JP2008116691A - ハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エッチングの際の加工形状制御が容易となるハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかるハーフトーンマスクは、中間階調領域を形成する半透明膜パターン２１、２２、２３と、半透明膜パターン２１、２２、２３の外周全てに配置される遮光膜パターン３１、３２とを有する。また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、ハーフトーンマスクによってレジストを露光する工程と、レジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターン８１、８２、８３を形成する工程と、レジストパターン８１、８２、８３を介して基板上の膜６、７をエッチングする工程と、を備える。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法に関するものである。

液晶表示装置の製造工程においては、例えばガラス基板上にパターンを形成するために光リソグラフィー技術が用いられている。光リソグラフィーでは、フォトマスクのパターンを感光性樹脂（以下、レジストという）の塗布された基板上に転写し、アルカリ現像液によって現像され、パターンを得る。

通常フォトマスクは透明基板上にクロムなどを含有する遮光膜を用いてパターンを形成する。パターンのない部分は透明基板を光が通過し露光される露光領域となる。そして、パターンがある部分では光が遮光されて未露光領域となる。そして、この領域に応じたパターンがレジストに転写される。一般的にこのようなフォトマスクは、バイナリマスクといわれる。

従来、液晶表示装置のなかでＴＦＴアレイ基板製造では、少なくとも５回のエッチング工程が必要であった。そして、エッチング工程毎に異なるマスクが必要であるため、従来の製法では５枚のマスクが必要であった。しかし、近年では製造に必要なフォトマスクの枚数を４枚に削減する技術の開発が進んでいる。マスク枚数を削減することにより、光リソグラフィー工程を減らすことができる。このため、１枚のマスクで２回の異なるエッチングを行なう方法が考えられている。すなわち、意図的にレジスト膜厚差を設けることにより、異なるエッチングを行なっている。

具体的には、まず最初に、膜厚の薄い部分と厚い部分とを有するレジストマスクを用いて２種の異なる層を連続してエッチングする。その後、予め選択したレジストの薄い部分をアッシングによって剥離する。このとき、厚い部分のレジストは薄くなって残存する。続いて残ったレジストパターンを用い、その形状に沿ってエッチングを行なう。その後、このレジストも除去する。このようにエッチングを行なうためには、予めレジストに、パターンに応じた膜厚差を形成しておく必要がある。この膜厚差のあるレジストを設けるため、中間階調領域を形成する。中間階調領域では膜厚の薄いレジストパターンを形成する。一方、未露光領域では膜厚の厚いレジストパターンを形成する。

中間階調領域の形成にはグレイトーンマスクを用いることが知られている。グレイトーンマスクとは、光リソグラフィー時に未解像となるようなパターンをスリットや格子状に配置させ、その部分の透過光量を制御するもので、スリットマスクとも呼ばれる。さらに最近では、中間階調領域のパターンを形成するためのハーフトーンマスクが開発されている（特許文献１〜３）。ハーフトーンマスクは、半透明膜を用いて中間階調領域を形成するものである。
特開２０００−０７５４６６号公報 特開２００３−３２２９４９号公報 特開２００４−２０５５５１号公報

しかるに、グレイトーンマスク（スリットマスク）は、パターンの隙間の間隔によって透過光量を制御することから、微小パターンの寸法に非常に高い制御が要求される。また、これら微小パターンの配置は光学シミュレーションや実際の露光テストを繰り返すことで決定されるため、設計に長時間を費やすことになる。さらに、光源として波長３６５ｎｍの露光機を使用する場合には解像度が上がる。したがって、グレイトーンマスクの微小パターンの寸法制御には精密さが必要となる。

一方、ハーフトーンマスクは中間階調領域を半透明膜で形成する。このことから、半透明膜の透過率を制御すれば、中間階調制御が容易となる。その反面、中間階調領域と露光領域との境界では光学像コントラストが不十分となる。よって、現像によってレジストの膜べりを生じることがある。また、光学像コントラストが不十分だと、光リソグラフィーによるレジストのパターニングで、露光領域との境界に位置する中間階調領域のレジストパターン端部の側壁傾斜角度は小さくなり、例えば１０°程度となる。こうなると、レジスト側壁傾斜部分の占める面積が大きくなる。このため、ドライエッチング時に傾斜角度が大きい場合と比べて微細パターンの加工が困難となる。すなわち、レジスト側壁傾斜角度が小さいと、エッチング制御が難しくなる。

本発明はこのような問題点を解決するためになされたものであり、エッチングの際の加工形状制御が容易となるハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法を提供することを目的とする。

本発明にかかるハーフトーンマスクは、中間階調領域を形成する半透明膜パターンと、前記半透明膜パターンの外周全てに配置される遮光膜パターンとを有する。また、本発明にかかるパターン基板の製造方法は、基板上に設けられた膜をパターニングするパターン基板の製造方法であって、前記ハーフトーンマスクによって、前記膜上のレジストを露光する工程と、前記ハーフトーンマスクによって露光されたレジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンを介して前記基板上の膜をエッチングする工程と、を備える。

本発明により、エッチングの際の加工形状制御が容易となるハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法を提供することができる。

発明の実施の形態．
本実施の形態にかかるハーフトーンマスクについて図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態にかかるハーフトーンマスクと、そのハーフトーンマスクによって形成されたレジストパターンを示す図である。図１（ａ）は、本実施の形態にかかるハーフトーンマスクの模式平面図、図１（ｂ）はその模式断面図、図１（ｃ）は、ハーフトーンマスクを用いて露光により製作したレジストパターン等の模式断面図である。ここでは、ガラス基板５上の膜６、及び膜７をパターニングするためのレジストパターンについて説明する。なお、本実施の形態では、現像によって、露光した箇所が消失し、未露光の箇所が残存するポジ型のレジストを用いた例を説明する。

図１に示されるように、透明基板１上には、半透明膜パターン２１、２２、２３と遮光膜パターン３１、３２とが積層されている。透明基板１は、例えば石英基板であり、露光波長の光のほとんどを透過する。したがって、透明基板１上に遮光膜パターン３１、３２、及び半透明膜パターン２１、２２、２３のいずれも形成されていない領域が露光領域になる。すなわち、透明基板１のみが存在する箇所が露光領域となる。露光領域ではレジストが現像液に溶解して、消失する。

遮光膜パターン３１、３２は、露光波長の光を遮光する。従って、遮光膜パターン３１、３２が形成されている領域が未露光領域となる。未露光領域では、現像液にレジストが溶解しないため、膜厚の厚いレジストパターン８１が形成される。遮光膜パターン３１、３２は、例えば、クロム（Ｃｒ）を含有する材料によって形成することができる。

半透明膜パターン２１、２２、２３は、露光波長の光の一部を遮り、中間階調領域を形成する。すなわち、半透明膜パターンは２１、２２、２３は、露光波長に対して一定の透過率を有しており、光の一部を透過する。したがって、透明基板１に半透明膜パターン２２、２３のみが形成されている箇所での露光量は、遮光膜パターン３１、３２が形成されている箇所での露光量よりも大きくなり、透明基板１のみの箇所での露光量よりも小さくなる。この半透明膜パターン２２、２３が設けられており、かつ遮光膜パターン３１、３２が設けられていない領域が中間階調領域に対応する。中間階調領域では、現像液によってレジストの一部が消失する。すなわち、膜厚方向におけるレジストの一部が現像液に溶解する。従って、中間階調領域では、未露光領域のレジストパターン８１よりも薄い膜厚を有するレジストパターン８３が形成される。

このように、現像後のレジストパターンは、２段階の膜厚を有することになる。すなわち、未露光領域には、膜厚の厚いレジストパターン８１が形成され、中間階調領域には、膜厚の薄いレジストパターン８３が形成される。また、露光領域にはレジストパターンが存在しない。このように、ハーフトーンマスクを用いることによって、膜厚差を有するレジストパターンが現像される。従って、レジストパターンは、膜厚の厚い厚膜部と、膜厚の薄い薄膜部を有する。

さらに、遮光膜パターン３２は、半透明膜パターン２２の端部上に配置された微小パターン３４を有している。この微小パターン３４は、露光装置の解像限界以下の線幅で形成されている。すなわち、微小パターン３４は、露光機によって解像されないパターンである。微小パターン３４は、遮光膜パターン３２と同じ材料によって形成され、光を遮光する。そして、微小パターン３４は半透明膜パターン２２、２３の外周部上に配置されている。従って、中間階調領域となる箇所の外周全体には、遮光膜パターン３２又は微小パターン３４が設けられている。すなわち、中間階調領域を形成する半透明膜パターン２２、２３の外周全体は、遮光膜パターン３２や微小パターン３４で覆われる。

図１（ａ）、図１（ｂ）には、３種類のパターンが示されている。図１の左側には、未露光領域を形成するためのパターンが示され、右側には、中間階調領域を形成するためのパターンが示され、中央には、中間階調領域、及び未露光領域を形成するためのパターンが示されている。さらに、それぞれのパターンの間には、露光領域を形成するため、パターンが形成されていない部分が存在する。このようなハーフトーンマスクで露光を行なうことにより、図１（ｃ）に示す３つのレジストパターン８１、８２、８３が形成される。

まず、図１の左側のパターンについて説明する。図１の左側には、矩形状の未露光領域を形成するための半透明膜パターン２１と遮光膜パターン３１とが示されている。矩形状の半透明膜パターン２１の上には、遮光膜パターン３１が設けられている。ここでは、同じ形状の半透明膜パターン２１と遮光膜パターン３１とが重複されている。すなわち、半透明膜パターン２１全体に、遮光膜パターン３１が積層されている。従って、半透明膜パターン２１は遮光膜パターン３１からはみ出すことなく形成されている。これにより、矩形状の未露光領域が形成される。

次に、図１の右側のパターンについて説明する。図１の右側には、矩形状の中間階調領域を形成するための半透明膜パターン２３と微小パターン３４とが示されている。ここでは、矩形状の半透明膜パターン２３の外周全体に微小パターン３４が設けられている。微小パターン３４は枠状に形成されて、半透明膜パターン２３の外周部と重複するように配置されている。すなわち、ロの字型の微小パターン３４が半透明膜パターン２３上に形成されている。これにより、矩形状の中間階調領域が形成される。

さらに、図１の中央のパターンについて説明する。図１の中央には、互いに接するよう設けられた中間階調領域、及び未露光領域を形成するための、半透明膜パターン２２と遮光膜パターン３２とが示されている。すなわち、半透明膜パターン２２と遮光膜パターン３２によって、矩形状の中間階調領域と矩形状の未露光領域とが隣接するように形成される。ここでは、左側に未露光領域が配置され、右側に中間階調領域が配置されている。そして、未露光領域と中間階調領域とは、一体となって設けられる。このような、中間階調領域、及び未露光領域を形成するため、透明基板１上には、矩形状の半透明膜パターン２２が形成されている。この半透明膜パターン２２は、中間階調領域、及び未露光領域を足し合わせた領域に対応する形状を有している。そして、半透明膜パターン２２の上には、遮光膜パターン３２と微小パターン３４が設けられている。遮光膜パターン３２は、未露光領域に対応する形状を有している。従って、遮光膜パターン３２は矩形状に形成され、半透明膜パターン２２の左側半分の上に配置される。微小パターン３４は、半透明膜パターン２２の右側の上に配置される。図１（ａ）に示すように、微小パターン３４は半透明膜パターン２２の右端と、右側半分の上下両端とに配置される。従って、微小パターン３４はコの字型に形成される。この微小パターン３４と遮光膜パターン３２とによって、半透明膜パターン２２の外周全体が遮光膜パターン３２と重複する。従って、中間階調領域の外周全体が遮光膜パターン３２によって囲まれる。

上記のように、微小パターン３４は、露光機で解像されない線幅で形成されている。従って、露光の際、微小パターン３４はレジストに転写されない。しかしながら、中間階調領域の端部には、レジストに転写されない微小パターン３４の影響を受ける。この微小パターン３４は、遮光膜パターン３１、３２と同じ材料によって形成されるため、中間階調領域の端部における露光量が低下する。すなわち、半透明膜パターン２３の微小パターン３４が形成されていない中央部よりも、微小パターン３４が形成されている端部では、露光量が低くなる。これにより、中間階調領域と露光領域の境界部における光学像のコントラストが向上する。すなわち、露光領域における露光量と、中間階調領域の端部における露光量との差が大きくなる。

このように微小パターン３４を設けることによって、中間階調領域に配置されるレジストパターン８３端部での側壁傾斜角度θ２を大きくすることができる。すなわち、中間階調領域では、従来よりもレジストパターン８３の立ち上がりが急峻になり、レジストパターン８３の側壁傾斜角度θ２が大きくなる。これにより、レジストパターン８３の側壁傾斜部分の占める面積を小さくすることができる。よって、エッチング時における膜７のパターンの加工制御が容易になる。

なお、ハーフトーンマスクの構造は上記の構造に限られるものではない。例えば、半透明膜パターンと遮光膜パターンとの配置を反対にしてもよい。すなわち、遮光膜パターンの上に半透明膜パターンを形成してもよい。すなわち、半透明膜パターンの端部において、遮光膜パターンと半透明膜パターンとが重複していればよい。従って、遮光膜パターンが半透明膜パターンからはみ出して形成されていてよい。

本実施の形態では、光リソグラフィーによりレジストパターンを形成する際、光源４として波長３６５ｎｍの露光機（ニコン製：ＦＸ７０２Ｊ ＮＡ＝０．１４５ σ＝０．６）を使用する。この場合、半透明膜パターンの露光波長における透過率は２０〜４０％となる。これは、レジストの性能やプロセスに左右されるが、中間階調領域のレジスト膜厚制御が比較的安定している数値である。また、微小パターン３４は、露光の際にレジストに転写されないような、露光機にとっての未解像のパターンであることが好ましい。微小パターン３４の幅は使用する露光機の解像力により異なる。波長３６５ｎｍの場合、微小パターン３４の幅は０．５〜１．０μｍとし、特に０．７５μｍが好ましい。

ハーフトーンマスクの形成には、ＫｒＦエキシマレーザー用のマスク材料（例えば、ＨＯＹＡ製：ＫｒＦ６％ＨＴマスクブランクス）が用いられる。前記マスクブランクスに所望のパターンを描画した後、遮光膜パターン３１、３２及び半透明膜パターン２１、２２、２３の加工を行なう。また、遮光膜パターン３１、３２を形成すると同時に微小パターン３４を形成する。これらのパターン形成については、従来と同様の方法を用いることができる。微小パターン３４と遮光膜パターン３２は、同じ工程で形成されてもよいし、異なる工程で形成されてもよい。

作製したハーフトーンマスクによりレジストパターンを形成する。その後、エッチングを行ない、パターンを形成する。この一連のパターニング方法について説明する。

まず、レジストパターンの形成について述べる。ガラス基板５上に、被エッチング膜としての膜６及び膜７をこの順に成膜する。これにより、ガラス基板５の略全面は膜６により覆われる。また、膜６の略全面は膜７により覆われる。次に、膜７上にレジストを塗布する。これにより、膜７の略全面はレジストにより覆われる。このとき、レジストの膜厚が１．５μｍとなるようにする。その後、ＦＸ７０２Ｊ露光機によって上記ハーフトーンマスクを用いて露光処理を行なう。

露光は、透明基板１側より行なう。図１に示されるように、光は光源４から透明基板１、半透明膜パターンの順に通り、レジストに照射される。そして、現像液を用いてレジストを現像する。このとき、レジストの一部は現像され、図１（ｃ）に示される状態になる。露光領域ではレジストは現像液によって消失する。未露光領域では、現像液に溶解しないため、レジストは膜厚が厚い状態で残存する。未露光領域では、レジストの膜厚は変化せずにそのままとなる。従って、レジストパターンの膜厚は１．５ｎｍのまま変化しない。中間階調領域では、レジストが一部消失するため、膜厚が薄い状態で残存する。中間階調領域では、半透明膜パターンの透過率の光量に応じてレジストが膜べりし、膜厚がレジストパターン８１より薄いレジストパターン８３が形成される。中間階調領域のレジストパターン８３の膜厚は、未露光領域のレジストパターン８１の膜厚のほぼ半分となる。レジストパターン８３の膜厚は０．４〜０．８μｍとし、０．６μｍとなることが好ましい。この膜厚制御は、光源４の露光量によって変化する。

図１に示されるように、中間階調領域のレジストパターン８３端部における側壁傾斜角度θ２は３０〜５０°が好ましく、特に約４０°が好ましい。この角度θは露光量によって、またレジストパターン８３の膜厚によって変わる。一方、未露光領域でのレジストパターン８１端部の側壁傾斜角度θ１を約７０°とする。このことから、θ１＞θ２の関係が成り立つ。

次に、このレジストパターン８１、８２、８３をマスクとして、エッチング処理を行なう。ここでは、膜７、及び膜６を１回でエッチングする連続エッチングを行なう。ドライエッチングを用いる場合、レジスト側壁傾斜に沿ったエッチング形状を有することから、θ１、θ２を大きくすることが好ましい。すなわち、図１（ｃ）に示すように、θ１、θ２が大きい場合、ドライエッチングによるレジストの後退量のばらつきを小さくすることができる。よって、エッチング制御が容易となる。すなわち、θ１、θ２を大きくすることにより、エッチングの寸法制御、側壁制御などを容易に行なうことができる。図２（ａ）に示すように、この連続エッチングによって、膜６、及び膜７は略同じパターン形状に加工される。なお、図２は、図１（ｃ）に示すレジストパターンを介してエッチングを行なったときの、ガラス基板５の構成を示す断面図である。このように、露光領域では、膜６、及び膜７がエッチングされ、ガラス基板５が露出する。

次に、中間階調領域のレジストパターン８３が完全になくなるようにアッシング処理を行なう。これにより、現像直後においてレジスト膜厚が薄かった薄膜部のレジストが除去され、中間階調領域における膜７が露出する。また、このアッシング処理によって、未露光領域のレジストパターン８１が後退する。従って、レジストパターン８１の後退した箇所でも、膜７が露出する。未露光領域では、中間階調領域よりも膜厚が十分厚いため、レジストパターン８１のかなりの部分が残る。すなわち、アッシングで膜厚の薄いレジストパターン８３を除去した後も、現像直後においてレジスト膜厚が厚かった厚膜部では、レジストパターン８１が薄くなって残存する。ここで、前述のように、未露光領域におけるレジストの側壁傾斜角度θ１を中間階調領域におけるレジストの側壁傾斜角度θ２よりも大きくしている。よって、アッシング処理によるレジストの後退に起因する悪影響を軽減することができる。すなわち、アッシングによってレジストパターンが後退した場合でも、側壁傾斜角度θ１が大きいため、パターンの加工制御のばらつきが抑制される。よって、精度よくパターニングすることができる。

このようにアッシング処理を行った後、図２（ｂ）に示すように、２回目のエッチング処理を行い、膜７を除去する。ここでは、例えば、ドライエッチングによって、膜７のみを除去して、膜６の一部を露出させている。すなわち、中間階調領域では、膜６が露出する。さらに、未露光領域の端部において、アッシングによりレジストパターン８１が後退した箇所でも、膜６が露出する。

このように、２回のエッチング工程を経ることによって、ガラス基板５上には、図２（ｂ）に示すパターンが形成される。未露光領域に対応する図２（ｂ）の左側には、膜６、及び膜７が積層されたパターンが示されている。また、図２（ｂ）の左側の積層パターンでは、アッシング時のレジストパターンの後退量だけ、膜７が膜６よりも小さくなっている。従って、膜６の端部は、膜７から露出している。中間階調領域に対応する図２（ｂ）の右側には、膜７のみが除去され、膜６のみが設けられている。すなわち、膜６が露出するように膜７がエッチングされている。未露光領域と中間階調領域とに対応する図２（ｂ）の中央には、膜６、及び膜７が積層されたパターンが示されている。そして、この積層パターンのうち、中間階調領域では、膜７が除去され、膜６が露出し、未露光領域では、膜７と膜６とが積層されている。また、未露光領域に対応する積層パターンでは、アッシング時のレジストパターンの後退量だけ、膜７が膜６よりも小さくなっている。従って、膜６の端部は、膜７から露出している。

そして、全てのレジストをアッシング処理、又は剥離処理によって除去する。これにより、未露光領域のレジストパターン８１が除去される。すなわち、現像直後に、膜厚が厚かった厚膜部のレジストパターンが除去される。このように、２種類の被エッチング膜である膜６、及び膜７は、２回エッチングされる。ここでは、ハーフトーンマスクを用いてレジストパターンに膜厚差を設けている。これにより、積層された膜６、及び膜７を異なるパターン形状に加工することができる。本実施の形態にかかるハーフトーンマスクを用いることによって、レジストの側壁傾斜角度θ１、θ２を大きくすることができる。よって、エッチング時の加工形状制御を容易に行なうことができ、精度よくパターニングすることができる。また、上記の説明では、ドライエッチングを用いたがウェットエッチングでもよい。さらに、膜６、膜７は、金属膜や透明導電膜などの導電膜であってもよく、シリコン膜などの半導体膜であってもよい。さらに、膜６、膜７は、絶縁膜であってもよい。

このように、ハーフトーンマスクを用いたパターニング方法では、１回の光リソグラフィー工程で意図的にレジスト膜厚差を設けることができる。膜厚差のあるレジストパターンを用いて、２種類の被エッチング膜を異なる形状でエッチングする。すなわち、膜厚差のあるレジストパターンのアッシング前後で、エッチング処理を行なう。これにより、膜６と膜７を異なる形状に加工することができる。さらに、本実施の形態にかかるハーフトーンマスクでは、半透明膜パターンの外周に微小パターン３４を配置している。このことで、中間階調領域と露光領域との境界部での光学像コントラストを強めることができる。これにより、現像によってレジストが膜べりしても、中間階調領域のレジスト側壁傾斜角度θ２を保持できる。したがって、ドライエッチング時の加工形状制御が容易となる。

上記のハーフトーンマスクによって製造したパターン基板は、ＴＦＴアレイ基板、表示装置用の基板などに用いることができる。従って、ＴＦＴアレイ基板、表示装置等のパターン基板の生産性を向上できる。

比較例．
図３は、中間階調領域に微小パターン３４を配置してない従来のハーフトーンマスク及びこれを用いて形成したレジストパターンを示した模式平面図及び模式断面図である。図３（ａ）に従来のハーフトーンマスクを示した模式平面図、図３（ｂ）にその模式断面図、図３（ｃ）はハーフトーンマスクを用いて露光により作製したレジストパターン等の模式断面図が示されている。微小パターン３４を配置しない場合の中間階調領域のレジスト側壁傾斜角度θ３は１０°程度であり、微小パターン３４を配置する場合のθ２と比較してかなり小さい。このように中間階調領域のレジスト側壁傾斜角度θ３が小さい場合、エッチング途中でレジストの後退が大きくなることがある。この場合、エッチングの寸法制御、側壁制御などに弊害を起こしやすくなる。

本発明の実施の形態にかかるハーフトーンマスク及びこれを用いて形成したレジストパターンを示した模式平面図及び模式断面図である。 本発明の実施の形態１にかかるハーフトーンマスクにより形成されたレジストパターンを用いたエッチング方法を示した模式断面図である。 中間階調領域に微小パターンを配置してない従来のハーフトーンマスク及びこれを用いて形成したレジストパターンを示した模式平面図及び模式断面図である。

符号の説明

１ 透明基板、 ４ 光源、 ５ ガラス基板、 ６ 膜、 ７ 膜、
２１、２２、２３ 半透明膜パターン、 ３１、３２ 遮光膜パターン、
３４ 微小パターン、 ８１、８２、８３ レジストパターン

Claims (7)

1. 中間階調領域を形成する半透明膜パターンと、
   前記半透明膜パターンの外周全てに配置される遮光膜パターンと、を有するハーフトーンマスク。
2. 前記遮光膜パターンがクロムを含有する請求項１に記載のハーフトーンマスク。
3. 前記遮光膜パターンが、露光機にとって未解像となる微小パターンを備える請求項１又は２に記載のハーフトーンマスク。
4. 前記微小パターンの幅が０．５〜１．０μｍである請求項３に記載のハーフトーンマスク。
5. 前記半透明膜パターンの透過率が２０〜４０％である請求項１乃至４のいずれかに記載のハーフトーンマスク。
6. 基板上に設けられた膜をパターニングするパターン基板の製造方法であって、
   請求項１乃至５のいずれかに記載のハーフトーンマスクによって、前記膜上のレジストを露光する工程と、
   前記ハーフトーンマスクによって露光されたレジストを現像し、膜厚差を有するレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンを介して前記基板上の膜をエッチングする工程と、を備えるパターン基板の製造方法。
7. 前記レジストを現像する工程では、前記膜厚差を有するレジストパターンの薄膜部におけるレジストの側壁傾斜角度を３０〜５０°に形成し、前記膜厚差を有するレジストの厚膜部におけるレジストの側壁傾斜角度を前記薄膜部におけるレジストの側壁傾斜角度よりも大きくすることを特徴とする請求項６に記載のパターン基板の製造方法。

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