CN110320740A - 掩模版 - Google Patents

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张志伟
陈孝贤
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/28—Interference filters
    • G02B5/285—Interference filters comprising deposited thin solid films
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract

本申请提供一种掩模版，其包括基底、掩模结构和频谱调节结构；基底呈透明状；掩模结构具有图案，用于形成具有所述图案的膜层，所述掩模结构形成在所述基底上；频谱调节结构，用于调整曝光机光路系统发出光线的频谱，所述频谱调节结构形成在所述掩模结构上。本申请通过频谱调节结构的设置，改善和调整曝光机原先的频谱，以使曝光机和本申请掩模版结合以形成符合特定材料特征的频谱。

Description

掩模版
技术领域
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种掩模版。
背景技术
彩色滤光片在液晶显示技术中占有重要的作用，起到了彩色显示的效果。目前主要使用颜料分散法来进行彩色滤光片的制作，而曝光技术作为颜料分散法中最为重要的技术，起到了将掩模版上图形转移到玻璃基板上。
由于价格、生产节拍等因素，通常会选择使用接近式曝光机来完成曝光工艺。传统的接近式曝光机在曝光光路系统确认后，曝光机的频谱就会固定下来，不同的曝光机可能随着曝光系统的不同，频谱完全不同。而色阻材料会随着不同曝光频谱表现出不同的材料特性。
其中，在形成不同材料特性的色阻材料时，曝光机的光线需要穿透掩模版来完成曝光工艺。
如果需要调整曝光机的频谱，必须在曝光机硬件上新增截止滤波片(cutfilter)，即需要花费一定时间和金钱对曝光机设备硬件、软件进行更改。且多数曝光机厂商在安装截止滤波片之后，由于已经对出厂时曝光机硬件进行修改，所以不提供硬件的后期保修服务，增加了后期的保修成本。
因此为了节约设备改造成本和后期保修成本，本申请提供了一种新型的掩模版，以解决上述技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种掩模版，以解决现有的掩模版不能用于调整曝光机发出光线的频谱的技术问题。
本申请实施例提供一种掩模版，其包括：
基底，呈透明状；
掩模结构，具有图案，用于形成具有所述图案的膜层，所述掩模结构形成在所述基底上；以及
频谱调节结构，用于调整曝光机光路系统发出光线的频谱，所述频谱调节结构形成在所述掩模结构上。
在本申请的掩模版中，所述频谱调节结构包括至少一高折射膜层和至少一低折射膜层，所述高折射膜层和所述低折射膜层交替层叠设置。
在本申请的掩模版中，在所述频谱调节结构中，相邻的一所述高折射膜层和一低折射膜层层叠设置，二者的层叠界面为一透过界面，所述透过界面用于透射特定的光波长。
在本申请的掩模版中，在所述频谱调节结构中，相邻的两个所述透过界面各自用于透过不同特定的光波长，或各自均用于透过相同特定的光波长。
在本申请的掩模版中，所述高折射膜层的折射系数大于等于1.9，所述低折射膜层的折射系数小于等于1.5。
在本申请的掩模版中，所述高折射膜层的材料为TiO2、Ta2O5、Nb2O5和SiOxNy中的一种，所述低折射膜层的材料为SiO2或SiOxNy中的一种。
在本申请的掩模版中，所述高折射膜层的厚度介于50纳米至100纳米之间，所述低折射膜层的厚度介于40纳米至80纳米之间。
在本申请的掩模版中，所述高折射膜层和所述低折射膜层的总层数介于5层至50层之间。
在本申请的掩模版中，所述掩模结构包括形成在基底上的铬层和形成在所述铬层上的保护层。
在本申请的掩模版中，所述保护层为氧化铬保护层。
相较于现有技术的掩模版，本申请的掩模版通过频谱调节结构的设置，改善和调整曝光机原先的频谱，以使曝光机和本申请掩模版结合以形成符合特定材料特征的频谱；解决了现有的掩模版不能用于调整曝光机发出光线的频谱的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请的掩模版的实施例的结构示意图。
具体实施方式
请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
请参照图1，图1为本申请的掩模版的实施例的结构示意图。本申请实施例的掩模版100，其包括基底11、掩模结构12和频谱调节结构13。
具体的，基底11呈透明状。基底11为石英玻璃。
掩模结构12具有图案，用于形成具有该图案的膜层。掩模结构12形成在基底11上。掩模结构12的图案为镂空的图案。
频谱调节结构13用于调整曝光机光路系统发出光线的频谱。频谱调节结构13形成在掩模结构12上。
本申请实施例的掩模版100通过频谱调节结构13的设置，改善和调整曝光机原先的频谱，以使曝光机和掩模版100结合制备出特定材料特征的膜层。
在现有的曝光工艺中，当曝光工艺中存在多条生产流水线，每条生产流水线的曝光机由于品牌或硬件的不同，促使曝光机光路系统的频谱不同，导致生产的膜层之间的特性存在差异，进而导致每个流水线的产品出现不同的差异。因此本申请实施例的掩模版100通过频谱调节结构13的设置并结合曝光机，以使得不同产线生产出同一特性的膜层。即不同的曝光机配设相应的本实施例的掩模版100，使曝光机结合掩模版100产出特定的膜层。
在本实施例的掩模版100中，掩模结构12包括形成在基底11上的铬层121和形成在铬层121上的保护层122。保护层122为氧化铬保护层。
在本实施例的掩模版100中，频谱调节结构13包括至少一高折射膜层131和至少一低折射膜层132。高折射膜层131和低折射膜层132交替层叠设置。
具体的，在频谱调节结构13中，相邻的一高折射膜层131和一低折射膜层132层叠设置，二者的层叠界面为一透过界面13a。透过界面13a用于透过特定的光波长。本实施例通过透过界面13a透过特定的光波长，从而达到调节曝光光谱的目的，而高折射膜层131和低折射膜层132的光折射作用，也起到部分的光谱调节作用。因此，在三者的共同作用下达到调节曝光光谱的效果。
在本实施例的掩模版100中，在频谱调节结构13中，相邻的两个透过界面13a各自用于透过不同特定的光波长，或各自均用于透过相同特定的光波长。
也就是说，本实施例可以根据实际的需求设置相应的透过界面13a，以达调节光谱的效果。
需要说明的是，由于透过界面3a还具有反射特定光波长的性质，也就是说一高折射膜层和一低折射膜层层叠设置后形成的界面，过滤掉了非选定的光波长，从而使得选定的光波长可以透过。另外，光波长的选定可以通过调节高折射膜层131和低折射膜层132的折射系数、厚度和层数实现。
故调节曝光机光谱，可通过调节高折射膜层131和低折射膜层132的折射系数和厚度，以及高折射膜层131和低折射膜层132的总层数来实现。
在本实施例的掩模版100中，高折射膜层131的折射系数大于等于1.9，低折射膜层132的折射系数小于等于1.5。
高折射膜层131的材料为TiO2、Ta2O5、Nb2O5和SiOxNy中的一种。低折射膜层132的材料为SiO2或SiOxNy中的一种。
在本实施例中，当高折射膜层131和低折射膜层132的材料均为SiOxNy时，需要说明的是，x和y为系数值，比如x＝1，y＝2，等等。其中，SiOxNy具有一定的水氧阻隔性能和粘附性能，且通过改变SiOxNy中氧元素和氮元素的含量配比，可制备不同折射系数的膜层。
在本实施例的掩模版100中，高折射膜层131的厚度介于50纳米至100纳米之间。低折射膜层132的厚度介于40纳米至80纳米之间。在本申请的掩模版中，高折射膜层131和低折射膜层132的厚度并非限于此。
在本实施例的掩模版100中，高折射膜层131和低折射膜层132的总层数介于5层至50层之间。在本申请的掩模版中，高折射膜层131和低折射膜层132的层数并非限于此。本申请可以根据实际的需求设置不同总层数的频谱调节结构13。
本申请的掩模版100的制备过程是：
首先，在基底11上形成掩模结构12，即采用磁控溅射技术依次在基底11上形成铬层121和保护层122。
然后，在保护层122上形成频谱调节结构13，即采用磁控溅射技术在保护层122上交替沉积高折射膜层131和低折射膜层132，二者不分先后。
最后，对制作好的掩模版进行曝光机频谱测试，如果测试结果符合要求，则采用该掩模版应用于相应的曝光机；如果测试结果有差异，则进行频谱调节结构13的调整，直至测试结果符合要求为止。
这样便完成了本申请的制备过程。
相较于现有技术的掩模版，本申请的掩模版通过频谱调节结构的设置，改善和调整曝光机原先的频谱，以使曝光机和本申请掩模版结合以形成符合特定材料特征的频谱；解决了现有的掩模版不能用于调整曝光机发出光线的频谱的技术问题。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种掩模版，其特征在于，包括：
基底，呈透明状；
掩模结构，具有图案，用于形成具有所述图案的膜层，所述掩模结构形成在所述基底上；以及频谱调节结构，用于调整曝光机光路系统发出光线的频谱，所述频谱调节结构形成在所述掩模结构上。
2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述频谱调节结构包括至少一高折射膜层和至少一低折射膜层，所述高折射膜层和所述低折射膜层交替层叠设置。
3.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，在所述频谱调节结构中，相邻的一所述高折射膜层和一低折射膜层层叠设置，二者的层叠界面为一透过界面，所述透过界面用于透过特定的光波长。
4.根据权利要求3所述的掩模版，其特征在于，在所述频谱调节结构中，相邻的两个所述透过界面各自用于透过不同特定的光波长，或各自均用于透过相同特定的光波长。
5.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述高折射膜层的折射系数大于等于1.9，所述低折射膜层的折射系数小于等于1.5。
6.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述高折射膜层的材料为TiO2、Ta2O5、Nb2O5和SiOxNy中的一种，所述低折射膜层的材料为SiO2或SiOxNy中的一种。
7.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述高折射膜层的厚度介于50纳米至100纳米之间，所述低折射膜层的厚度介于40纳米至80纳米之间。
8.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述高折射膜层和所述低折射膜层的总层数介于5层至50层之间。
9.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模结构包括形成在基底上的铬层和形成在所述铬层上的保护层。
10.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述保护层为氧化铬保护层。
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