第二開口。第一濾光圖案設置於第一開口中，且只允許具有第一波長的第一光線通過。第二濾光圖案設置於第二開口中，且只允許具有第二波長的第二光線通過。第一波長與第二波長為不同波長。

Description

光罩及其製造方法以及曝光方法

本發明是有關於一種光罩及其製造方法以及曝光方法，且特別是有關於一種具有高曝光解析度的光罩及其製造方法以及曝光方法。

在半導體製程中，微影技術(photolithography)扮演著舉足輕重的角色，其中曝光解析度(resolution)是微影品質的重要指標。一般在進行曝光時，光源所發出的光線會通過光罩上的透光區而照射到光阻層，進而在光阻層上形成曝光圖案。

在半導體元件不斷地微縮的趨勢下，在光阻層上所形成的曝光圖案之間距離也不斷地縮小，因此光罩上用以形成曝光圖案的透光區之間的距離也隨著縮小。然而，當光罩上用以形成曝光圖案的透光區之間的距離太近時，光線在穿過光罩的透光區之後會產生干涉(interference)，而使得曝光解析度降低，甚至會導致曝光失敗的情況產生。

本發明提供一種光罩，其可具有較佳的曝光解析度。

本發明提供一種光罩的製造方法，其可製作出具有較佳曝光解析度的光罩。

本發明提供一種曝光方法，其可有效地提高的曝光解析度。

本發明提出一種光罩，包括透明基板、擋光層、至少一個第一濾光圖案與至少一個第二濾光圖案。擋光層設置於透明基板上，且具有交替排列的至少一個第一開口與至少一個第二開口。第一濾光圖案設置於第一開口中，且只允許具有第一波長的第一光線通過。第二濾光圖案設置於第二開口中，且只允許具有第二波長的第二光線通過。第一波長與第二波長為不同波長。

依照本發明的一實施例所述，在上述光罩中，第一濾光圖案與第二濾光圖案的材料例如分別是多層膜。多層膜包括交替堆疊設置的至少一層高折射率層與至少一層低折射率層，且多層膜的最上層與最下層分別為高折射率層。多層膜更包括至少一層中折射率層。中折射率層位於高折射率層與低折射率層之間。

依照本發明的一實施例所述，在上述光罩中，擋光層更具有至少一個第三開口。第一開口、第二開口與第三開口交替排列。光罩更包括至少一層第三濾光圖案。第三濾光圖案設置於第三開口中，且只允許具有第三波長的第三光線通過。第一波長、第二波長與第三波長為不同波長。

依照本發明的一實施例所述，在上述光罩中，第三濾光圖案的材料例如是多層膜。多層膜包括交替堆疊設置的至少一層高折射率層與至少一層低折射率層，且多層膜的最上層與最下層分別為高折射率層。多層膜更包括至少一層中折射率層。中折射率層位於高折射率層與低折射率層之間。

依照本發明的一實施例所述，在上述光罩中，光罩可為二元式光罩(binary mask)或相移式光罩(phase-shift mask，PSM)。

本發明提出一種光罩的製造方法，包括以下步驟。在透明基板上形成擋光層。擋光層具有交替排列的至少一個第一開口與至少一個第二開口。於第一開口中形成第一濾光圖案。第一濾光圖案只允許具有第一波長的第一光線通過。於第二開口中形成第二濾光圖案。第二濾光圖案只允許具有第二波長的第二光線通過。第一波長與第二波長為不同波長。

依照本發明的一實施例所述，在上述光罩的製造方法中，第一濾光圖案的形成方法包括以下步驟。在擋光層上形成圖案化光阻層。圖案化光阻層暴露出第一開口。形成填滿第一開口的第一濾光層。移除圖案化光阻層。

依照本發明的一實施例所述，在上述光罩的製造方法中，第二濾光圖案的形成方法包括以下步驟。在擋光層上形成圖案化光阻層。圖案化光阻層暴露出第二開口。形成填滿第二開口的第二濾光層。移除圖案化光阻層。

依照本發明的一實施例所述，在上述光罩的製造方法中，擋光層上更具有至少一個第三開口。第一開口、第二開口與第三開口交替排列。光罩的製造方法更包括於第三開口中形成第三濾光圖案。第三濾光圖案只允許具有第三波長的第三光線通過。第一波長、第二波長與第三波長為不同波長。

依照本發明的一實施例所述，在上述光罩的製造方法中，第三濾光圖案的形成方法包括以下步驟。在擋光層上形成圖案化光阻層。圖案化光阻層暴露出第三開口。形成填滿第三開口的第三濾光層。移除圖案化光阻層。

本發明提出一種曝光方法，包括以下步驟。提供光阻層。提供光源。光源同時發射出具有第一波長的第一光線與具有第二波長的第二光線，且第一波長與第二波長為不同波長。提供光罩。光罩包括透明基板、擋光層、至少一個第一濾光圖案與至少一個第二濾光圖案。擋光層設置於透明基板上，且具有交替排列的至少一個第一開口與至少一個第二開口。第一濾光圖案設置於第一開口中，且只允許具有第一波長的第一光線通過。第二濾光圖案設置於第二開口中，且只允許具有第二波長的第二光線通過。以光源照射光罩，使第一光線通過第一濾光圖案而照射到光阻層，且同時使第二光線通過第二濾光圖案而照射到光阻層。

依照本發明的一實施例所述，在上述曝光方法中，光源更可發射出具有第三波長的第三光線，且第一波長、第二波長與第三波長為不同波長。擋光層更可具有至少一個第三開口。第一開口、第二開口與第三開口交替排列。光罩更包括設置於第三開口中的第三濾光圖案。第三濾光圖案只允許具有第三波長的第三光線通過。

依照本發明的一實施例所述，在上述曝光方法中，以光源照射光罩的步驟更包括使第三光線通過第三濾光圖案而照射到光阻層。

基於上述，本發明所提出的光罩具有交替排列的第一濾光圖案與第二濾光圖案，且第一濾光圖案只允許具有第一波長的第一光線通過，第二濾光圖案只允許具有第二波長的第二光線通過。由於第一波長與第二波長為不同波長，所以通過第一濾光圖案的第一光線與通過第二濾光圖案的第二光線不會產生干涉，因此可縮小單次曝光製程中的關鍵尺寸(critical dimension，CD)，進而可使得本發明所提出的光罩具有較佳的曝光解析度。

此外，藉由本發明所提出的光罩的製造方法可製作出具有較佳曝光解析度的光罩。

另外，由於本發明所提出的曝光方法是使用上述光罩進行曝光製程，因此可有效地提高的曝光解析度。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A至圖1G為本發明一實施例的光罩的製造流程立體示意圖。圖2為圖1中的濾光層的剖面示意圖。圖3為圖1中的濾光層的剖面示意圖。

請參照圖1A，在透明基板100上形成擋光層102。擋光層102具有交替排列的至少一個開口104與至少一個開口106。透明基板100的材料例如是石英。擋光層102的材料例如是Cr、MoSi或其組合。擋光層102的形成方法例如是物理氣相沉積法。開口104與開口106的形成方法例如是對擋光層102進行圖案化製程。開口104與開口106分別可暴露出透明基板100。在此實施例中，開口104的數量與開口106的數量分別是以多個為例來進行說明。

請參照圖1B，在擋光層102上形成圖案化光阻層108。圖案化光阻層108暴露出開口104。圖案化光阻層108的材料可為正光阻材料或負光阻材料。圖案化光阻層108例如是藉由微影製程所形成。

請參照圖1C，形成填滿開口104的濾光層110。濾光層110的材料例如是多層膜。濾光層110的形成方法例如是物理氣相沉積法，如蒸鍍法。

舉例來說，請參照圖2，當濾光層110的材料為多層膜時，多層膜可包括交替堆疊設置的至少一層高折射率層112與至少一層低折射率層114，且多層膜的最上層與最下層分別為高折射率層112。此外，多層膜更可包括至少一層中折射率層116。中折射率層116位於高折射率層112與低折射率層114之間。在此實施例中，高折射率層112的數量、低折射率層114的數量與中折射率層116的數量分別是以多層為例來進行說明。

請參照圖1D，移除圖案化光阻層108，而於開口104中形成濾光圖案110a。濾光圖案110a只允許具有第一波長的第一光線通過。詳細來說，在移除圖案化光阻層108時，會同時移除位於圖案化光阻層108上的濾光層110，而由留在開口104中的濾光層110形成濾光圖案110a。圖案化光阻層108的移除方法例如是乾式去光阻法或濕式去光阻法。在此實施例中，濾光圖案110a雖然是藉由剝離法來形成，但本發明並不以此為限。

請參照圖1E，在擋光層102上形成圖案化光阻層118。圖案化光阻層118暴露出開口106。圖案化光阻層118的材料可為正光阻材料或負光阻材料。圖案化光阻層118例如是藉由微影製程所形成。

請參照圖1F，形成填滿開口106的濾光層120。濾光層120的材料例如是多層膜。濾光層120的形成方法例如是物理氣相沉積法，如蒸鍍法。

舉例來說，請參照圖3，當濾光層120的材料為多層膜時，多層膜可包括交替堆疊設置的至少一層高折射率層122與至少一層低折射率層124，且多層膜的最上層與最下層分別為高折射率層122。此外，多層膜更可包括至少一層中折射率層126。中折射率層126位於高折射率層122與低折射率層124之間。在此實施例中，高折射率層122的數量、低折射率層124的數量與中折射率層126的數量分別是以多層為例來進行說明。

請參照圖1G，移除圖案化光阻層118，而於開口106中形成濾光圖案120a。濾光圖案120a只允許具有第二波長的第二光線通過。第一波長與第二波長為不同波長。詳細來說，在移除圖案化光阻層118時，會同時移除位於圖案化光阻層118上的濾光層120，而由留在開口106中的濾光層120形成濾光圖案120a。圖案化光阻層118的移除方法例如是乾式去光阻法或濕式去光阻法。在此實施例中，濾光圖案120a雖然是藉由剝離法來形成，但本發明並不以此為限。

以下，藉由圖1G來說明光罩MK1的結構。光罩MK1可為二元式光罩或相移式光罩(如，衰減相移式光罩(attenuated phase-shift mask，AttPSM))。

請參照圖1G，光罩MK1包括透明基板100、擋光層102、至少一個濾光圖案110a與至少一個濾光圖案120a。擋光層102設置於透明基板100上，且具有交替排列的至少一個開口104與至少一個開口106。濾光圖案110a設置於開口104中，且只允許具有第一波長的第一光線通過。濾光圖案120a設置於開口106中，且只允許具有第二波長的第二光線通過。第一波長與第二波長為不同波長。此外，關於光罩MK1的各構件的材料、特性、形成方法與配置方式已於上述實施例中進行詳盡地說明，於此不再重複說明。

基於上述實施例可知，光罩MK1具有交替排列的濾光圖案110a與濾光圖案120a，且濾光圖案110a只允許具有第一波長的第一光線通過，濾光圖案120a只允許具有第二波長的第二光線通過。此外，由於第一波長與第二波長為不同波長，所以通過濾光圖案110a的第一光線與通過濾光圖案120a的第二光線不會產生干涉，因此可縮小單次曝光製程中的關鍵尺寸，進而可使得光罩MK1具有較佳的曝光解析度。另外，藉由上述光罩的製造方法可製作出具有較佳曝光解析度的光罩MK1。

圖4A至圖4E為本發明另一實施例的光罩的製造流程立體示意圖。圖4A至圖4E的實施例與圖1A至圖1G的實施例中相同的構件使用相同的符號進行說明，於此不再重複說明。圖5為圖4中的濾光層的剖面示意圖。

請參照圖4A，在透明基板100上形成擋光層102。擋光層102除了具有至少一個開口104與至少一個開口106之外，更具有至少一個開口128。開口104、開口106與開口128交替排列。擋光層102的材料例如是Cr、MoSi或其組合。擋光層102的形成方法例如是物理氣相沉積法。開口104、開口106與開口128的形成方法例如是對擋光層102進行圖案化製程。開口104、開口106與開口128分別可暴露出透明基板100。在此實施例中，開口104的數量、開口106的數量與開口128的數量是以多個為例來進行說明。

請參照圖4B，於開口104中形成濾光圖案110a，且於開口106中形成濾光圖案120a。濾光圖案110a與濾光圖案120a的形成方法可參照圖1B至圖1G的說明，於此不再重複說明。

請參照圖4C，在擋光層102上形成圖案化光阻層130。圖案化光阻層130暴露出開口128。圖案化光阻層130的材料可為正光阻材料或負光阻材料。圖案化光阻層130例如是藉由微影製程所形成。

請參照圖4D，形成填滿開口128的濾光層132。濾光層132的材料例如是多層膜。濾光層132的形成方法例如是物理氣相沉積法，如蒸鍍法。

舉例來說，請參照圖5，當濾光層132的材料為多層膜時，多層膜可包括交替堆疊設置的至少一層高折射率層134與至少一層低折射率層136，且多層膜的最上層與最下層分別為高折射率層134。此外，多層膜更可包括至少一層中折射率層138。中折射率層138位於高折射率層134與低折射率層136之間。在此實施例中，高折射率層134的數量、低折射率層136的數量與中折射率層138的數量分別是以多層為例來進行說明。

請參照圖4E，移除圖案化光阻層130，而於開口128中形成濾光圖案132a。濾光圖案132a只允許具有第三波長的第三光線通過。第一波長、第二波長與第三波長為不同波長。詳細來說，在移除圖案化光阻層130時，會同時移除位於圖案化光阻層130上的濾光層132，而由留在開口128中的濾光層132形成濾光圖案132a。圖案化光阻層130的移除方法例如是乾式去光阻法或濕式去光阻法。在此實施例中，濾光圖案132a雖然是藉由剝離法來形成，但本發明並不以此為限。

以下，藉由圖4E來說明光罩MK2的結構。光罩MK2可為二元式光罩或相移式光罩(如，衰減相移式光罩)。

請同時參照圖4E與圖1G，圖4E的光罩MK2與圖1G的光罩MK1的差異如下。擋光層102更具有至少一個開口128，且光罩MK2更包括至少一層濾光圖案132a。濾光圖案132a設置於開口128中，且只允許具有第三波長的第三光線通過。第一波長、第二波長與第三波長為不同波長。如此一來，光罩MK2具有交替排列的濾光圖案110a、濾光圖案120a與濾光圖案132a。濾光圖案110a、濾光圖案120a與濾光圖案132a的排列方式並不限於圖4E中所繪示的排列方式，只要允許相同波長的光線通過的兩個濾光圖案互不相鄰即可。亦即，只要在允許相同波長的光線通過的兩個濾光圖案之間穿插有允許另一波長的光線通過的濾光圖案即屬於本發明所保護的範圍。此外，關於光罩MK2的各構件的材料、特性、形成方法與配置方式已於上述實施例中進行詳盡地說明，於此不再重複說明。

基於上述實施例可知，光罩MK2具有交替排列的濾光圖案110a、濾光圖案120a與濾光圖案132a，且濾光圖案110a只允許具有第一波長的第一光線通過，濾光圖案120a只允許具有第二波長的第二光線通過，濾光圖案132a只允許具有第三波長的第三光線通過。此外，由於第一波長、第二波長與第三波長為不同波長，所以通過濾光圖案110a的第一光線、通過濾光圖案120a的第二光線與通過濾光圖案132a的第三光線彼此之間不會產生干涉，因此可縮小單次曝光製程中的關鍵尺寸，進而可使得光罩MK2具有較佳的曝光解析度。另外，藉由上述光罩的製造方法可製作出具有較佳曝光解析度的光罩MK2。

在上述實施例中，第一光線、第二光線與第三光線各自的波長純度取決於光源的能力能定，然而只要所選用的第一光線、第二光線與第三光線彼此之間不會產生干涉即屬於本發明所保護的範圍。

此外，光罩雖然是以包括兩種或三種濾光圖案為例來進行說明，但本發明並不以此為限，只要光罩具有多種不同的濾光圖案即屬於本發明所保護的範圍。舉例來說，本發明的光罩亦可應用於包括四種以上的濾光圖案的情況。

圖6為本發明一實施例的曝光方法的流程圖。

請參照圖6，進行步驟S100，提供光阻層。光阻層的材料例如是正光阻材料或負光阻材料。光阻層的形成方法例如是旋轉塗佈法。

進行步驟S102，提供光源。在此實施例中，舉例來說，光源同時發射出具有第一波長的第一光線與具有第二波長的第二光線，且第一波長與第二波長為不同波長。在另一實施例中，光源更可同時發射出具有第三波長的第三光線，且第一波長、第二波長與第三波長為不同波長。

進行步驟S104，提供光罩MK1。在此實施例中，光罩是以採用圖1G的光罩MK1為例來進行說明，但本發明並不以此為限。在光罩MK1中，濾光圖案110a只允許具有第一波長的第一光線通過，濾光圖案120a只允許具有第二波長的第二光線通過。在另一實施例中，光罩亦可採用圖4E的光罩MK2。在光罩MK2中，濾光圖案110a只允許具有第一波長的第一光線通過，濾光圖案120a只允許具有第二波長的第二光線通過，濾光圖案132a只允許具有第三波長的第三光線通過長。光罩MK1與光罩MK2的各構件的材料、特性、形成方法與配置方式已於上述實施例中進行詳盡地說明，於此不再重複說明。

進行步驟S106，以光源照射光罩MK1，使第一光線通過濾光圖案110a而照射到光阻層，且同時使第二光線通過濾光圖案120a而照射到光阻層。由於第一波長與第二波長為不同波長，所以通過濾光圖案110a的第一光線與通過濾光圖案120a的第二光線不會產生干涉，因此可縮小單次曝光製程中的關鍵尺寸，進而可提高轉移到光阻層上的曝光圖案的解析度。

在另一實施例中，在採用光罩MK2的情況下，以光源照射光罩的步驟S106更包括使第三光線通過濾光圖案132a而照射到光阻層。由於第一波長、第二波長與第三波長為不同波長，所以通過濾光圖案110a的第一光線、通過濾光圖案120a的第二光線與通過濾光圖案132a的第三光線彼此之間不會產生干涉，因此可縮小單次曝光製程中的關鍵尺寸，進而可提高轉移到光阻層上的曝光圖案的曝光解析度。

綜上所述，在上述實施例的光罩中，由於不同種類的濾光圖案交替排列且分別只允許特定波長的光線通過，所以通過濾光圖案的光線之間不會產生干涉，因此可使得光罩具有較佳的曝光解析度。此外，藉由上述實施例的光罩的製造方法可製作出具有較佳曝光解析度的光罩。另外，由於上述實施例的曝光方法是使用上述光罩進行曝光製程，因此可有效地提高的曝光解析度。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧透明基板

102‧‧‧擋光層

104、106、128‧‧‧開口

108、118、130‧‧‧圖案化光阻層

110、120、132‧‧‧濾光層

110a、120a、132a‧‧‧濾光圖案

112、122、134‧‧‧高折射率層

114、124、136‧‧‧低折射率層

116、126、138‧‧‧中折射率層

MK1、MK2‧‧‧光罩

S100、S102、S104、S106‧‧‧步驟

圖1A至圖1G為本發明一實施例的光罩的製造流程立體示意圖。 圖2為圖1中的濾光層的剖面示意圖。 圖3為圖1中的濾光層的剖面示意圖。 圖4A至圖4E為本發明另一實施例的光罩的製造流程立體示意圖。 圖5為圖4中的濾光層的剖面示意圖。 圖6為本發明一實施例的曝光方法的流程圖。

Claims (17)

1. 一種光罩，包括： 一透明基板； 一擋光層，設置於該透明基板上，且具有交替排列的至少一第一開口與至少一第二開口； 至少一第一濾光圖案，設置於該至少一第一開口中，且只允許具有一第一波長的一第一光線通過；以及 至少一第二濾光圖案，設置於該至少一第二開口中，且只允許具有一第二波長的一第二光線通過，其中該第一波長與該第二波長為不同波長。
2. 如申請專利範圍第1項所述的光罩，其中該至少一第一濾光圖案與該至少一第二濾光圖案的材料分別包括一多層膜。
3. 如申請專利範圍第2項所述的光罩，其中該多層膜包括交替堆疊設置的至少一高折射率層與至少一低折射率層，且該多層膜的最上層與最下層分別為該高折射率層。
4. 如申請專利範圍第3項所述的光罩，其中該多層膜更包括至少一中折射率層，且該中折射率層位於該高折射率層與該低折射率層之間。
5. 如申請專利範圍第1項所述的光罩，其中 該擋光層更具有至少一第三開口，該至少一第一開口、該至少一第二開口與該至少一第三開口交替排列，且 該光罩更包括至少一第三濾光圖案，該至少一第三濾光圖案設置於該至少一第三開口中，且只允許具有一第三波長的一第三光線通過，該第一波長、該第二波長與該第三波長為不同波長。
6. 如申請專利範圍第5項所述的光罩，其中該至少一第三濾光圖案的材料包括一多層膜。
7. 如申請專利範圍第6項所述的光罩，其中該多層膜包括交替堆疊設置的至少一高折射率層與至少一低折射率層，且該多層膜的最上層與最下層分別為該高折射率層。
8. 如申請專利範圍第7項所述的光罩，其中該多層膜更包括至少一中折射率層，且該中折射率層位於該高折射率層與該低折射率層之間。
9. 如申請專利範圍第1項所述的光罩，其中該光罩包括二元式光罩或相移式光罩。
10. 一種光罩的製造方法，包括： 在一透明基板上形成一擋光層，其中該擋光層具有交替排列的至少一第一開口與至少一第二開口； 於該至少一第一開口中形成至少一第一濾光圖案，其中該至少一第一濾光圖案只允許具有一第一波長的一第一光線通過；以及 於該至少一第二開口中形成至少一第二濾光圖案，其中該至少一第二濾光圖案只允許具有一第二波長的一第二光線通過，且該第一波長與該第二波長為不同波長。
11. 如申請專利範圍第10項所述的光罩的製造方法，其中該至少一第一濾光圖案的形成方法包括： 在該擋光層上形成一圖案化光阻層，其中該圖案化光阻層暴露出該至少一第一開口； 形成填滿該至少一第一開口的一第一濾光層；以及 移除該圖案化光阻層。
12. 如申請專利範圍第10項所述的光罩的製造方法，其中該至少一第二濾光圖案的形成方法包括： 在該擋光層上形成一圖案化光阻層，其中該圖案化光阻層暴露出該至少一第二開口； 形成填滿該至少一第二開口的一第二濾光層；以及 移除該圖案化光阻層。
13. 如申請專利範圍第10項所述的光罩的製造方法，其中該擋光層上更具有至少一第三開口，其中該至少一第一開口、該至少一第二開口與該至少一第三開口交替排列，且該光罩的製造方法更包括： 於該至少一第三開口中形成至少一第三濾光圖案，其中該至少一第三濾光圖案只允許具有一第三波長的一第三光線通過，該第一波長、該第二波長與該第三波長為不同波長。
14. 如申請專利範圍第13項所述的光罩的製造方法，其中該至少一第三濾光圖案的形成方法包括： 在該擋光層上形成一圖案化光阻層，其中該圖案化光阻層暴露出該至少一第三開口； 形成填滿該至少一第三開口的一第三濾光層；以及 移除該圖案化光阻層。
15. 一種曝光方法，包括： 提供一光阻層； 提供一光源，其中該光源同時發射出具有一第一波長的一第一光線與具有一第二波長的一第二光線，且該第一波長與該第二波長為不同波長； 提供一光罩，其中該光罩包括： 一透明基板； 一擋光層，設置於該透明基板上，且具有交替排列的至少一第一開口與至少一第二開口； 至少一第一濾光圖案，設置於該至少一第一開口中，且只允許具有一第一波長的一第一光線通過；以及 至少一第二濾光圖案，設置於該至少一第二開口中，且只允許具有一第二波長的一第二光線通過；以及 以該光源照射該光罩，使該第一光線通過該至少一第一濾光圖案而照射到該光阻層，且同時使該第二光線通過該至少一第二濾光圖案而照射到該光阻層。
16. 如申請專利範圍第15項所述的曝光方法，其中 該光源更發射出具有一第三波長的一第三光線，且該第一波長、該第二波長與該第三波長為不同波長， 該擋光層更具有至少一第三開口，該至少一第一開口、該至少一第二開口與該至少一第三開口交替排列，且 該光罩更包括設置於該至少一第三開口中的至少一第三濾光圖案，該至少一第三濾光圖案只允許具有一第三波長的一第三光線通過。
17. 如申請專利範圍第16項所述的曝光方法，其中以該光源照射該光罩的步驟更包括使該第三光線通過該至少一第三濾光圖案而照射到該光阻層。