JP2011075656A - フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び液晶表示装置の作製方法 - Google Patents
フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び液晶表示装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011075656A JP2011075656A JP2009224717A JP2009224717A JP2011075656A JP 2011075656 A JP2011075656 A JP 2011075656A JP 2009224717 A JP2009224717 A JP 2009224717A JP 2009224717 A JP2009224717 A JP 2009224717A JP 2011075656 A JP2011075656 A JP 2011075656A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- line
- pattern
- photomask
- width
- space
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/29—Rim PSM or outrigger PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/34—Phase-edge PSM, e.g. chromeless PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【解決手段】エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。
【選択図】図1
Description
フォトマスク100は、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを有し、該ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを被加工体103上に形成されたレジスト膜104に転写するものである。フォトマスク100の転写パターンは、透明基板110上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部で形成することができる。また、フォトマスク100のライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンが半透光部101で設けられ、スペースパターンが透光部102で設けられている。
次に、上述したフォトマスク100を用いたパターン転写方法について説明する。
フォトマスク100のライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンは、透明基板110上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成することができる。この際、フォトマスク100のライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンとなる部分は透明基板110上に成膜された半透光膜を残存させて半透光部とし、スペースパターンとなる部分は半透光膜を除去して透光部とすればよい。
レジスト膜:Positive−Novolak Type
レジスト膜の初期膜厚:1.5μm
バイアス部:+0.5μm
ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅:6.0μm(ライン幅:3.5μm、スペース幅:2.5μm)、5.0μm(ライン幅:3.0μm、スペース幅:2.0μm)、4.4μm(ライン幅:2.7μm、スペース幅:1.7μm)
ラインパターンの透過率:3%〜20%
バイアス部:+0.8μm
ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅:8.0μm(ライン幅:4.3μm、スペース幅:2.7μm)、6.0μm(ライン幅:3.8μm、スペース幅:2.2μm)、5.0μm(ライン幅:3.3μm、スペース幅:1.7μm)
ラインパターンの透過率:3%〜20%
バイアス部:+0.5μm
ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅:8.0μm(ライン幅:4.5μm、スペース幅:3.5μm)、7.0μm(ライン幅:4.0μm、スペース幅:3.0μm)、6.0μm(ライン幅:3.5μm、スペース幅:2.5μm)、5.0μm(ライン幅:3.0μm、スペース幅:2.0μm)、4.4μm(ライン幅:2.7μm、スペース幅:1.7μm)
ラインパターンの透過率:0%
バイアス部:+0.8μm
ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅:8.0μm(ライン幅:4.8μm、スペース幅:3.2μm)、7.0μm(ライン幅:4.3μm、スペース幅:2.7μm)、6.0μm(ライン幅:3.8μm、スペース幅:2.2μm)、5.0μm(ライン幅:3.3μm、スペース幅:1.7μm)、4.4μm(ライン幅:2.7μm、スペース幅:1.7μm)
ラインパターンの透過率:0%
101 半透光部
102 透光部
103 被加工体
104 レジスト膜
105 レジストパターン
106a バイアス部
106b バイアス部
110 透明基板
Claims (15)
- エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、前記レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクであって、
前記転写パターンは、透明基板上に成膜された半透光膜をパターニングすることにより形成された透光部と半透光部により設けられ、
前記透明基板上に形成される前記ライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンが前記半透光部により設けられ、前記スペースパターンが前記透光部により設けられているフォトマスク。 - 前記透光部の透過率を100%とするとき、前記半透光部の透過率が1%以上30%以下である、請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅が2.0μm以上7.0μm未満である、請求項1又は請求項2に記載のフォトマスク。
- 前記透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅をLM、スペース幅をSM、前記エッチング加工後に前記被加工体に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅をLP、スペース幅SPとするとき、LM>LP且つSM<SPの関係を満たす、請求項1から請求項3のいずれか一に記載のフォトマスク。
- 前記被加工体に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LPとスペース幅SPが等幅である場合、前記透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LMとスペース幅SMがLM>SMの関係を満たす、請求項4に記載のフォトマスク。
- 前記透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LMとスペース幅SMの差の1/2をバイアス値とするとき、前記バイアス値が0.2μm〜1.0μmである、請求項5に記載のフォトマスク。
- 被加工体上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜にフォトマスクを介して露光光を照射した後、前記レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記被加工体をエッチングすることにより、前記被加工体の少なくとも一部をライン・アンド・スペース・パターンに形成する工程と、を有し、
前記フォトマスクとして、請求項1から請求項3のいずれか一に記載のフォトマスクを用いるパターン転写方法。 - 前記フォトマスクのライン・アンド・スペース・パターンのライン幅をLM、スペース幅をSMとするとき、前記エッチング加工後に前記被加工体に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LPを前記LMより小さくし、スペース幅SPを前記SMより大きくする、請求項7に記載のパターン転写方法。
- 前記被加工体に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LPとスペース幅SPを等幅に形成する場合に、前記フォトマスクの前記ライン・アンド・スペース・パターンのライン幅LMをスペース幅SMより大きくする、請求項8に記載のパターン転写方法。
- 前記エッチングとして、ウエットエッチングを行う、請求項7から請求項9のいずれか一に記載のパターン転写方法。
- 前記レジスト膜として、前記ウエットエッチングにおける前記被加工体とのエッチング選択比が10倍以上となる材料を用いる、請求項10に記載のパターン転写方法。
- 請求項7から請求項11のいずれか一に記載されたパターン転写方法を用いて、透明導電膜をエッチング加工することによりくし型状の画素電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
- エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、前記レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクの製造方法であって、
透明基板上に半透光膜を形成する工程と、
前記半透光膜をパターニングすることにより、透光部と半透光部からなる前記転写パターンを形成する工程とを有し、
前記透光部の透過率を100%とするとき、前記半透光膜の透過率を1%以上30%以下とし、
前記透明基板上に形成される前記ライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを前記半透光部により形成し、スペースパターンを前記透光部により形成するフォトマスクの製造方法。 - 前記ライン・アンド・スペース・パターンのピッチ幅を2.0μm以上7.0μm以下に形成する、請求項13に記載のフォトマスクの製造方法。
- 露光条件、前記レジスト膜の特性、前記被加工体の特性及び前記被加工体の加工条件の相関関係を規定し、前記被加工体の加工条件に基づいて、前記透明基板上に形成される前記ライン・アンド・スペース・パターンのライン幅、スペース幅及び前記半透光部の透過率をシミュレーションにより決定する、請求項13又は請求項14に記載のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009224717A JP5409238B2 (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置用画素電極の製造方法 |
TW099132469A TWI431411B (zh) | 2009-09-29 | 2010-09-24 | 光罩、光罩之製造方法、圖案轉印方法及液晶顯示裝置之製作方法 |
CN2010102955339A CN102033420B (zh) | 2009-09-29 | 2010-09-27 | 光掩模及其制造方法、图案转印方法及液晶显示装置制作方法 |
KR1020100093590A KR101408580B1 (ko) | 2009-09-29 | 2010-09-28 | 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법, 표시 장치용 화소 전극의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009224717A JP5409238B2 (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置用画素電極の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011075656A true JP2011075656A (ja) | 2011-04-14 |
JP5409238B2 JP5409238B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=43886490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009224717A Active JP5409238B2 (ja) | 2009-09-29 | 2009-09-29 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置用画素電極の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5409238B2 (ja) |
KR (1) | KR101408580B1 (ja) |
CN (1) | CN102033420B (ja) |
TW (1) | TWI431411B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2506084A2 (en) | 2011-03-30 | 2012-10-03 | Kyocera Document Solutions Inc. | Image forming apparatus for performing fixing processing by induction heating system |
WO2013094756A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 大日本印刷株式会社 | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
KR20130110080A (ko) | 2012-03-27 | 2013-10-08 | 호야 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012212125A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-11-01 | Hoya Corp | フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置の製造方法 |
JP5990367B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2016-09-14 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、これを用いた電子デバイスの製造方法 |
JP5635577B2 (ja) * | 2012-09-26 | 2014-12-03 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク、パターン転写方法、及びフラットパネルディスプレイの製造方法 |
CN102998853B (zh) * | 2012-12-27 | 2016-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 隔垫物及其制备方法、液晶面板及显示装置 |
CN103474396B (zh) * | 2013-09-24 | 2015-09-02 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft-lcd阵列基板的制造方法 |
JP6282847B2 (ja) * | 2013-11-19 | 2018-02-21 | Hoya株式会社 | フォトマスク及び該フォトマスクを用いた基板の製造方法 |
JP6767735B2 (ja) * | 2015-06-30 | 2020-10-14 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの設計方法、フォトマスクブランク、および表示装置の製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10254122A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Nec Corp | 露光用フォトマスク |
JP2000131720A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-12 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2002050638A (ja) * | 2000-06-02 | 2002-02-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プロセス・ウィンドウが改良された完全自己整合tftの形成方法 |
JP2002202584A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Ltd | フォトマスク、その製造方法、パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2009042753A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-26 | Hoya Corp | フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
JP2009210635A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | パターン予測方法、パターン補正方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3420294B2 (ja) * | 1993-08-31 | 2003-06-23 | Hoya株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
KR960002536A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-26 | ||
KR100219570B1 (ko) * | 1995-12-26 | 1999-09-01 | 윤종용 | 하프톤 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
JP3289606B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2002-06-10 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク用ブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JP3760927B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2006-03-29 | 凸版印刷株式会社 | パターン転写方法 |
TW200636820A (en) * | 2005-04-04 | 2006-10-16 | Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd | Thin film transistor, integrated circuit, liquid crystal display, method of producing thin film transistor, and method of exposure using attenuated type mask |
-
2009
- 2009-09-29 JP JP2009224717A patent/JP5409238B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-24 TW TW099132469A patent/TWI431411B/zh active
- 2010-09-27 CN CN2010102955339A patent/CN102033420B/zh active Active
- 2010-09-28 KR KR1020100093590A patent/KR101408580B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10254122A (ja) * | 1997-03-10 | 1998-09-25 | Nec Corp | 露光用フォトマスク |
JP2000131720A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-12 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2002050638A (ja) * | 2000-06-02 | 2002-02-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | プロセス・ウィンドウが改良された完全自己整合tftの形成方法 |
JP2002202584A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Hitachi Ltd | フォトマスク、その製造方法、パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2009042753A (ja) * | 2007-07-19 | 2009-02-26 | Hoya Corp | フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 |
JP2009210635A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Toshiba Corp | パターン予測方法、パターン補正方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2506084A2 (en) | 2011-03-30 | 2012-10-03 | Kyocera Document Solutions Inc. | Image forming apparatus for performing fixing processing by induction heating system |
WO2013094756A1 (ja) * | 2011-12-21 | 2013-06-27 | 大日本印刷株式会社 | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
JP2013148892A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 大型位相シフトマスクおよび大型位相シフトマスクの製造方法 |
KR20130110080A (ko) | 2012-03-27 | 2013-10-08 | 호야 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치 제조용 위상 시프트 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101408580B1 (ko) | 2014-06-17 |
TW201128296A (en) | 2011-08-16 |
CN102033420A (zh) | 2011-04-27 |
TWI431411B (zh) | 2014-03-21 |
KR20110035925A (ko) | 2011-04-06 |
JP5409238B2 (ja) | 2014-02-05 |
CN102033420B (zh) | 2013-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5409238B2 (ja) | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び表示装置用画素電極の製造方法 | |
JP5555789B2 (ja) | フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 | |
JP5916680B2 (ja) | 表示装置製造用フォトマスク、及びパターン転写方法 | |
JP2011215197A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
JP2011215197A5 (ja) | ||
JP2008116691A (ja) | ハーフトーンマスク及びこれを用いたパターン基板の製造方法 | |
KR101837247B1 (ko) | 포토마스크, 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크 블랭크 및 표시 장치의 제조 방법 | |
TW202105046A (zh) | 光罩、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
KR20170010032A (ko) | 포토마스크의 제조 방법, 포토마스크, 패턴 전사 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
JP2016024264A5 (ja) | ||
JP7080070B2 (ja) | フォトマスク、及び表示装置の製造方法 | |
JP6273190B2 (ja) | フォトマスクの製造方法、フォトマスク及びパターン転写方法 | |
US20070015089A1 (en) | Method of making a semiconductor device using a dual-tone phase shift mask | |
TWI777402B (zh) | 顯示裝置製造用光罩、及顯示裝置之製造方法 | |
KR101343256B1 (ko) | 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
KR101703395B1 (ko) | 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
KR20170052886A (ko) | 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크 제조방법 | |
JP7507100B2 (ja) | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、表示装置用デバイスの製造方法 | |
JP4899871B2 (ja) | レジストパターン形成方法及び電子素子の製造方法並びに半導体集積回路の製造方法 | |
KR100835469B1 (ko) | 노광 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR20020017094A (ko) | 위상 반전 마스크의 제조 방법 | |
KR20090072826A (ko) | 보조 패턴을 구비하는 포토마스크의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130319 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130806 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131015 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131105 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5409238 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |